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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type triac Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Silhouette Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
STD15N60M2-EP STMicroelectronics STD15N60M2-EP 1.7200
RFQ
 ECAD 8535 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std15 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 11a (TC) 10V 378MOHM @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 25V 590 PF @ 100 V - 110W (TC)
ULQ2004A STMicroelectronics ULQ2004A 0.9900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) ULQ2004 - 16 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 50v 500mA - 7 npn darlington 1,7 V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
STD100NH02LT4 STMicroelectronics Std100nh02lt4 2.2300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std10 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 24 V 60a (TC) 5v, 10v 4,8MOHM @ 30A, 10V 1,8 V à 250µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3940 PF @ 15 V - 100W (TC)
SD56120 STMicroelectronics SD56120 -
RFQ
 ECAD 3613 0,00000000 Stmicroelectronics - Boîte Obsolète 65 V Soutenir de châssis M246 SD56120 860 MHz LDMOS M246 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 14A 400 mA 100W 16 dB - 28 V
BUV298AV STMicroelectronics Buv298av -
RFQ
 ECAD 6440 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Isotop BUV298 250 W Isotop télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 450 V 50 a - NPN 1,2 V @ 6.4a, 32a 12 @ 32A, 5V -
STTH20R04G STMicroelectronics STTH20R04G -
RFQ
 ECAD 1884 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STTH2 Standard D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,7 V @ 20 A 45 ns 20 µA @ 400 V 175 ° C (max) 20A -
STB141NF55-1 STMicroelectronics STB141NF55-1 -
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 ECAD 2351 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa STB141N MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 80A (TC) 10V 8MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 142 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 300W (TC)
STP180NS04ZC STMicroelectronics STP180NS04ZC 1.9970
RFQ
 ECAD 6608 0,00000000 Stmicroelectronics SafEFET ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP180 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 33 V 120A (TC) 10V 4.2MOHM @ 40A, 10V 4V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20V 4560 pf @ 25 V - 330W (TC)
BTA10-600CRG STMicroelectronics BTA10-600CRG 1.7700
RFQ
 ECAD 679 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 BTA10 À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 50 Célibataire 25 mA Standard 600 V 10 a 1,3 V 100A, 105A 25 mA
STPS10H100CG-TR STMicroelectronics STPS10H100CG-TR 1.6500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STPS10 Schottky D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 100 V 5A 730 mV @ 5 a 3,5 µA à 100 V 175 ° C (max)
STU75N3LLH6 STMicroelectronics Stu75n3llh6 -
RFQ
 ECAD 9658 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Stu75n MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 30 V 75A (TC) 4,5 V, 10V 5,9MOHM @ 37,5A, 10V 2,5 V @ 250µA 23,8 NC @ 4,5 V ± 20V 2030 PF @ 10 V - 60W (TC)
STTH5R06BY-TR STMicroelectronics STTH5R06BY-T-T-TR 2.0800
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 Stmicroelectronics Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 STTH5 Standard Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 2 500 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 3,2 V @ 5 A 35 ns 30 µA à 600 V 175 ° C (max) 5A -
STTH15AC06CT STMicroelectronics STTH15AC06CT 1.5800
RFQ
 ECAD 9002 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif Par le trou À 220-3 STTH15 Standard À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 7.5a 1,9 V @ 7,5 A 50 ns 1 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C
STP12N60M2 STMicroelectronics STP12N60M2 1.7400
RFQ
 ECAD 8772 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-16020-5 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 9A (TC) 10V 450mohm @ 4,5a, 10v 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 25V 538 pf @ 100 V - 85W (TC)
BUW48 STMicroelectronics Buw48 -
RFQ
 ECAD 3292 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète 175 ° C (TJ) Par le trou À 218-3 Buw48 150 W À 218-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 300 60 V 30 A - NPN 1,4 V @ 4A, 40A - 8 MHz
