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Produits semi-conduurs discrètes (455)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | HTSUS | Norme de package | Vitre | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR3500 | 2.6600 |  | 500 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR3500 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 10 µA @ 50 V | 35 A | Monophasé | 50 V | ||||||||||||
| BR2502 | 2.6300 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR2502 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||||
| BR1006 | 0,9800 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-10 | BR1006 | Standard | BR-10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR1006 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 10 a | Monophasé | 600 V | |||||||||||
| FBR5006 | 4.4000 | | 599 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-FBR5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1,3 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 50 a | Monophasé | 600 V | ||||||||||||
| BR2501 | 2.7400 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR2501 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA à 100 V | 25 A | Monophasé | 100 V | ||||||||||||
| RBV1508 | 1,6000 | | 800 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1508 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Monophasé | 800 V | |||||||||||
| RBV1502 | 1.5100 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1502 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Monophasé | 200 V | |||||||||||
| RBV1504 | 1 9000 | | 600 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV1504 | 8541.10.0000 | 100 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Monophasé | 400 V | |||||||||||
| RBV5006 | 3 0000 | | 400 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV5006 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 50 a | Monophasé | 600 V | |||||||||||
| RBV806 | 1.2500 | | 100 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV806 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 600 V | 8 A | Monophasé | 600 V | |||||||||||
| RBV5004 | 3 0000 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV5004 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 400 V | 50 a | Monophasé | 400 V | |||||||||||
| RBV802 | 1.1500 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, RBV-25 | Standard | RBV-25 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-RBV802 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | 8 A | Monophasé | 200 V | |||||||||||
| SML4728-T / R | 0,0900 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1 W | Sma | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-SML4728-T / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3,3 V | 10 ohms | |||||||||||
| 1N5359b | 0,1150 | | 6 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n5359btr | 8541.10.0000 | 3 000 | 1,2 V @ 1 A | 500 na @ 18,2 V | 24 V | 3,5 ohms | ||||||||||||
| Z1200-T / R | 0,0400 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-Z1200-T / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA @ 152 V | 200 V | 1900 ohms | |||||||||||
| 1N5338A | 0,4100 | | 9 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5338A | 8541.10.0000 | 3 000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 1,5 ohms | ||||||||||||
| Her107bulk | 0 2400 | | 15 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-Her107bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
 | 1N749abulk | 0,2100 | | 4 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1n749abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohms | ||||||||||||
| Kbl410 | 1.2300 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbl | Standard | Kbl | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-KBL410 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA à 1000 V | 4 A | Monophasé | 1 kv | |||||||||||
| FR103T / R | 0,0400 | | 35 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-FR103T / RTR | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
| BR1500 | 2.3400 | | 700 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 4 Carrés, BR-50 | Standard | BR-50 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR1500 | 8541.10.0000 | 50 | 1,1 V @ 7,5 A | 10 µA @ 50 V | 15 A | Monophasé | 50 V | ||||||||||||
| BR804 | 0,9200 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-10 | Standard | BR-10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR804 | 8541.10.0000 | 200 | 1 V @ 4 A | 10 µA @ 400 V | 8 A | Monophasé | 400 V | ||||||||||||
| SK15 | 0,1600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | Schottky | SMA (DO-214AC) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-sk15tr | 8541.10.0000 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
| BR1001 | 0,9500 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-10 | BR1001 | Standard | BR-10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR1001 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 V @ 5 A | 10 µA à 100 V | 10 a | Monophasé | 100 V | |||||||||||
 | Her305bulk | 0,2600 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-Her305bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
| BR1002 | 0,9400 | | 1 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, BR-10 | BR1002 | Standard | BR-10 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-BR1002 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | 10 a | Monophasé | 200 V | |||||||||||
| FR303bulk | 0,2100 | | 5 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-201D, axial | Standard | Do-201Dad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-FR303bulk | 8541.10.0000 | 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N5362BT / R | 0,1100 | | 10 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AC, DO-15, axial | 5 W | Do-15 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5362BT / RTR | 8541.10.0000 | 3 000 | 1,2 V @ 1 A | 500 na @ 21,2 V | 28 V | 6 ohms | ||||||||||||
| 1N5247Bbulk | 0,1800 | | 2 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Do-35 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 2439-1N5247BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1,1 V @ 200 mA | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohms | ||||||||||||
| 1N4006bulk | 0.1300 | | 48 | 0,00000000 | EIC Semiconductor inc. | - | Sac | Actif | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | Standard | DO-41 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2439-1n4006bulk | 1 000 | Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4v, 1mhz |
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