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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
STTH1212G	-	RFQ	8658	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STTH1212		Standard			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									1200 V		2.2 V @ 12 A	100 ns	10 µA à 1200 V	175 ° C (max)	12A	-
STH2N120K5-2AG	4.5900	RFQ	7007	Stmicroelectronics	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STH2N120		MOSFET (Oxyde Métallique)			H2pak-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-STH2N120K5-2AGTR	EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						1200 V	1.5A (TC)	10V	10OHM @ 500mA, 10V	4V @ 100µA	5.3 NC @ 10 V	± 30V	124 PF @ 100 V	-	60W (TC)
STW43N60DM2	6.9400	RFQ	7706	Stmicroelectronics	MDMESH ™ DM2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	STW43		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-16343-5	EAR99	8541.29.0095	30			Canal n						600 V	34A (TC)	10V	93MOHM @ 17A, 10V	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 25V	2500 pf @ 100 V	-	250W (TC)
MJD31C	-	RFQ	6680	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD31			15 W		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000																																				100 V	3 A					50 µA		NPN	1,2 V @ 375mA, 3A	10 @ 3A, 4V	-
STTH60W03CW	3.0700	RFQ	600	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3	STTH60		Standard			À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	30		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								1 paire la commune de cathode	300 V	30A	1 45 V @ 30 A	25 ns	20 µA à 300 V	175 ° C (max)
2SD2012	-	RFQ	8946	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2sd2			25 W		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-5900-5	EAR99	8541.29.0095	50																																				60 V	3 A					100 µA (ICBO)		NPN	1V @ 200mA, 2A	100 @ 500mA, 5V	3 MHz
Bat54swfilm	0,4100	RFQ	24	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	SC-70, SOT-323	Bat54		Schottky			SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								Connexion de la Séririe 1 paire	40 V	300mA (DC)	900 mV à 100 mA	5 ns	1 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Acs102-6t1-tr	0,6000	RFQ	3	Stmicroelectronics	ACS ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-30 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	ACS102					8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 500	Célibataire				20 mA														Alternative - Snubberless	600 V	200 mA	900 mV	7.3a, 7.6a	5 mA
T2535-600G	3,7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	Snubberless ™	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	T2535					D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	50	Célibataire				80 mA														Alternative - Snubberless	600 V	25 A	1,3 V	250a, 260a	35 mA
STPS1645GY-TR	-	RFQ	8678	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif					STPS1645						-				497-STPS1645GY-TR	EAR99	8541.10.0080	1
PD55003L-E	7.7800	RFQ	8216	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	40 V			8 powervdfn	PD55003	500 MHz	LDMOS			Powerflat ™ (5x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000				2.5a		50 mA	3W	19 dB																	-														12,5 V
STB270N4F3	4.6200	RFQ	5	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ III	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB270		MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						40 V	160a (TC)	10V	2,5 mohm @ 80a, 10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 20V	7400 pf @ 25 V	-	330W (TC)
STPSC10H065DY	3.6400	RFQ	1	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, EcoPack®2	Tube	Acheter la Dernière			Par le trou	À 220-2	STPSC10		Sic (Carbure de Silicium) Schottky			À 220AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									650 V		1,75 V @ 10 A		100 µA @ 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	480pf @ 0v, 1MHz
Std35nf06lt4	1.6200	RFQ	25	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std35		MOSFET (Oxyde Métallique)			Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						60 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	17MOHM @ 17.5A, 10V	2,5 V @ 250µA	33 NC @ 4,5 V	± 16V	1700 pf @ 25 V	-	80W (TC)
STTH3R04S	0,9100	RFQ	17	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	DO-214AB, SMC	STTH3		Standard			SMC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2 500		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									400 V		1,5 V @ 3 A	35 ns	5 µA @ 400 V	175 ° C (max)	3A	-
