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Produits semi-conduurs discrètes (455)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HER101T / R | 0,0500 |  | 15 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-HER101T / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
 | 1N5241BT / R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5241BT / RTR | 8541.10.0000 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 2 µA @ 8,4 V | 11 V | 22 ohms | ||||||||||||
 | Her302bulk | 0 2400 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-Her302bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
| 1N5402T / R | 0,0800 | | 21 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5402T / RTR | 8541.10.0000 | 1250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
| 1N4731abulk | 0.1300 | | 12 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1n4731abulk | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohms | ||||||||||||
| AR2502 | 0,2800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | Automobile | Sac | Actif | Support de surface | Bouton Microde | Standard | Bouton Microde | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-AR2502 | 8541.10.0000 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 25 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||||
| 1N4753AT / R | 0,0600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4753AT / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 27,4 V | 36 V | 50 ohms | ||||||||||||
| 1N4751A | 0,1800 | | 29 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4751A | 8541.10.0000 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 22,8 V | 30 V | 40 ohms | ||||||||||||
| En vrac 1N5400 | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5400 | 8541.10.0000 | 500 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
| 1N5243BT / R | 0,0400 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5243BT / RTR | 8541.10.0000 | 10 000 | 1,1 V @ 200 mA | 500 na @ 9,9 V | 13 V | 13 ohms | ||||||||||||
| 1N4738 | 0,0500 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4738TR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5359A | 0.1330 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n5359atr | 8541.10.0000 | 3 000 | 1,2 V @ 1 A | 500 na @ 17,3 V | 24 V | 3,5 ohms | ||||||||||||
| 1N4728abulk | 0,1500 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1n4728abulk | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3,3 V | 10 ohms | ||||||||||||
| 1N4738abulk | 0,1800 | | 3 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4738abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5400T / R | 0,0900 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5400T / RTR | 8541.10.0000 | 1250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
| 1N5253BBULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5253BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 100 na @ 19 V | 25 V | 35 ohms | ||||||||||||
| 1N5238BBULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5238BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6,5 V | 8.7 V | 8 ohms | ||||||||||||
| 1N5395T / R | 0,0400 | | 35 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5395T / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1,5 A | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4v, 1mhz | |||||||||||
| 1N4738AT / R | 0,0500 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4738at / r | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4,5 ohms | ||||||||||||
| 1N5233BBULK | 0,1800 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5233BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA à 3,5 V | 6 V | 7 ohms | ||||||||||||
| 1N4750AT / R | 0,0600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N4750AT / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 20,6 V | 27 V | 35 ohms | ||||||||||||
| 1N4749bulk | 0,1800 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n4749bulk | 8541.10.0000 | 1 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 18,2 V | 24 V | 25 ohms | ||||||||||||
| FR305Bulk | 0,2100 | | 7 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-FR305bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| KBL404 | 1.1300 | | 500 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbl | Standard | Kbl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-KBL404 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 400 V | 4 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||
| BR3504W | 2.5900 | | 600 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-50W | Standard | BR-50W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR3504W | 8541.10.0000 | 40 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA @ 400 V | 35 A | Monophasé | 400 V | ||||||||||||
| 1N757AT / R | 0,0300 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N757AT / RTR | 8541.10.0000 | 10 000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 na @ 1 V | 9.1 V | 10 ohms | ||||||||||||
| BR3500 | 2.6600 | | 500 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR3500 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA @ 50 V | 35 A | Monophasé | 50 V | ||||||||||||
| BR2502 | 2.6300 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR2502 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||
| BR1006 | 0,9800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-10 | BR1006 | Standard | BR-10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR1006 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 10 a | Monophasé | 600 V | |||||||||||
| FBR5006 | 4.4000 | | 599 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-FBR5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1,3 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 50 a | Monophasé | 600 V |
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