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Produits semi-conduurs discrètes (5680)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Silhouette	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - test
UPA2384T1P-E1-A	-	RFQ	9994	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-	-	-	UPA2384		-	-	-	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	5 000	-								-	-		-	-	-		-	-
NP179N04TUK-E1-AY	6.9400	RFQ	2736	Renesas Electronics America Inc	Automobile, AEC-Q101	Bande	Actif		175 ° C	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n						40 V	180a (TC)	10V	1,25 mohm @ 90a, 10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	± 20V	13350 pf @ 25 V	-	1.8W (TA), 288W (TC)
N0436N-ZK-E1-AY	2.6000	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						40 V	56A (TA)	10V	4,7MOHM @ 28A, 10V	4V @ 1MA	62 NC @ 10 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	1W (TA), 87.4W (TC)
RJK03B9DPA-00 # J5A	0,5100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WPAK	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						30 V	30A (TA)		10,6MOHM @ 15A, 10V	-	7,4 NC @ 4,5 V		1110 PF @ 10 V	-	25W (TC)
UPA1820GR-9JG-E1-A	0,7000	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète			Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-TSSOP	-	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						20 V	12A (TA)		8,6MOHM @ 6A, 4,5 V	1,5 V @ 1MA	27 NC @ 4 V		2020 PF @ 10 V	-
Hat2199r-el-e	0,8500	RFQ	25	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						30 V	11a (ta)		16,5 mohm @ 5.5a, 10v	-	7,5 NC @ 4,5 V		1060 pf @ 10 V	-	2W (ta)
RKD700KL # R1	0,1000	RFQ	6483	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète			Support de surface	2 mm, plomb plat	RKD700		Schottky		2-EFP	-	Non applicable				EAR99	0000.00.0000	277		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																											30 V	430 mV @ 10 mA	1 µA @ 30 V	125 ° C (max)	50m	2,8pf @ 1v, 1MHz
UPA2810T1L-E1-AY	1.0100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN3333 (3.3x3.3)	-	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p						30 V	13a (ta)		12MOHM @ 13A, 10V	2,5 V @ 1MA	40 NC @ 10 V		1860 PF @ 10 V	-	1.5W (TA)
RJK03B9DPA-00 # J53	0,5100	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WPAK	-	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						30 V	30A (TA)		10,6MOHM @ 15A, 10V	-	7,4 NC @ 4,5 V		1110 PF @ 10 V	-	25W (TC)
NP82N04MLG-S18-AY	2.3500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Obsolète		175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	900			Canal n						40 V	82A (TC)		4.2MOHM @ 41A, 10V	2,5 V @ 250µA	150 NC @ 10 V		9 pf @ 25 V	-	1.8W (TA), 143W (TC)
RJK1002DPN-A0 # T2	3.2838	RFQ	3531	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Acheter la Dernière		150 ° C	Par le trou	À 220-3	RJK1002		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220aba	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n						100 V	70A (TA)	10V	7,6MOHM @ 35A, 10V	4V @ 1MA	94 NC @ 10 V	± 20V	6450 pf @ 10 V	-	150W (TA)
NE3503M04-T2-A	0 7600	RFQ	29	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète	4 V			SOT-343F		12 GHz	Hfet		M04	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000				70mA		10 mA	-	12 dB																				0,45 dB							2 V
UPA652TT-E1-A	0 2400	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète			Support de surface	6 mm, plombes plombes			MOSFET (Oxyde Métallique)		6 WSOF	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal p						20 V	2a (ta)		294MOHM @ 1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	1.1 NC @ 4 V		126 pf @ 10 V	-
CR03AM-16A-A # BD0	-	RFQ	7913	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	CR03AM-16				To-92	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	559-CR03AM-16A-A # BD0	EAR99	8541.30.0080	1					3 mA														800 V	470 Ma	800 mV	20A @ 60Hz	30 µA	1,8 V	300 mA	100 µA	Norme de rénovation
CR08AS-12-AT14 # F10	-	RFQ	5708	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa					Upak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		559-CR08AS-2-AT14 # F10	EAR99	8541.30.0080	1					3 mA														600 V	1,26 A	800 mV	10a @ 60hz	100 µA	1,5 V	800 mA	500 µA	Norme de rénovation