STPS20L45CFP STMicroelectronics STPS20L45CFP 1.9300
RFQ
 ECAD 7128 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif Par le trou À 220-3 EXCHET STPS20 Schottky À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 10A 550 mV @ 10 A 200 µA @ 45 V 150 ° C (max)
STB6NM60N STMicroelectronics STB6NM60N -
RFQ
 ECAD 1871 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Stb6n MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 4.6a (TC) 10V 920mohm @ 2,3a, 10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 25V 420 PF @ 50 V - 45W (TC)
STPS20200CG-TR STMicroelectronics STPS20200CG-TR 3.4300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STPS20200 Schottky D²pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 200 V 10A 860 MV @ 10 A 15 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C
T2035H-8I STMicroelectronics T2035H-8I 1.8300
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 T2035 À 220aB isolé télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-T2035H-8I EAR99 8541.30.0080 50 Célibataire 35 mA Alternative - Snubberless 800 V 20 a 1,3 V 200A, 210A 35 mA
STWA75N65DM6 STMicroelectronics Stwa75n65dm6 14.3200
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 Pistes longs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-stwa75n65dm6 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 75A (TC) 10V 36mohm @ 37,5a, 10v 4,75 V @ 250µA 118 NC @ 10 V ± 25V 5700 pf @ 100 V - 480W (TC)
STGD7NB120ST4 STMicroelectronics STGD7NB120ST4 -
RFQ
 ECAD 9865 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète - Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 STGD7 Standard 55 W Dpak - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 960v, 7a, 1kohm, 15v - 1200 V 10 a 20 a 2.1V @ 15V, 7A 3,2 µJ (ON), 15MJ (OFF) 29 NC 570ns / -
STGB8NC60KDT4 STMicroelectronics Stgb8nc60kdt4 1.7400
RFQ
 ECAD 4501 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STGB8 Standard 65 W D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 390V, 3A, 10OHM, 15V 23,5 ns - 600 V 15 A 30 A 2 75 V @ 15V, 3A 55µJ (ON), 85µJ (OFF) 19 NC 17NS / 72NS
STL26NM60N STMicroelectronics STL26NM60N 5.2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn STL26 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerflat ™ (8x8) HV télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 600 V 2.7A (TA), 19A (TC) 10V 185MOHM @ 10A, 10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 50 V - 125MW (TA), 3W (TC)
STPS30M120STN STMicroelectronics STPS30M120STN -
RFQ
 ECAD 9531 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète Par le trou À 220-3 STPS30 Schottky À 220aB Les Pistes Étroites télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 120 V 900 mV @ 30 A 345 µA à 120 V 150 ° C (max) 30A -
2STF2220 STMicroelectronics 2STF2220 -
RFQ
 ECAD 7409 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 2STF22 1,4 w SOT-89-3 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 20 V 1,5 A 100NA (ICBO) Pnp 450 MV à 150mA, 1,5a 200 @ 100mA, 2V -
STF30N10F7 STMicroelectronics STF30N10F7 1.7400
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STF30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 24a (TC) 10V 24MOHM @ 16A, 10V 4,5 V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1270 PF @ 50 V - 25W (TC)
STP9NK80Z STMicroelectronics STP9NK80Z -
RFQ
 ECAD 6219 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP9N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 7.5a (TC) 10V 1,2 ohm @ 3,75a, 10v 4,5 V @ 100µA 84 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 150W (TC)
STPSC8H065CT STMicroelectronics STPSC8H065CT 1.6670
RFQ
 ECAD 5253 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Acheter la Dernière Par le trou À 220-3 STPSC8 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 4A 1,75 V @ 4 A 0 ns 40 µA à 650 V -40 ° C ~ 175 ° C
STPS30150CT STMicroelectronics STPS30150CT 1.9600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif Par le trou À 220-3 STPS30150 Schottky À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 150 V 15A 920 MV @ 15 A 6,5 µA à 150 V 175 ° C (max)
TN1205H-6T STMicroelectronics TN1205H-6T 1.0800
RFQ
 ECAD 278 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C Par le trou À 220-3 TN1205 À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 50 20 mA 600 V 12 A 1,3 V 120a, 126a 5 mA 1,6 V 7.6 A 5 µA Norme de rénovation
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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