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Produits semi-conduurs discrètes (471)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TIL3010 | 0,3000 |  | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TPIC5621LDW | 2.0300 | | 290 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TPIC5421LDW | 1.5400 | | 7807 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SN83957N | - | | 1816 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CPH3448-TL-W | - | | 4744 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-96 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3 CPHM | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 30 V | 4a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 50MOHM @ 2A, 4,5 V | - | 4,7 NC @ 4,5 V | ± 12V | 430 pf @ 10 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||||
 | SN74S1052DB | 1.5900 | | 10 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | - | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Uln2803adw-p | - | | 3595 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | ULN2803 | - | 18 ans | - | Rohs3 conforme | 296-uln2803adw-p | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50v | 500mA | 50 µA | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||
 | CSD17507Q5AT | 0,6216 | | 5366 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17507 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | - | Non applicable | 1 (illimité) | 296-CSD17507Q5ATTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 13A (TA), 65A (TC) | 4,5 V, 10V | 10,8MOHM @ 11A, 10V | 2,1 V @ 250µA | 3,6 NC @ 4,5 V | ± 20V | 530 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||
| SN75468N-A | - | | 2192 | 0,00000000 | Texas Instruments | SN7546X | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SN75468 | - | 16 PDI | - | Rohs3 conforme | 296-SN75468N-A | 1 | 100V | 500mA | - | - | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||||
| Csd18563q5a-p | - | | 1961 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18563 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON (5x6) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 296-CSD18563Q5A-PTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 15A (TA), 93A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,8MOHM @ 18A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | |||||||||||
| CSD16401Q5T | 2.9600 | | 793 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16401 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 25 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 40a, 10v | 1,9 V à 250µA | 29 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 4100 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | CSD18511KTTT | 2.0100 | | 657 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | CSD18511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 110a (TA), 194a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 100A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 5940 PF @ 20 V | - | 188W (TA) | |||||||||||
 | CSD23285F5T | 0.9900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3 mm, pas de plomb | CSD23285 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 12 V | 5.4a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 35MOHM @ 1A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 4.2 NC @ 4,5 V | -6v | 628 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||
| CSD19502Q5BT | 3.0100 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 80 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 4.1MOHM @ 19A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 PF @ 40 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
 | CSD19536KTT | 5.0600 | | 923 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19536 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 2,4 mohm @ 100a, 10v | 3,2 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 PF @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||
| CSD18512Q5BT | 2.1700 | | 2134 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18512 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 40 V | 211A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 30a, 10v | 2,2 V @ 250µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 7120 PF @ 20 V | - | 139W (TC) | |||||||||||
 | CSD87355Q5DT | 2.9500 | | 750 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | CSD87355Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,8 W | 8 LSON (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 45a | - | 1,9 V à 250µA | 13.7nc @ 4,5 V | 1860pf @ 15v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | |||||||||||||
 | CSD18543Q3AT | 1.0200 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD18543 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.15) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 60 V | 12A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 15,6MOHM @ 12A, 4,5 V | 2,7 V @ 250µA | 14,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 30 V | Standard | 66W (TC) | |||||||||||
| CSD18531Q5A | 1,7000 | | 8878 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18531 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 19A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,6MOHM @ 22A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 PF @ 30 V | - | 3.1W (TA), 156W (TC) | |||||||||||
 | CSD87313DMS | 0,8236 | | 9807 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | CSD87313 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-WSON (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) draine commun | 30V | - | - | 1,25 V @ 250µA | 28nc @ 4,5 V | 4290pf @ 15v | - | ||||||||||||||
 | CSD85302L | 0,6300 | | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xflga | CSD85302 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.7W | 4-Picostar (1.31x1.31) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | - | 7.8nc @ 4,5 V | - | - | |||||||||||||
| CSD18501Q5A | 1.8100 | | 15 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18501 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 22A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 25A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 150W (TC) | |||||||||||
| CSD16321Q5 | 1.6600 | | 26 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16321 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 31A (TA), 100A (TC) | 3v, 8v | 2,4 mohm @ 25a, 8v | 1,4 V @ 250µA | 19 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 3100 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
| Efc4c002nltdg | 1 0000 | | 5976 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-xfbga, wlcsp | EFC4C002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.6W | 8-WLCSP (6x2,5) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | 2.2v @ 1MA | 45nc @ 4,5 V | 6200pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||
 | SN75469d | 1.0600 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SN75469 | - | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 100V | 500mA | - | 7 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
 | CSD16322Q5C | 1.4500 | | 149 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD1632 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 fils | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 21A (TA), 97A (TC) | 3v, 8v | 5MOHM @ 20A, 8V | 1,4 V @ 250µA | 9,7 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1365 pf @ 12,5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | ULN2803AN | - | | 6590 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Par le trou | 18 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ULN2803 | - | 18 PDICES | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 50v | 500mA | - | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
| CSD16415Q5 | 2.4900 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16415 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,15MOHM @ 40A, 10V | 1,9 V à 250µA | 29 NC @ 4,5 V | + 16v, -12v | 4100 pf @ 12,5 V | - | 3.2W (TA) | |||||||||||
| CSD17553Q5A | 1.5300 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17553 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 23.5A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,1MOHM @ 20A, 10V | 1,9 V à 250µA | 21,5 NC @ 4,5 V | ± 20V | 3252 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | CSD18533KCS | 1,7000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | CSD18533 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 72A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,3MOHM @ 75A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 3025 PF @ 30 V | - | 192W (TC) |
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