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Produits semi-conduurs discrètes (471)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Drain de Courant (ID) - Max
CSD25301W1015	-	RFQ	7649	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-ufbga, dsbga	CSD2530	MOSFET (Oxyde Métallique)		6-DSBGA (1x1,5)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p	20 V	2.2a (TC)	1,5 V, 4,5 V	75MOHM @ 1A, 4,5 V	1V @ 250µA	2,5 NC @ 4,5 V	± 8v	270 pf @ 10 V	-	1.5W (TA)
CSD19534KCS	1.5900	RFQ	545	Texas Instruments	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3	CSD19534	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	100 V	100A (TA)	6v, 10v	16,5MOHM @ 30A, 10V	3,4 V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	± 20V	1670 PF @ 50 V	-	118W (TC)
CSD19538Q2	0,5600	RFQ	3329	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN	CSD19538	MOSFET (Oxyde Métallique)		6-WSON (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n	100 V	14.4A (TA)	6v, 10v	59MOHM @ 5A, 10V	3,8 V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	± 20V	454 pf @ 50 V	-	2.5W (TA), 20.2W (TC)
CSD22204W	0,6500	RFQ	3	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	9-ufbga, dsbga	CSD22204	MOSFET (Oxyde Métallique)		9-DSBGA	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p	8 V	5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	9.9MOHM @ 2A, 4,5 V	950 mV à 250µA	24,6 NC @ 4,5 V	-6v	1130 pf @ 4 V	-	1.7W (TA)
CSD87381P	0,9400	RFQ	16	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	5-LGA	CSD87381	MOSFET (Oxyde Métallique)	4W	5-Ptab (3x2,5)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 N-Canal (Demi-pont)			30V	15A		16.3MOHM @ 8A, 8V	1,9 V à 250µA	5nc @ 4,5 V		564pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
CSD87384M	1.7800	RFQ	239	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	5-LGA	CSD87384	MOSFET (Oxyde Métallique)	8W	5-Ptab (5x3,5)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 N-Canal (Demi-pont)			30V	30A		7,7MOHM @ 25A, 8V	1,9 V à 250µA	9.2nc @ 4,5 V		1150pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
CSD17308Q3T	1.0100	RFQ	830	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	CSD17308	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSON-CLIP (3,3x3.3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	250			Canal n	30 V	14A (TA), 44A (TC)	3v, 8v	10.3MOHM @ 10A, 8V	1,8 V à 250µA	5.1 NC @ 4,5 V	+ 10v, -8V	700 pf @ 15 V	-	2.7W (TA), 28W (TC)
CSD19506KTT	5.3300	RFQ	126	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa	CSD19506	MOSFET (Oxyde Métallique)		DDPAK / TO-263-3	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500			Canal n	80 V	200A (TA)	6v, 10v	2,3MOHM @ 100A, 10V	3,2 V @ 250µA	156 NC @ 10 V	± 20V	12200 pf @ 40 V	-	375W (TC)
UC1610J	7.3500	RFQ	76	Texas Instruments	*	En gros	Actif								télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.10.0080	1
TPIC1502DW	-	RFQ	1602	Texas Instruments	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	24-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	TPIC15	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.86W	24 cols	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000	-			20V	1.5a		300 MOHM @ 1,5A, 10V	2.2v @ 1MA	2.1nc @ 10v		98pf @ 14v	Porte de Niveau Logique
CSD17579Q3AT	1.2200	RFQ	5	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	CSD17579	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSONP (3x3.3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	250			Canal n	30 V	20A (TA)	4,5 V, 10V	10.2MOHM @ 8A, 10V	1,9 V à 250µA	15 NC @ 10 V	± 20V	998 PF @ 15 V	-	3.2W (TA), 29W (TC)
CSD19503KCS	1.7300	RFQ	1377	Texas Instruments	NEXFET ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3	CSD19503	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n	80 V	100A (TA)	6v, 10v	9.2MOHM @ 60A, 10V	3,4 V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 20V	2730 PF @ 40 V	-	188W (TC)
CSD17559Q5	2.9500	RFQ	3	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	CSD17559	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSON-CLIP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	30 V	40a (TA), 100A (TC)	4,5 V, 10V	1,15MOHM @ 40A, 10V	1,7 V @ 250µA	51 NC @ 4,5 V	± 20V	9200 pf @ 15 V	-	3.2W (TA), 96W (TC)
JFE2140DR	4.4800	RFQ	1	Texas Instruments	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	JFE2140			8-SOIC	télécharger	Non applicable	2 (1 AN)			EAR99	8541.29.0095	2 500			2 Canaux N (double)	40 V							13pf @ 5v												40 V	1,5 V @ 0,1 µA						50 mA
CSD87503Q3ET	1.7500	RFQ	7	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	CSD87503	MOSFET (Oxyde Métallique)	15.6W	8-VSON (3.3x3.3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	250	2 Canaux N (double) couronne source			30V	10A (TA)		-	2,1 V @ 250µA	17.4nc @ 4,5 V		1020pf @ 15v	-
