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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CSD17575Q3T | 1.3500 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17575 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 2,3MOHM @ 25A, 10V | 1,8 V à 250µA | 30 NC @ 4,5 V | ± 20V | 4420 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 108W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD18533Q5AT | 1.6200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 17A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,9MOHM @ 18A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2750 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD19538Q2T | 1.1100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD19538 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 100 V | 13.1a (TC) | 6v, 10v | 59MOHM @ 5A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 20.2W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD87355Q5D | 2.6600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87355Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | - | - | 1,9 V à 250µA | 13.7nc @ 4,5 V | 1860pf @ 15v | - | ||||||||||||
![]() | CSD87330Q3DT | - | ![]() | 6172 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87330 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6W (TA) | 8 Lans (3,3x3,3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 296-CSD87330Q3DT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 20A (TA) | 9.45MOHM @ 15A, 5V, 3,6MOHM @ 15A, 5V | 2,1 V @ 250µA, 1,15 V @ 250µA | 5.8nc @ 4.5v, 11,5nc @ 4,5 V | 900pf @ 15v, 1632pf @ 15v | Standard | ||||||||||||
![]() | CSD25301W1015 | - | ![]() | 7649 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD2530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2.2a (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 75MOHM @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 270 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||
CSD19534KCS | 1.5900 | ![]() | 545 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD19534 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 16,5MOHM @ 30A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 22.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1670 PF @ 50 V | - | 118W (TC) | |||||||||||
![]() | CSD18540Q5B | 2.6700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 28A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 4230 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD19538Q2 | 0,5600 | ![]() | 3329 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD19538 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 14.4A (TA) | 6v, 10v | 59MOHM @ 5A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 20.2W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD22204W | 0,6500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD22204 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 9.9MOHM @ 2A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 24,6 NC @ 4,5 V | -6v | 1130 pf @ 4 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD17483F4T | 0,9400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD17483 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 1.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 240mohm @ 500mA, 8v | 1,1 V @ 250µA | 1,3 NC @ 4,5 V | 12V | 190 pf @ 15 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
![]() | CSD16406Q3 | 1.1700 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16406 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 19A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,3MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 8.1 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 1100 pf @ 12,5 V | - | 2.7W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD17305Q5A | 0,6663 | ![]() | 4357 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17305 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 29A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 3,4MOHM @ 30A, 8V | 1,6 V @ 250µA | 18,3 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 2600 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
CSD87381P | 0,9400 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 5-LGA | CSD87381 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4W | 5-Ptab (3x2,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 15A | 16.3MOHM @ 8A, 8V | 1,9 V à 250µA | 5nc @ 4,5 V | 564pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
![]() | CSD13383F4T | 0,9100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD13383F4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 2.9A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 44MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,25 V @ 250µA | 2,6 NC @ 4,5 V | ± 10V | 291 PF @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
![]() | CSD87352Q5D | 1.8500 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87352Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8,5 W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 25A | - | 1,15 V @ 250µA | 12.5nc @ 4,5 V | 1800pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
![]() | CSD87384M | 1.7800 | ![]() | 239 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 5-LGA | CSD87384 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8W | 5-Ptab (5x3,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 30A | 7,7MOHM @ 25A, 8V | 1,9 V à 250µA | 9.2nc @ 4,5 V | 1150pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
![]() | CSD23382F4T | 0,8800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23382 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 12 V | 3.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,35 NC @ 4,5 V | ± 8v | 235 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | ||||||||||
![]() | CSD15571Q2 | 0.4400 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD15571 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 films (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 22a (ta) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 5A, 10V | 1,9 V à 250µA | 6,7 NC @ 10 V | ± 20V | 419 PF @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD17570Q5BT | 2.8100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17570Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 0,69MOHM @ 50A, 10V | 1,9 V à 250µA | 121 NC @ 4,5 V | ± 20V | 13600 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD19536KTTT | 6.0500 | ![]() | 468 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19536 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 2,4 mohm @ 100a, 10v | 3,2 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 PF @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD17308Q3T | 1.0100 | ![]() | 830 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17308 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 44A (TC) | 3v, 8v | 10.3MOHM @ 10A, 8V | 1,8 V à 250µA | 5.1 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 700 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 28W (TC) | ||||||||||
![]() | CSD87501LT | 1.2000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-xflga | CSD87501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,5 W | 10-Picostar (3 37x1,47) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | 2,3 V @ 250µA | 40nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||
![]() | CSD88584Q5DCT | 4.5200 | ![]() | 6077 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 22 PowerTFDFN | CSD88584Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 22-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 40V | - | 0,95 mohm @ 30a, 10v | 2,3 V @ 250µA | 88nc @ 4,5 V | 12400pf @ 20v | - | ||||||||||||
![]() | LM395T / Elli326 | - | ![]() | 1615 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 220-3 | LM395 | À 220-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 296-LM395T / Elli326 | 1 | 36 V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | CSD17313Q2Q1 | 0 7600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automotive, AEC-Q100, NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD17313 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 5A (TC) | 3v, 8v | 30MOHM @ 4A, 8V | 1,8 V à 250µA | 2,7 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 340 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD16322Q5 | 1.2800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16322 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 21A (TA), 97A (TC) | 3v, 8v | 5MOHM @ 20A, 8V | 1,4 V @ 250µA | 9,7 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1365 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||
![]() | CSD18510KTTT | 2.8300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD18510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 274A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 100A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 15 V | - | 250W (TA) | ||||||||||
![]() | TIL3012 | 0,3000 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD87351Q5D | 2.2200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87351 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 32a | 7,6MOHM @ 20A, 8V | 2,1 V @ 250µA | 7.7nc @ 4,5 V | 1255pf @ 15v | Porte de Niveau Logique |
Volume de RFQ moyen quotidien
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