RJK1001DPP-A0 # T2	6.7400	RFQ	5871	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Actif		150 ° C	Par le trou	À 220-3	RJK1001		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220aba	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			Canal n						100 V	80A (TA)	10V	5,5 mohm @ 40a, 10v	4V @ 1MA	147 NC @ 10 V	± 20V	10000 pf @ 10 V	-	30W (TA)
CR04AM-12A # BD0	-	RFQ	6950	Renesas Electronics America Inc	-	Tube	Actif		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	CR04AM-12				To-92	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	559-CR04AM-12A # BD0	EAR99	8541.30.0080	1					3 mA														600 V	630 mA	800 mV	10a @ 60hz	50 µA	1,2 V	400 mA	500 µA	Norme de rénovation
2SK3634-Z-E1-AZ	1 0000	RFQ	5005	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète			Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252 (MP-3Z)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n						200 V	6A (TC)		600mohm @ 3a, 10v	4,5 V @ 1MA	9 NC @ 10 V		270 pf @ 10 V	-
NE3515S02-T1D-A	0,6700	RFQ	654	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète	4 V			4 mm, plombes plombes		12 GHz	Hfet		S02	télécharger	Non applicable				EAR99	8541.21.0075	2 000				88m		10 mA	14 dbm	12,5 dB																				0,3 dB							2 V
UPA2751GR-E1-AT	0,9700	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète			Support de surface	8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	UPA2751		MOSFET (Oxyde Métallique)	2W	8 PSOP	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)								30V	9a, 8a		15,5 mohm @ 4.5a, 10v	2,5 V @ 1MA	21nc @ 10v		1040pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
NE3521M04-T2-A	0,2100	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète	4 V			4 mm, plombes plombes		20 GHz	Gaas HJ-Fet			télécharger	Non applicable				EAR99	8541.21.0075	3 000	Canal n			70mA		6 mA	-	11db																				0,85 dB							2 V
RJK0368DPA-00 # J0	0.4400	RFQ	61	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WPAK	-	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						30 V	20A (TA)		14.3MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 1MA	6,2 NC @ 4,5 V		730 pf @ 10 V	-	25W (TC)
NE3503M04-T2B-A	0 7600	RFQ	163	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète	4 V			4 mm, plombes plombes		12 GHz	Hfet		M04	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000				70mA		10 mA	-	12 dB																				0,45 dB							2 V
RJK0348DSP-00 # J0	0,8200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOP	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						30 V	22a (ta)		3,4MOHM @ 11A, 10V	-	34 NC @ 4,5 V		5100 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
RJK03E3DNS-00 # J5	-	RFQ	1777	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-Hwson (3.3x3.3)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal n						30 V	14A (TA)		11.6MOHM @ 7A, 10V	-	5,7 NC @ 4,5 V		1050 pf @ 10 V	-	10W (TC)
UPA2802T1L-E2-AY	1.2900	RFQ	210	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète			Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-DFN3333 (3.3x3.3)	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						20 V	18A (TA)		5,8MOHM @ 18A, 10V	2,5 V @ 1MA	16 NC @ 5 V		1800 pf @ 10 V	-
UPA1793G-E1-AT	0,6000	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète			Support de surface	8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	UPA1793		MOSFET (Oxyde Métallique)	2W	8 PSOP	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n et p								20V	3A		69MOHM @ 1,5A, 4,5 V	1,5 V @ 1MA	3.1NC @ 4V		160pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
RJK03B7DPA-00 # J53	0,5500	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		-	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WPAK	-	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						30 V	30A (TA)		7,8MOHM @ 15A, 10V	-	11 NC @ 4,5 V		1670 PF @ 10 V	-	30W (TC)
RJK0379DPA-00 # J5A	1.4800	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 8-WFDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WPAK	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n						30 V	50A (TA)		2,3MOHM @ 25A, 10V	-	37 NC @ 4,5 V		5150 pf @ 10 V	-	55W (TC)
2SK3814-AZ	1.5200	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 251	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						60 V	60a (TC)		8,7MOHM @ 30A, 10V	-	95 NC @ 10 V		5450 PF @ 10 V	-	1W (TA), 84W (TC)