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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | RB088T100NZC9 | 2.4100 | ![]() | 993 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | Par le trou | À 220-3 EXCHET | RB088 | Schottky | À 220fn | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RB088T100NZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 10A | 870 MV @ 5 A | 5 µA @ 100 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3L60ADDTE25 | 0,6600 | ![]() | 662 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | DO-214AC, SMA | RBR3L60 | Schottky | PME | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 660 mV @ 3 a | 100 µA @ 60 V | 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs6g120bgtb1 | 3,5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Rs6g | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RS6G120BGTB1DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 120A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,34MOHM @ 90A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 4240 PF @ 20 V | - | 104W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E100BNTB1 | 1.0700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3E100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 10A (TA), 21A (TC) | 4,5 V, 10V | 10,4MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rxl035n03tcr | 0,7800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 mm, plombes plombes | Rxl035 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Tumt6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 3.5A (TA) | 4V, 10V | 50 mohm @ 3,5a, 10v | 2,5 V @ 1MA | 3,3 NC @ 5 V | ± 20V | 180 pf @ 10 V | - | 910mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E070BNTB1 | 0,9300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | RQ3E070 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-HSMT (3.2x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 7a (Ta), 15A (TC) | 4,5 V, 10V | 27MOHM @ 7A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 8,9 NC @ 10 V | ± 20V | 410 PF @ 15 V | - | 2W (TA), 13W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TK65GVC11 | 5.4100 | ![]() | 1287 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-3pfm, sc-93-3 | RGW40 | Standard | 61 W | À 3pfm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGW40TK65GVC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 27 A | 80 A | 1,9 V @ 15V, 20A | 330 µJ (ON), 300µJ (OFF) | 59 NC | 33ns / 76ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH60TS65GC13 | 5.2100 | ![]() | 8180 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGTH60 | Standard | 194 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGTH60TS65GC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30A, 10OHM, 15V | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 58 A | 120 A | 2.1V @ 15V, 30A | - | 58 NC | 27NS / 105NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TK65DGVC11 | 6.3500 | ![]() | 3728 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-3pfm, sc-93-3 | RGW40 | Standard | 61 W | À 3pfm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGW40TK65DGVC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 10OHM, 15V | 92 ns | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 27 A | 80 A | 1,9 V @ 15V, 20A | - | 59 NC | 33ns / 76ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
RXH090N03TB1 | 1.4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | RXH090 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 9a (ta) | 4V, 10V | 17MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 6,8 NC @ 5 V | ± 20V | 440 pf @ 10 V | - | 2W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
RXH100N03TB1 | 1.5300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | RXH100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 10A (TA) | 4V, 10V | 13MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 11 NC @ 5 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 2W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Da228wmtl | 0.4400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | SC-89, SOT-490 | DA228 | Standard | EMD3F | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | Connexion de la Séririe 1 paire | 80 V | 100 mA | 1,2 V @ 100 mA | 100 na @ 80 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RW4E045AJTCL1 | 1.1000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 powerufdfn | RW4E045 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN1616-7T | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 40 mohm @ 4.5a, 4,5 V | 1,5 V @ 1MA | 4 NC @ 4,5 V | ± 12V | 450 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6J3TCR1 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-Powerudfn | UT6J3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (ta) | Dfn2020-8d | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 3a (ta) | 85MOHM @ 3A, 4,5 V | 1v @ 1MA | 8.5nc @ 4,5 V | 2000pf @ 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ufzvte-1722b | 0,3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2,69% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 500 MW | Umd2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 200 na @ 17 V | 21,35 V | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ufzvte-174.7b | 0,3900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2,78% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 500 MW | Umd2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068VWM-60TR | 0,5000 | ![]() | 5928 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | RB068 | Schottky | Pmde | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 840 MV @ 2 A | 500 na @ 60 V | 175 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168VWM-60TFTR | 0,5700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | RB168 | Schottky | Pmde | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 760 mV @ 1 a | 500 na @ 60 V | 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068VWM-40TFTR | 0,5800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | RB068 | Schottky | Pmde | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 790 MV @ 2 A | 500 na @ 40 V | 175 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168VWM100TFTR | 0,5600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | RB168 | Schottky | Pmde | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 840 mV @ 1 a | 300 na @ 100 V | 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068VWM150TFTR | 0,5900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | RB068 | Schottky | Pmde | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 150 V | 960 MV @ 2 A | 1 µA à 150 V | 175 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sct4026dec11 | 22.3100 | ![]() | 450 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | SCT4026 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-SCT4026Dec11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 750 V | 56a (TC) | 18V | 34MOHM @ 29A, 18V | 4,8 V @ 15,4mA | 94 NC @ 18 V | + 21V, -4V | 2320 pf @ 500 V | - | 176W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4062KEC11 | 15.2400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | SCT4062 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-SCT4062KEC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 1200 V | 26A (TC) | 18V | 81MOHM @ 12A, 18V | 4,8 V @ 6 45mA | 64 NC @ 18 V | + 21V, -4V | 1498 PF @ 800 V | - | 115W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068VWM-30TFTR | 0,5800 | ![]() | 3361 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 2 mm, plomb plat | RB068 | Schottky | Pmde | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 750 MV @ 2 A | 600 na @ 30 V | 175 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMH25NTN | 0,3600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH25 | 150mw | Umt6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50v | 100 mA | 500NA | 2 npn - Pré-biaisé (double) | 300 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3017ALGC11 | 116.8400 | ![]() | 3059 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | SCT3017 | Sicfet (carbure de silicium) | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-SCT3017ALGC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 650 V | 118A (TC) | 18V | 22.1MOHM @ 47A, 18V | 5.6V @ 23,5mA | 172 NC @ 18 V | + 22V, -4V | 2884 pf @ 500 V | - | 427W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS00TS65EHRC11 | 9.6400 | ![]() | 7821 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | RGS00 | Standard | 326 W | À 247n | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-RGS00TS65EHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15V | 113 NS | Arête du Champ de Tranché | 650 V | 88 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | - | 58 NC | 36ns / 115ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ufzvte-179.1b | 0,3900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2,66% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 500 MW | Umd2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 500 na @ 6 V | 8.87 V | 8 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umz30nt106 | 0,5300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 2,5% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | Umz30 | 200 MW | Umd3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1 paire Commune d'anode | 100 na @ 23 V | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6077VNZ4C13 | 14.2100 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Rohm | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | R6077 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 846-R6077VNZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 600 V | 77a (TC) | 10v, 15v | 51MOHM @ 23A, 15V | 6,5 V @ 1,9mA | 108 NC @ 10 V | ± 30V | 5200 pf @ 100 V | - | 781W (TC) |
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