STPS2L30AFN	0,3700	RFQ	18	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	DO-221AC, SMA PLATS À PLAT	STPS2		Schottky			Encoche Smaflat	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-stps2l30afnct	EAR99	8541.10.0080	10 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									30 V		450 MV @ 2 A		200 µA @ 30 V	150 ° C	2A	-
STPS40SM120CTN	2.9200	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3	STPS40		Schottky			À 220aB Les Pistes Étroites	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								1 paire la commune de cathode	120 V	20A	830 MV @ 20 A		275 µA à 120 V	150 ° C (max)
STGE200N60K	-	RFQ	1964	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-	Soutenir de châssis	Isotop	STGE200				-	Isotop®	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	-																																		-	600 V	150 a	-					Non
STPS2L40UF	0,9200	RFQ	8	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			Support de surface	Do-221aa, plomb à plat smb	STPS2L40		Schottky			Smbflat	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	5 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									40 V		430 MV @ 2 A		220 µA @ 40 V	150 ° C (max)	2A	-
STTH12012TV1	27.8400	RFQ	592	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif			Soutenir de châssis	Isotop	STTH12012		Standard			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	10		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								2 indépendant	1200 V	60A	2,25 V @ 60 A	125 ns	30 µA à 1200 V	150 ° C (max)
Std25nf10t4	1.8400	RFQ	6337	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Std25		MOSFET (Oxyde Métallique)			Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						100 V	25a (TC)	10V	38MOHM @ 12,5A, 10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	± 20V	1550 pf @ 25 V	-	100W (TC)
Stwa48n60dm2	9.8500	RFQ	9	Stmicroelectronics	MDMESH ™ DM2	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Stwa48		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 Pistes longs	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	600			Canal n						600 V	40A (TC)	10V	79MOHM @ 20A, 10V	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 25V	3250 pf @ 100 V	-	300W (TC)
L6210	-	RFQ	3961	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		70 ° C (TA)	Par le trou	16 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	L6210		Schottky			16-Powerdip	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000																													1,2 V @ 1 A		1 ma @ 40 V		2 A							Monophasé	50 V
Sti24nm65n	-	RFQ	5788	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Sti24n		MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						650 V	19A (TC)	10V	190mohm @ 9,5a, 10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 25V	2500 pf @ 50 V	-	160W (TC)
Stth10lcd06fp	1.4200	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	Tube	Actif			Par le trou	À 220-2 EXCHET	STTH10		Standard			À 220fpac	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	497-12353	EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									600 V		2 V @ 10 A	50 ns	5 µA @ 600 V	175 ° C (max)	10A	-
BAS70-07P6FILM	-	RFQ	2796	Stmicroelectronics	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SOT-563, SOT-666	BAS70		Schottky			SOT-666	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																								2 indépendant	70 V	70mA (DC)	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150 ° C (max)
ACST4-7SH	-	RFQ	1545	Stmicroelectronics	-	Tube	Obsolète		-30 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 Longs Longs, ipak, à 251ab	Acst4					I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	3 000	Célibataire				35 mA														Standard	700 V	4 A	1,1 V	30a, 33a	25 mA
Acs102-5t1-tr	-	RFQ	7789	Stmicroelectronics	ASD ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-30 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	ACS102					8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	2 500	Célibataire				20 mA														Logique - Porte sensible	500 V	200 mA	900 mV	7.3a, 8a	5 mA
STF6N60M2	1.6700	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH ™ II Plus	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	STF6		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220fp	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						600 V	4.5a (TA)	10V	1,2 ohm @ 2 25a, 10v	4V @ 250µA	8 NC @ 10 V	± 25V	232 pf @ 100 V	-	20W (TC)
STB55NF06LT4	2.1200	RFQ	2141	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	STB55		MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						60 V	55A (TC)	10v, 5v	18MOHM @ 27,5A, 10V	4,7 V @ 250µA	37 NC @ 4,5 V	± 16V	1700 pf @ 25 V	-	95W (TC)