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Produits semi-conduurs discrètes (6390)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Condition de test Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type triac Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Silhouette Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
STW56N65DM2 STMicroelectronics STW56N65DM2 11.7000
RFQ
 ECAD 375 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW56 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 48A (TC) 10V 65MOHM @ 24A, 10V 5V @ 250µA 88 NC @ 10 V ± 25V 4100 pf @ 100 V - 360W (TC)
STGW30NC60WD STMicroelectronics STGW30NC60WD 5.1400
RFQ
 ECAD 7858 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STGW30 Standard 200 W À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 390V, 20A, 10OHM, 15V 40 ns - 600 V 60 a 150 a 2,5 V @ 15V, 20A 305µJ (ON), 181µJ (OFF) 102 NC 29,5ns / 118ns
STD2NC45-1 STMicroelectronics Std2nc45-1 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh ™ Tube Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Std2nc45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 450 V 1.5A (TC) 10V 4,5 ohm @ 500mA, 10V 3,7 V @ 250µA 7 NC @ 10 V ± 30V 160 pf @ 25 V - 30W (TC)
STP6NC60 STMicroelectronics STP6NC60 -
RFQ
 ECAD 3031 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ II Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 STP6N MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 6A (TC) 10V 1,2 ohm @ 3a, 10v 4V @ 250µA 45,5 NC @ 10 V ± 30V 1020 pf @ 25 V - 125W (TC)
T2650-6PF STMicroelectronics T2650-6PF 2.8700
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET To-3pf télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-T2650-6PF EAR99 8541.30.0080 30 Célibataire 75 Ma Alternative - Snubberless 600 V 26 A 1,3 V 260a, 270a 50 mA
STPS20M80CFP STMicroelectronics STPS20M80CFP -
RFQ
 ECAD 2374 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète Par le trou À 220-3 EXCHET STPS20 Schottky À 220fpab télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 10A 740 MV @ 10 A 30 µA @ 80 V 175 ° C (max)
STFU13N80K5 STMicroelectronics STFU13N80K5 4.3000
RFQ
 ECAD 3282 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STFU13 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-17144 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 800 V 12A (TC) 10V 450mohm @ 6a, 10v 5V @ 100µA 29 NC @ 10 V ± 30V 870 pf @ 100 V - 35W (TC)
STI6N80K5 STMicroelectronics Sti6n80k5 -
RFQ
 ECAD 2935 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Sti6 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 4.5a (TC) 10V 1,6 ohm @ 2a, 10v 5V @ 100µA 7,5 NC @ 10 V 30V 255 PF @ 100 V - 85W (TC)
STPS30M80CT STMicroelectronics STPS30M80CT 0 7742
RFQ
 ECAD 6504 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif Par le trou À 220-3 STPS30 Schottky À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 15A 745 MV @ 15 A 40 µA @ 80 V 175 ° C (max)
STGF30M65DF2 STMicroelectronics Stgf30m65df2 2.8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics M Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STGF30 Standard 38 W À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 30A, 10OHM, 15V 140 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 60 a 120 A 2V @ 15V, 30A 300 µJ (ON), 960µJ (OFF) 80 NC 31,6ns / 115ns
STPS2045CG-TR STMicroelectronics STPS2045CG-T- 1.8800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STPS2045 Schottky D²pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 10A 570 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V 175 ° C (max)
STGWA80H65FB STMicroelectronics Stgwa80h65fb -
RFQ
 ECAD 5060 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Stgwa80 Standard 469 W À 247 Pistes longs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80A, 10OHM, 15V Arête du Champ de Tranché 650 V 120 A 240 A 2v @ 15v, 80a 2,1mj (on), 1,5mj (off) 414 NC 84ns / 280ns
STP60NF06FP STMicroelectronics STP60NF06FP 1.8100
RFQ
 ECAD 9624 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET STP60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220fp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 60 V 30a (TC) 10V 16MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1810 PF @ 25 V - 30W (TC)
BD139 STMicroelectronics BD139 0,6600
RFQ
 ECAD 9233 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 BD139 1,25 W SOT-32-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 80 V 1,5 A 100NA (ICBO) NPN 500 mV à 50ma, 500mA 40 @ 150mA, 2V -
STL7LN65K5AG STMicroelectronics Stl7ln65k5ag 3 0000
RFQ
 ECAD 5270 0,00000000 Stmicroelectronics Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn Stl7ln65 MOSFET (Oxyde Métallique) Powerflat ™ (5x6) VHV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 650 V 5A (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,5a, 10v 5V @ 100µA 11.7 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 100 V - 79W (TC)
