RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Produits semi-conduurs discrètes (2287)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Tension - Sortie	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Tension	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Tension - Décalage (VT)	COURANT - GATE DE FUITE D'ANODE (IGAO)	COURANT - VALLEY (IV)	Courant - pic
NTE6035	15.6000	RFQ	12	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-5, Stud		Standard		Do-5	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte6035	EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																								320 V		1,4 V @ 60 A		10 ma @ 320 V	-65 ° C ~ 175 ° C	60A	-
1N4003	0,0900	RFQ	9	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial		Standard		DO-41	télécharger	Rohs3 conforme			2368-1n4003	EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																								200 V		1.1 V @ 1 A		5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4v, 1mhz
2N2102	1.3600	RFQ	153	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W	To-39	télécharger	Rohs3 conforme			2368-2n2102	EAR99	8541.29.0095	1																																	65 V	1 a	2NA (ICBO)			NPN	500 mV @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
NTE51	3 4000	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	Axial		Standard		Axial	télécharger	Rohs non conforme			2368-nte551	EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																								1500 V		1,2 V @ 2 A	20 µs	10 µA à 1500 V	-40 ° C ~ 125 ° C	1.5a	-
NTE388	14.7700	RFQ	446	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			250 W	To-3	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte388	EAR99	8541.29.0095	1																																	250 V	16 A	500 µA			NPN	4V @ 3.2A, 16A	15 @ 8A, 4V	4 MHz
NTE153	2.9000	RFQ	331	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			40 W	À 220	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte153	EAR99	8541.29.0095	1																																	90 V	4 A	20µA (ICBO)			Pnp	1,5 V @ 300mA, 3A	40 @ 500mA, 5V	8 MHz
NTE275	5.4000	RFQ	78	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			50 W	To-66	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte275	EAR99	8541.29.0095	1																																	80 V	4 A	500 µA			PNP - Darlington	3V @ 40mA, 4A	750 @ 2A, 3V	-
NTE6086	6.7700	RFQ	24	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	À 220-3		Schottky		À 220	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte6086	EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							2 indépendant		10A	800 mV @ 10 a		150 µA à 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
NTE6210	23.0400	RFQ	12	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	To-204aa, to-3		Standard		To-3	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte6210	EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							1 paire la commune de cathode	600 V	15A	1,4 V @ 15 A	200 ns	5 ma @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C
NTE2355	0,8900	RFQ	900	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court	NTE23		300 MW	To-92s	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte2355	EAR99	8541.29.0095	1																																	50 V	100 mA	500NA			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	50 @ 10mA, 5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
NTE270	5.6600	RFQ	162	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			125 W	To-3pn	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte270	EAR99	8541.29.0095	1																																	100 V	10 a	2MA			Npn - darlington	3V @ 40mA, 10A	1000 @ 5A, 4V	-
NTE103	9.0800	RFQ	120	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 100 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			150 MW	To-204aa (to-3)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee	2368-nte103	EAR99	8541.21.0095	1																																	24 V	150 mA	5µA (ICBO)			NPN	200 mV @ 1MA, 24mA	30 @ 12mA, 150 mV	-
NTE5063A	2.2200	RFQ	77	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			1 W	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte5063a	EAR99	8541.10.0050	1																																				2,7 V	30 ohms
NTE53	12.5300	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			175 W	To-3	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte53	EAR99	8541.29.0095	1																																	400 V	15 A	1 mA			NPN	5V @ 3A, 15A	12 @ 5A, 2V	28 MHz
NTE222	15.0200	RFQ	100	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-206af, to-72-4 Metal Can		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-72	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte222	EAR99	8541.21.0095	1			Canal n			25 V	50mA (TJ)	-	-	4V @ 20µA		-	3300 pf @ 15 V	-	360MW (TA), 1,2 MW (TC)
NTE6080	1.8900	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	À 220-2		Schottky		À 220-2	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte6080	EAR99	8541.10.0080	1	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								60 V		800 mV @ 10 a		150 µA à 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
NTE5144A	1,3000	RFQ	291	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			5 W	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte5144a	EAR99	8541.10.0050	1																																				39 V	14 ohms
1N5355B	0 7600	RFQ	72	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	T-18, axial			5 W	Axial	télécharger	Rohs3 conforme			2368-1n5355b	EAR99	8541.10.0050	1																											1,2 V @ 1 A		500 na @ 13,7 V							18 V	2,5 ohms
NTE28	110.0000	RFQ	17	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 110 ° C (TJ)	Soutien	TO-36 (2 leads + CAS)			170 W	To-36	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte28	EAR99	8541.29.0095	1																																	45 V	60 a	15m			Pnp	300 MV @ 6A, 60A	60 @ 15A, 2V	-
NTE215	4.6000	RFQ	997	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			2,5 W	To-3p	télécharger	Rohs non conforme			2368-nte215	EAR99	8541.29.0095	1																																	100 V	8 A	100 µA (ICBO)			Npn - darlington	1,5 V @ 8MA, 4A	1500 @ 4A, 3V	20 MHz
2N6028	1 5500	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif				À 226-3, à 92-3 (à 226aa)					télécharger	Rohs3 conforme			2368-2n6028	EAR99	8541.21.0095	1		11v			40V										300 MW																													600 mV	10 NA	25 µA	150 na
2N5685	9.8000	RFQ	143	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			300 W	To-3	télécharger	Rohs3 conforme			2368-2n5685	EAR99	8541.29.0095	1																																	60 V	50 a	1 mA			NPN	5V @ 10A, 50A	15 @ 25a, 2v	2 MHz
NTE123AP-10	8.8200	RFQ	15	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92	télécharger	Rohs non conforme			2368-nte123ap-10	EAR99	8541.21.0095	1																																	40 V	600 mA	100NA			NPN	750 MV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 1V	250 MHz
NTE2308	9.6300	RFQ	338	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			2,5 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte2308	EAR99	8541.29.0095	1																																	400 V	12 A	10µA (ICBO)			NPN	1V @ 1.6a, 8a	15 @ 1.6a, 5v	20 MHz
NTE2373	7.1500	RFQ	207	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte2373	EAR99	8541.29.0095	1			Canal p			200 V	11a (TC)	10V	500MOHM @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
NTE6054	13.2900	RFQ	17	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Soutien	DO-203AA, DO-5, Stud		Standard		Do-5	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte6054	EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																								200 V		1,25 V @ 20 mA		2 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 190 ° C	70a	-
NTE5405	2.5300	RFQ	78	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				To-92	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte5405	EAR99	8541.30.0000	1				3 mA												400 V	800 mA	800 mV	8a @ 60hz	200 µA	1,7 V	200 µA	Porte sensible
NTE6092	8.0000	RFQ	336	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif			Par le trou	À 247-3		Standard		À 247	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte6092	EAR99	8541.10.0080	1	Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																								60 V		650 mV @ 20 A		100 mA @ 60 V	-65 ° C ~ 250 ° C	20A	-
NTE5077A	0,6000	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			1 W	Do-35	télécharger	Rohs3 conforme			2368-nte5077a	EAR99	8541.10.0050	1																																				18 V	20 ohms
2N4125	0.1360	RFQ	833	NTE Electronics, Inc	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92	télécharger	Rohs non conforme			2368-2n4125	EAR99	8541.21.0095	1																																	30 V	200 mA	50NA (ICBO)			Pnp	400 MV à 5MA, 50mA	50 @ 2MA, 1V	200 MHz