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Produits semi-conduurs discrètes (6390)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Courant - Hold (IH) (Max) | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW20N90K5 | 7.3600 |  | 582 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ k5 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-17089 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 900 V | 20A (TC) | 10V | 250 mohm @ 10a, 10v | 5V @ 100µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPS20M60SG-TR | 3.3700 | | 5198 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STPS20 | Schottky | D²pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 565 MV @ 20 A | 125 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ferd20m60st | 1.3800 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Acheter la Dernière | Par le trou | À 220-3 | Ferd20 | Ferd (Diode de redressdeur d'effet de champion) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 560 MV @ 20 A | 230 µA @ 60 V | 175 ° C (max) | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STGW100H65FB2-4 | 8.8500 | | 68 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | HB2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-4 | STGW100 | Standard | 441 W | À 247-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-STGW100H65FB2-4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 100A, 3,3 ohms, 15v | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 145 A | 300 A | 1,8 V @ 15V, 100A | 1 06MJ (ON), 1 14MJ (OFF) | 288 NC | 23ns / 141ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STGF30NC60 | - | | 3332 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STGF30 | Standard | 40 W | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480v, 20a, 10 ohms, 15v | - | 600 V | 22 A | 150 a | 1,9 V @ 15V, 20A | 300 µJ (ON), 1 28MJ (OFF) | 96 NC | 21,5ns / 180ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STU3N45K3 | 0,3913 | | 8923 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3 ™ | Tube | Actif | - | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU3N45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 450 V | 1.8A (TC) | 10V | 3,8 ohm @ 500mA, 10V | 4,5 V @ 50µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGW25M120DF3 | 7.1900 | | 367 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STGW25 | Standard | 375 W | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 25A, 15OHM, 15V | 265 ns | Arête du Champ de Tranché | 1200 V | 50 a | 100 A | 2.3V @ 15V, 25A | 850 µJ (ON), 1,3MJ (OFF) | 85 NC | 28NS / 150NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STL30P3llh6 | 1.1000 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 30mohm @ 4.5a, 10v | 1V @ 250µA (min) | 12 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1450 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTB08-800CWRG | 0,4337 | | 6586 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | BTB08 | À 220 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 497-BTB08-800CWRG | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 000 | Célibataire | 35 mA | Alternative - Snubberless | 800 V | 8 A | 1,2 V | 80a, 84a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STB18N60DM2 | 2.9500 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | STB18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 12A (TC) | 10V | 295MOHM @ 6A, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 25V | 800 pf @ 100 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW48N60DM2 | 10.6600 | | 4222 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW48 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 40A (TC) | 10V | 79MOHM @ 20A, 10V | 5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 25V | 3250 pf @ 100 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP30NF20 | 3.0800 | | 9666 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-5825-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 30a (TC) | 10V | 75MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1597 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPS5L60 | 0,9100 | | 65 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AB, SMC | STPS5 | Schottky | SMC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 520 mV @ 5 a | 220 µA @ 60 V | 150 ° C (max) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP10NM50N | - | | 2083 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 7a (TC) | 10V | 630mohm @ 3,5a, 10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 50 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STU2N80K5 | 1.3500 | | 994 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | STU2N80 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-15022-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 800 V | 2A (TC) | 10V | 4,5 ohm @ 1a, 10v | 5V @ 100µA | 9,5 NC @ 10 V | 30V | 105 PF @ 100 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP16NM50N | - | | 9710 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | STP16N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 15A (TC) | 10V | 260MOHM @ 7,5A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 25V | 1200 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2stn1360 | 0,5900 | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 2stn1360 | 1,6 W | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 60 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 150mA, 3A | 160 @ 1A, 2V | 130 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STWA20N95K5 | 7.9900 | | 4694 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh5 ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Stwa20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 Pistes longs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 950 V | 17.5A (TC) | 10V | 330MOHM @ 9A, 10V | 5V @ 100µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Std18n60m6 | 2.4400 | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-Pak (à 252) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 13A (TC) | 10V | 280mohm @ 6.5a, 10v | 4,75 V @ 250µA | 16,8 NC @ 10 V | ± 25V | 650 pf @ 100 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sti45n10f7 | 2.3900 | | 630 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Sti45n | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 45A (TC) | 10V | 18MOHM @ 22,5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 PF @ 50 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STL50N6F7 | 1.2400 | | 8818 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 60a (TC) | 10V | 11MOHM @ 7.5A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1035 PF @ 30 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Stl40dn3llh5 | 1.4700 | | 9258 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | STL40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 60W | Powerflat ™ (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 40a | 18MOHM @ 5.5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 4.5nc @ 4,5 V | 475pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STF20NM60D | - | | 9871 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH ™ | Tube | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | STF20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 20A (TC) | 10V | 290MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BD679A | 0,9000 | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | BD679 | 40 W | SOT-32-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 A | 500 µA | Npn - darlington | 2,8 V @ 40mA, 2A | 750 @ 2A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Std6nm60n | - | | 3679 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Std6n | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 4.6a (TC) | 10V | 920mohm @ 2,3a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 25V | 420 PF @ 50 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STW13NM60N | - | | 3852 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STW13N | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 360 MOHM @ 5.5A, 10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 790 pf @ 50 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STTH8BC060D | - | | 7150 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | STTH8BC | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 3,6 V @ 8 A | 40 ns | - | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPSC30H12CWL | 15.8300 | | 562 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack® | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | STPSC30 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 497-17247 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 38a | 1,5 V @ 15 A | 0 ns | 90 µA à 1200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGW50HF60 | 6.0000 | | 408 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STGW50 | Standard | 284 W | À 247-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30A, 10OHM, 15V | - | 600 V | 110 A | 130 A | 1 45 V @ 15V, 30A | 250 µJ (ON), 4,2MJ (OFF) | 200 NC | 50ns / 220ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGW28IH125DF | 2.8914 | | 6452 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | STGW28 | Standard | 375 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 25A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 1250 V | 60 a | 120 A | 2,5 V @ 15V, 25A | 720 µJ (off) | 114 NC | - / 128ns |
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