STD100N10F7 STMicroelectronics Std100n10f7 2.8800
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std100 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 80A (TC) 10V 8MOHM @ 40A, 10V 4,5 V @ 250µA 61 NC @ 10 V ± 20V 4369 PF @ 50 V - 120W (TC)
STD9N65M2 STMicroelectronics Std9n65m2 1.6300
RFQ
 ECAD 685 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std9 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 5A (TC) 10V 900 mohm @ 2,5a, 10v 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ± 25V 315 PF @ 100 V - 60W (TC)
STP318N4F6 STMicroelectronics STP318N4F6 -
RFQ
 ECAD 6917 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-STP318N4F6 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 160a (TC) 10V 2,2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ± 20V 13800000 PF @ 25 V - 341W (TC)
STLD125N4F6AG STMicroelectronics STLD125N4F6AG 3.4400
RFQ
 ECAD 2983 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F6 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN STLD125 MOSFET (Oxyde Métallique) Double Côté Powerflat ™ (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-17147-2 EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 120A (TC) 6,5 V, 10V 3MOHM @ 75A, 10V 4V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 10 V - 130W (TC)
STB10N60M2 STMicroelectronics STB10N60M2 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Plus Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STB10 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 7.5a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4V @ 250µA 13,5 NC @ 10 V ± 25V 400 pf @ 100 V - 85W (TC)
STD10NM50N STMicroelectronics Std10nm50n -
RFQ
 ECAD 1757 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Std10 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 500 V 7a (TC) 10V 630mohm @ 3,5a, 10v 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 25V 450 pf @ 50 V - 70W (TC)
STPS2530CG STMicroelectronics STPS2530CG -
RFQ
 ECAD 7764 0,00000000 Stmicroelectronics - Tube Obsolète Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STPS2530 Schottky D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 1 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 30 V 12.5A 530 mV @ 12,5 A 1 ma @ 30 V 150 ° C (max)
STPS1L30A STMicroelectronics STPS1L30A 0,4300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface DO-214AC, SMA STPS1 Schottky SMA (DO-214AC) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0080 5 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 395 MV @ 1 A 200 µA @ 30 V 150 ° C (max) 1A -
BAT54AFILM STMicroelectronics BAT54afilm 0,4200
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 40 V 300mA (DC) 900 mV à 100 mA 5 ns 1 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C
SD2931-11W STMicroelectronics SD2931-11W 67.1550
RFQ
 ECAD 4432 0,00000000 Stmicroelectronics - Plateau Actif 125 V M244 SD2931 175 MHz Mosfet M244 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 20A 250 mA 150W 15 dB - 50 V
STW24N60M2 STMicroelectronics STW24N60M2 -
RFQ
 ECAD 3726 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ II Plus Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW24 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 190MOHM @ 9A, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1060 pf @ 100 V - 150W (TC)
STW43NM60ND STMicroelectronics STW43NM60ND -
RFQ
 ECAD 9367 0,00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 STW43N MOSFET (Oxyde Métallique) À 247-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-8461-5 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 35A (TC) 10V 88MOHM @ 17,5A, 10V 5V @ 250µA 145 NC @ 10 V ± 25V 4300 pf @ 50 V - 255W (TC)
STTH60RQ06WY STMicroelectronics STTH60RQ06WY 4.6900
RFQ
 ECAD 1537 0,00000000 Stmicroelectronics Automobile, AEC-Q101 Tube Actif Par le trou DO-247-2 (Tête Droite) STTH60 Standard Do-247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 497-18143 EAR99 8541.10.0080 600 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 65 ns 80 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 60A -
X0115ML STMicroelectronics X0115 ml 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 3 000 5 mA 600 V 800 mA 800 mV 7a, 7.6a 150 µA 1,7 V 500 mA 1 µA Porte sensible
STGB50H65FB2 STMicroelectronics STGB50H65FB2 1.3018
RFQ
 ECAD 1371 0,00000000 Stmicroelectronics - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab STGB50 Standard 272 W D²pak (à 263) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 497-STGB50H65FB2 EAR99 8541.29.0095 1 000 400V, 50A, 4,7 ohms, 15v Arête du Champ de Tranché 650 V 86 A 150 a 2V @ 15V, 50A 910 µJ (ON), 580µJ (OFF) 151 NC 28NS / 115NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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