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Produits semi-conduurs discrètes (885)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Current - Rectifié Moyen (IO)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)
Rs1002 MLS	0,7800	RFQ	4463	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 SIP, RS-10 MLS			Standard		Rs-10mls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS1002 MLS	EAR99	8541.10.0080	2 000												1.1 V @ 5 A		200 na @ 100 V	10 a									Monophasé	100 V
Rs2504m	1.3500	RFQ	9529	Rectron USA	-	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, Rs-25m			Standard		Rs-25m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS2504M	EAR99	8541.10.0080	1 200												1 V @ 12,5 A		500 na @ 400 V	25 A									Monophasé	400 V
BR31	0,5500	RFQ	6317	Rectron USA	-	Plateau	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4 Carrés, BR-3			Standard		BR-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-BR31	EAR99	8541.10.0080	2 000												1 V @ 1,5 A		5 µA @ 100 V	3 A									Monophasé	100 V
RS804	0,9100	RFQ	4303	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RS-8			Standard		RS-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS804	EAR99	8541.10.0080	1 600												1,2 V @ 8 A		5 µA @ 400 V	8 A									Monophasé	400 V
KBL404	0,5500	RFQ	2294	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, kbl			Standard		Kbl	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-KBL404	EAR99	8541.10.0080	4 600												1.1 V @ 4 A		10 µA @ 400 V	4 A									Monophasé	400 V
4RS202M	0,5200	RFQ	7703	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RS-2M			Standard		Rs-2M	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-4RS202M	EAR99	8541.10.0080	3 600												1.1 V @ 4 A		2 µA @ 100 V	4 A									Monophasé	100 V
DB153	0,3900	RFQ	2950	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins			Standard		Db-s	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-DB153STR	EAR99	8541.10.0080	8 000												1 V @ 1,5 A		1 µA @ 200 V	1,5 A									Monophasé	200 V
Rs407m	0,7800	RFQ	3989	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, rs-4m			Standard		Rs-4m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS407m	EAR99	8541.10.0080	1 800												1.05 V @ 4 A		5 µA à 1000 V	4 A									Monophasé	1 kv
Db103ls	0,3200	RFQ	1029	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4 sous-marins			Standard		Dbls	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-db103lstr	EAR99	8541.10.0080	8 000												1 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	1 a									Monophasé	200 V
RS404L	0,7800	RFQ	2	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, RS-4L			Standard		RS-4L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS404L	EAR99	8541.10.0080	1 500												1.05 V @ 4 A		2 µA @ 400 V	4 A									Monophasé	400 V
Rs2506m	1.3500	RFQ	4762	Rectron USA	-	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	4-sip, Rs-25m			Standard		Rs-25m	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RS2506M	EAR99	8541.10.0080	1 200												1 V @ 12,5 A		500 na @ 800 V	25 A									Monophasé	800 V
RM1A5N30S3AE	0,0390	RFQ	6517	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM1A5N30S3Aetr		8541.10.0080	30 000	Canal n		30 V	1.5A (TA), 1.4A (TC)	2,5 V, 4,5 V	144MOHM @ 1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	± 10V	105 PF @ 15 V	-	400mW (TA), 500 MW (TC)
RM80N60DF	0,5500	RFQ	2083	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM80N60DFTR		8541.10.0080	40 000	Canal n		60 V	80A (TC)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 40A, 10V	2,4 V @ 250µA	± 20V	4000 pf @ 30 V	-	85W (TC)