CSD17522Q5A	1.2100	RFQ	14	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	CSD17522	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSONP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	30 V	87a (TC)	4,5 V, 10V	8.1MOHM @ 14A, 10V	2V à 250µA	4.3 NC @ 4,5 V	± 20V	695 PF @ 15 V	-	3W (TA)
CSD25480F3	0 4600	RFQ	11	Texas Instruments	FEMTOFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3-xfdfn	CSD25480	MOSFET (Oxyde Métallique)		3-Picostar	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal p	20 V	1.7A (TA)	1,8 V, 8V	132MOHM @ 400mA, 8V	1,2 V à 250µA	0,91 NC à 4,5 V	-12v	155 pf @ 10 V	-	500mw (TA)
Uln2803an-p	-	RFQ	1762	Texas Instruments	*	En gros	Actif				ULN2803				télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-ULN2803AN-P-296			1
SN75468DE4	-	RFQ	4930	Texas Instruments	Automobile, AEC-Q100	Tube	Abandonné à sic	150 ° C (TJ)	Support de surface	16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	75468		-	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	40																					100V	500mA			-	7 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	-	-
CSD19532Q5B	2.6400	RFQ	9	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	CSD19532	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSON-CLIP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	100 V	100A (TA)	6v, 10v	4,9MOHM @ 17A, 10V	3,2 V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 20V	4810 PF @ 50 V	-	3.1W (TA), 195W (TC)
CSD25404Q3T	1.3800	RFQ	9	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	CSD25404	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSONP (3x3.15)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	250			Canal p	20 V	104A (TC)	1,8 V, 4,5 V	6,5 mohm @ 10a, 4,5 V	1,15 V @ 250µA	14.1 NC @ 4,5 V	± 12V	2120 PF @ 10 V	-	2.8W (TA), 96W (TC)
CSD87330Q3D	1.5600	RFQ	33	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerLDFN	CSD87330	MOSFET (Oxyde Métallique)	6W	8 Lans (3,3x3,3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500	2 N-Canal (Demi-pont)			30V	20A		-	2,1 V @ 250µA	5.8nc @ 4,5 V		900pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
CSD23381F4T	0,9400	RFQ	18	Texas Instruments	FEMTOFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3-xfdfn	CSD23381	MOSFET (Oxyde Métallique)		3-Picostar	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	250			Canal p	12 V	2.3A (TA)	1,8 V, 4,5 V	175MOHM @ 500mA, 4,5 V	1,2 V à 250µA	1.14 NC @ 6 V	-8v	236 pf @ 6 V	-	500mw (TA)
CSD17577Q5A	0,8200	RFQ	8	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	CSD17577	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSONP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	30 V	60a (TA)	4,5 V, 10V	4.2MOHM @ 18A, 10V	1,8 V à 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2310 PF @ 15 V	-	3W (TA), 53W (TC)
CSD18540Q5B	2.6700	RFQ	3	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	CSD18540	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-VSON-CLIP (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n	60 V	100A (TA)	4,5 V, 10V	2,2MOHM @ 28A, 10V	2,3 V @ 250µA	53 NC @ 10 V	± 20V	4230 pf @ 30 V	-	3.1W (TA), 195W (TC)
CSD18536KTT	4.8700	RFQ	3392	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa	CSD18536	MOSFET (Oxyde Métallique)		DDPAK / TO-263-3	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500			Canal n	60 V	200A (TA)	4,5 V, 10V	1,6 mohm @ 100a, 10v	2,2 V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 20V	11430 pf @ 30 V	-	375W (TC)
UC3611n	6.9300	RFQ	294	Texas Instruments	-	Tube	Actif		À Travers Le Trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	UC3611	Schottky		8 PDI	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)												4 indépendants	50 V	3A (DC)	1,2 V @ 1 A	20 ns	100 µA @ 40 V	-0 ° C ~ 70 ° C
CSD87501LT	1.2000	RFQ	2	Texas Instruments	NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	10-xflga	CSD87501	MOSFET (Oxyde Métallique)	2,5 W	10-Picostar (3 37x1,47)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	250	2 Canaux N (double) draine commun			-	-		-	2,3 V @ 250µA	40nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
LM395T / Elli326	-	RFQ	1615	Texas Instruments	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 125 ° C (TA)	À Travers Le Trou	À 220-3	LM395			À 220-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		296-LM395T / Elli326			1																					36 V				-	-	-	-	-
CSD17313Q2Q1	0 7600	RFQ	6	Texas Instruments	Automotive, AEC-Q100, NEXFET ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN	CSD17313	MOSFET (Oxyde Métallique)		6-WSON (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n	30 V	5A (TC)	3v, 8v	30MOHM @ 4A, 8V	1,8 V à 250µA	2,7 NC @ 4,5 V	+ 10v, -8V	340 pf @ 15 V	-	2.3W (TA)