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Produits semi-conduurs discrètes (885)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Current - Rectifié Moyen (IO) | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM21N650T7 | 1,6000 |  | 1597 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM21N650T7 | 8541.10.0080 | 1 800 | Canal n | 650 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 10.5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 1950 PF @ 50 V | - | 200W (TC) | |||||||||||
 | RM2309 | 0,0360 | | 2872 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2309tr | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 30 V | 3.1A (TA) | 4,5 V, 10V | 70MOHM @ 3A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 226 pf @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||
 | RM140N150T2 | 1.5100 | | 2150 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM140N150T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 150 V | 140a (TC) | 10V | 6,2MOHM @ 70A, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 5900 pf @ 75 V | - | 320W (TC) | |||||||||||
 | RM2020ES9 | 0,0550 | | 9570 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RM2020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 150mw (TA), 800mw (TA) | SOT-363-6L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM202SES9TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n et p | 20V | 750mA (TA), 800mA (TA) | 1,2 ohm @ 500mA, 4,5 V, 380MOHM @ 650mA, 4,5 V | 1V @ 250µA, 1,1 V @ 250µA | 0,0018nc @ 10v, 0,75nc @ 4,5 V | 87pf @ 10v, 120pf @ 16v | - | |||||||||||
| RM2309E | 0,0540 | | 4943 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2309etr | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 30 V | - | 4,5 V, 10V | 38MOHM @ 1A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | - | - | ||||||||||||
 | RM30P55LD | 0,3300 | | 9543 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm30p55ldtr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal p | 55 V | 30a (TC) | 10V | 40 mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 3500 pf @ 30 V | - | 65W (TC) | |||||||||||
 | RM3N700S4 | 0 2900 | | 2302 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM3N700S4TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 700 V | 3A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 20V | 225 PF @ 100 V | - | 6.2W (TC) | |||||||||||
 | RM80N30DN | 0 2900 | | 6630 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PPAK (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-rm80n30dntr | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 30 V | 80A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 24A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 3190 PF @ 25 V | - | 66W (TC) | |||||||||||
 | RM150N40DF | 0,5600 | | 3261 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM150N40DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 40 V | 150a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,8MOHM @ 75A, 10V | 2,2 V @ 250µA | ± 20V | 7150 pf @ 20 V | - | 88W (TC) | |||||||||||
 | RM4N650IP | 0,3300 | | 6734 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM4N650IP | 8541.10.0080 | 4 000 | Canal n | 650 V | 4A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 280 pf @ 50 V | - | 46W (TC) | |||||||||||
| RM21N700T2 | 1.3300 | | 4395 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM21N700T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 700 V | 21A (TC) | 10V | 190mohm @ 10.5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | ± 30V | 1950 PF @ 50 V | - | 200W (TC) | |||||||||||
| RM20N150LD | 0,2600 | | 1142 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM20N150LDTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 150 V | 20A (TA) | 10V | 65MOHM @ 10A, 10V | 4,5 V @ 250µA | ± 20V | 600 pf @ 75 V | - | 68W (TA) | |||||||||||
| RM80N20DN | 0,2600 | | 3119 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PPAK (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM80N20DNTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 20 V | 80A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 3,5 mohm @ 15a, 4,5 V | 1V @ 250µA | ± 12V | 5500 pf @ 10 V | - | 66W (TC) | |||||||||||
| RM35N30DN | 0,2500 | | 1173 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN-EP (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM35N30DNTR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 30 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 12a, 10v | 3V à 250µA | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 35W (TC) | |||||||||||
| RM830 | 0 2400 | | 2168 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM830 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 2,5a, 10v | 4V @ 250µA | ± 30V | 900 pf @ 25 V | - | 87,5W (TC) | |||||||||||
| RM50N60T2 | 0 2400 | | 2291 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM50N60T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 2050 PF @ 30 V | - | 85W (TC) | |||||||||||
 | RM5N800TI | 0,6700 | | 6037 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM5N800TI | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 800 V | 5A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2a, 10v | 4,5 V @ 250µA | ± 30V | 1320 pf @ 50 V | - | 32.4W (TC) | |||||||||||
| RMD0A8P20ES9 | 0,0600 | | 7140 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RMD0A8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw (TA) | SOT-363-6L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RMD0A8P20ES9TR | 8541.10.0080 | 30 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 800mA (TA) | 1,2 ohm @ 500mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 0,0018C @ 4,5 V | 87pf @ 10v | - | |||||||||||
| RM120N40T2 | 0,5100 | | 6176 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM120N40T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 5400 pf @ 20 V | - | 130W (TC) | |||||||||||
 | RM10N30D2 | 0,0720 | | 9869 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-pqfn (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM10N30D2TR | 8541.10.0080 | 25 000 | Canal n | 30 V | 10A (TA) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 11A, 10V | 2V à 250µA | ± 20V | 1415 pf @ 15 V | - | 730mw (TA) | |||||||||||
 | RM6602 | 0.1300 | | 9658 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | RM660 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.2W (TA) | TSOT-23-6L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM6602TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n et p | 30V | 3.5A (TA), 2.7A (TA) | 58MOHM @ 3,5A, 10V, 100MOHM @ 2,7A, 10V | 2,2 V @ 250µA, 2,5 V @ 250µA | 5nc @ 10v | 210pf @ 15v, 199pf @ 15v | - | |||||||||||
| RM3401 | 0,0440 | | 3553 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM3401TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 30 V | 4.2a (TA) | 2,5 V, 10V | 55MOHM @ 4.2A, 10V | 1,3 V à 250µA | ± 12V | 880 pf @ 15 V | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
| RM2303 | 0,0450 | | 2195 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2303tr | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 30 V | 2a (ta) | 4,5 V, 10V | 130 mohm @ 2a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 226 pf @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||
 | RM9926 | 0,0840 | | 7144 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | RM99 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W (TA) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM9926TR | 8541.10.0080 | 40 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 6a (ta) | 28MOHM @ 6A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 10nc @ 4,5 V | 640pf @ 10v | - | |||||||||||
| RM150N100T2 | 0,8400 | | 2825 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM150N100T2 | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 100 V | 150a (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 70A, 10V | 4V @ 250µA | + 20V, -12V | 6680 pf @ 50 V | - | 275W (TC) | |||||||||||
| RM24N200TI | 0.4400 | | 3535 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM24N200TI | 8541.10.0080 | 5 000 | Canal n | 220 V | 24a (TA) | 10V | 80MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 4200 PF @ 25 V | - | 45W (TA) | |||||||||||
| RM3404 | 0,0480 | | 3718 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM3404TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal n | 30 V | 5.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 31MOHM @ 5A, 10V | 2,4 V @ 250µA | ± 20V | 255 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
| RM002N30DF | 0,3200 | | 9560 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN (5x6) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM002N30DFTR | 8541.10.0080 | 40 000 | Canal n | 30 V | 85a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,4 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 250µA | ± 20V | 4345 PF @ 15 V | - | 187W (TC) | |||||||||||
| RM2P60S2 | 0,0390 | | 2132 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-RM2P60S2TR | 8541.10.0080 | 30 000 | Canal p | 60 V | 1.9A (TA) | 4,5 V, 10V | 215MOHM @ 1.8A, 10V | 3V à 250µA | ± 20V | 358 pf @ 30 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
 | Db201 | 0,3900 | | 1410 | 0,00000000 | Rectron USA | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-Edip (0,321 ", 8,15 mm) | Standard | Db-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2516-DB201 | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 50 V | 2 A | Monophasé | 50 V |
2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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