RM7N600IP	0,5500	RFQ	9307	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM7N600IP		8541.10.0080	4 000	Canal n		600 V	7a (TC)	10V	580MOHM @ 3A, 10V	4V @ 250µA	± 30V	587 pf @ 50 V	-	63W (TC)
RM75N60T2	0,3600	RFQ	9812	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM75N60T2		8541.10.0080	5 000	Canal n		60 V	75A (TC)	10V	11,5MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	± 20V	2350 pf @ 25 V	-	110W (TC)
RM5N700IP	0 4700	RFQ	8989	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM5N700IP		8541.10.0080	4 000	Canal n		700 V	5A (TC)	10V	950mohm @ 2,5a, 10v	3,5 V @ 250µA	± 30V	460 PF @ 50 V	-	49W (TC)
RM5N800LD	0,6900	RFQ	2148	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM5N800LDTR		8541.10.0080	25 000	Canal n		800 V	5A (TC)	10V	1,2 ohm @ 2,5a, 10v	3,5 V @ 250µA	± 30V	680 pf @ 50 V	-	81W (TC)
RM8N700LD	0 4700	RFQ	1520	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-rm8n700ld		8541.10.0080	4 000	Canal n		700 V	8A (TC)	10V	600mohm @ 4a, 10v	4V @ 250µA	± 30V	590 pf @ 50 V	-	69W (TC)
RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM17N800T2		8541.10.0080	5 000	Canal n		800 V	17a (ta)	10V	320 mOhm @ 8,5a, 10v	4V @ 250µA	± 30V	2060 PF @ 50 V	-	260W (TC)
RM1216	0 1200	RFQ	9882	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		6-DFN (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM1216TR		8541.10.0080	25 000	Canal p		12 V	16A (TC)	2,5 V, 4,5 V	18MOHM @ 6.7A, 4,5 V	1V @ 250µA	± 12V	2700 pf @ 10 V	-	18W (TC)
RM5N150S8	0,4000	RFQ	8016	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM5N150S8		8541.10.0080	300	Canal n		150 V	4.6a (TA)	4,5 V, 10V	75MOHM @ 5A, 10V	3V à 250µA	± 20V	625 PF @ 75 V	-	3.1W (TA)
RM50N150DF	0,6400	RFQ	1275	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM50N150DFTR		8541.10.0080	40 000	Canal n		150 V	50A (TC)	10V	19MOHM @ 30A, 10V	4,5 V @ 250µA	± 20V	5200 pf @ 50 V	-	100W (TC)
RM40N200TI	0 7600	RFQ	2452	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM40N200TI		8541.10.0080	5 000	Canal n		200 V	40A (TA)	10V	41MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	± 20V	6500 pf @ 25 V	-	60W (TA)
RM8N700TI	0,6800	RFQ	7906	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-rm8n700ti		8541.10.0080	5 000	Canal n		700 V	8A (TJ)	10V	600mohm @ 4a, 10v	3,5 V @ 250µA	± 30V	680 pf @ 50 V	-	31.7W (TC)
RM2N650IP	0,3000	RFQ	7388	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-251-3 Stub Leads, ipak			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM2N650IP		8541.10.0080	40 000	Canal n		650 V	2A (TC)	10V	2,5 ohm @ 1a, 10v	3,5 V @ 250µA	± 30V	190 pf @ 50 V	-	23W (TC)
RM3400	0,4100	RFQ	7462	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM3400TR		8541.10.0080	30 000	Canal n		30 V	5.8A (TA)	2,5 V, 10V	41MOHM @ 5.8A, 10V	1,4 V @ 250µA	± 12V	820 pf @ 15 V	-	1.4W (TA)
RM130N200T7	4.3000	RFQ	8471	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM130N200T7		8541.10.0080	1 800	Canal n		200 V	132a (TC)	10V	10,9MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	± 20V	4970 PF @ 100 V	-	429W (TC)
RM2312	0,0440	RFQ	5226	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM2312TR		8541.10.0080	30 000	Canal n		20 V	4.5a (TA)	1,8 V, 4,5 V	33MOHM @ 4,5A, 4,5 V	1,2 V à 250µA	± 12V	500 pf @ 8 V	-	1.25W (TA)
RM40N600T7	1.3200	RFQ	1226	Rectron USA	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	RM40N	Standard		306 W	À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM40N600T7		8541.10.0080	300		400V, 40A, 10 ohms, 15v											151 ns			Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A	160 A	2V @ 15V, 40A	1,12MJ (ON), 610µJ (OFF)	149 NC	21NS / 203NS
RM130N100HD	0,7000	RFQ	4397	Rectron USA	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	2516-RM130N100HDTR		8541.10.0080	8 000	Canal n		100 V	130a (TC)	10V	5,5 mohm @ 50a, 10v	4V @ 250µA	± 20V	4570 pf @ 25 V	-	120W (TC)