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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Max	Courant - Hold (IH) (Max)	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Résistance @ si, f	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
Stgwa40n120kd	-	RFQ	9704	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Stgwa40	Standard		240 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30						960V, 30A, 10OHM, 15V																						84 ns					-	1200 V	80 A	120 A	3,85 V @ 15V, 30A	3,7mj (on), 5,7mj (off)	126 NC	48ns / 338ns
STTH8003CY	10.7800	RFQ	508	Stmicroelectronics	Q Automotive	Tube	Obsolète		Par le trou	À 247-3	STTH8003		Standard		Max247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						1 paire la commune de cathode	300 V	40a	1,25 V @ 40 A	60 ns	80 µA à 300 V	175 ° C (max)
Stn3nf06l	1.0300	RFQ	25	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	Stn3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n					60 V	4A (TC)	5v, 10v	100 mohm @ 1,5a, 10v	2,8 V @ 250µA	9 NC @ 5 V	± 16V	340 pf @ 25 V	-	3.3W (TC)
SD1275	-	RFQ	3567	Stmicroelectronics	-	Boîte	Obsolète	200 ° C (TJ)	Châssis, montage	M135	SD1275			70W	M135	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	40							9 dB																											16V	8a										NPN		20 @ 250mA, 5V	-	-
STFI260N6F6	4.3200	RFQ	297	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 EXCHET DE PACK, I²PAK	STFI260N		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pakfp (à 281)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					60 V	80A (TC)	10V	3MOHM @ 60A, 10V	4V @ 250µA	183 NC @ 10 V	± 20V	11400 pf @ 25 V	-	41.7W (TC)
STF18N55M5	3.2100	RFQ	142	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ v	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF18		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					550 V	16A (TC)	10V	192MOHM @ 8A, 10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	± 25V	1260 pf @ 100 V	-	25W (TC)
STF2LN60K3	-	RFQ	898	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF2LN		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					600 V	2A (TC)	10V	4,5 ohm @ 1a, 10v	4,5 V @ 50µA	12 NC @ 10 V	± 30V	235 PF @ 50 V	-	20W (TC)
Std30ne06l	-	RFQ	2837	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tube	Obsolète	175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std30n		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n					60 V	30a (TC)	5v, 10v	28MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	41 NC @ 5 V	± 20V	2370 pf @ 25 V	-	55W (TC)
Sti24nm65n	-	RFQ	5788	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Sti24n		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					650 V	19A (TC)	10V	190mohm @ 9,5a, 10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 25V	2500 pf @ 50 V	-	160W (TC)
2stc5948	-	RFQ	9220	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	2stc			200 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-6958-5	EAR99	8541.29.0095	30																																		250 V	17 A								5µA (ICBO)		NPN	3V @ 800mA, 8A	80 @ 1A, 5V	25 MHz
STPS20L120CT	-	RFQ	4054	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-3	STPS20		Schottky		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						1 paire la commune de cathode	120 V	10A	860 MV @ 10 A		120 µA à 120 V	150 ° C (max)
TIP41CN	-	RFQ	9495	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TIP41			65 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-4635-5	EAR99	8541.29.0095	1 000																																		100 V	6 A								700 µA		NPN	1,5 V @ 600mA, 6A	15 @ 3A, 4V	-
STH272N6F7-6AG	-	RFQ	6103	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	STH272		MOSFET (Oxyde Métallique)		H2PAK-6	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n					60 V	180a (TC)	10V	1,5 mohm @ 90a, 10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	11000 pf @ 25 V	-	333W (TC)
STTH3R04S	0,9100	RFQ	17	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	DO-214AB, SMC	STTH3		Standard		SMC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							400 V		1,5 V @ 3 A	35 ns	5 µA @ 400 V	175 ° C (max)	3A	-
STW21NM60ND	3.9451	RFQ	3862	Stmicroelectronics	FDMESH ™ II	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW21		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-8453-5	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n					600 V	17A (TC)	10V	220 mOhm @ 8,5a, 10v	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 25V	1800 pf @ 50 V	-	140W (TC)
Dmv1500lfd5	-	RFQ	9799	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)		À 220-3 EXCHET	DMV1500				À 220fpab f5	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-4195-5	EAR99	8541.10.0080	810				4 A																												-									Connexion de Série de 1 Paire Standard	1500 V		-
BTB08-600CWRG	1.4200	RFQ	1	Stmicroelectronics	Snubberless ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	BTB08				À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire				35 mA													Alternative - Snubberless	600 V	8 A	1,3 V	80a, 84a	35 mA
STPS40SM120CTN	2.9200	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-3	STPS40		Schottky		À 220aB Les Pistes Étroites	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						1 paire la commune de cathode	120 V	20A	830 MV @ 20 A		275 µA à 120 V	150 ° C (max)
STTH6110TV2	23.5200	RFQ	3540	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		Soutenir de châssis	Isotop	STTH6110		Standard		Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						2 indépendant	1000 V	30A	2 V @ 30 A	100 ns	15 µA à 1000 V	150 ° C (max)
STPSC20H065CW	8.1000	RFQ	8150	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	STPSC20		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)																						1 paire la commune de cathode	650 V	10A	1,75 V @ 10 A	0 ns	100 µA @ 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C
T405-600B	1.3700	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	T405				Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	75	Célibataire				10 mA													Logique - Porte sensible	600 V	4 A	1,3 V	30a, 31a	5 mA
STX817A	-	RFQ	4837	Stmicroelectronics	-	Sac	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	STX817			900 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 500																																		80 V	1,5 A								1 mA		Pnp	500 MV à 100MA, 1A	25 @ 1A, 2V	50 MHz
Sts6p3llh6	1.2200	RFQ	2	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	STS6P3		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal p					30 V	6a (ta)	4,5 V, 10V	30MOHM @ 3A, 10V	1V @ 250µA (min)	12 NC @ 4,5 V	± 20V	1450 pf @ 24 V	-	2.7W (TA)
MJD44H11T4	0,8300	RFQ	4271	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD44			20 W	Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500																																		80 V	8 A								10 µA		NPN	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4a, 1v	-
STPS20L45CT	1.7400	RFQ	995	Stmicroelectronics	-	Tube	Acheter la Dernière		Par le trou	À 220-3	STPS20		Schottky		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																						1 paire la commune de cathode	45 V	10A	550 mV @ 10 A		200 µA @ 45 V	150 ° C (max)
Bdx53bfp	-	RFQ	8809	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Bdx53			29 W	À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50																																		80 V	8 A								500 µA		Npn - darlington	2V @ 12mA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
STW7N95K3	6.7000	RFQ	600	Stmicroelectronics	SuperMesh3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW7N95		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			Canal n					950 V	7.2a (TC)	10V	1,35 ohm @ 3,6a, 10v	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	± 30V	1031 PF @ 100 V	-	150W (TC)
2STR2215	0,3900	RFQ	9	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	2STR			500 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																																		15 V	1,5 A								100NA (ICBO)		Pnp	850 MV @ 200mA, 2A	200 @ 500mA, 2V	-
ST83003	-	RFQ	6622	Stmicroelectronics	-	En gros	Obsolète	-	Par le trou	À 225aa, à 126-3	ST83			40 W	SOT-32-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500																																		400 V	1,5 A								1 mA		NPN	500 mV à 100ma, 500mA	16 @ 350mA, 5V	-
STTH1212G	-	RFQ	8658	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STTH1212		Standard		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1200 V		2.2 V @ 12 A	100 ns	10 µA à 1200 V	175 ° C (max)	12A	-