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Produits semi-conduurs discrètes (471)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Gagner | Actualiser | Tension | Tension - isolement | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD19502Q5BT | 3.0100 |  | 8 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD19502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 80 V | 100A (TA) | 6v, 10v | 4.1MOHM @ 19A, 10V | 3,3 V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 PF @ 40 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||||||||
 | CSD17579Q3A | 0,6000 | | 42 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD17579 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 20A (TA) | 4,5 V, 10V | 10.2MOHM @ 8A, 10V | 1,9 V à 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 998 PF @ 15 V | - | 3.2W (TA), 29W (TC) | |||||||||||||||||
| CSD18514Q5A | 0,9600 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18514 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 89a (TC) | 4,5 V, 10V | 7,9MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2680 pf @ 20 V | - | 74W (TC) | |||||||||||||||||
 | Efc4c002nltdg | 1 0000 | | 5976 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-xfbga, wlcsp | EFC4C002 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.6W | 8-WLCSP (6x2,5) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 2 Canaux N (double) draine commun | - | - | - | 2.2v @ 1MA | 45nc @ 4,5 V | 6200pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||
| CSD17556Q5BT | 3 0000 | | 442 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17556 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 30 V | 100A (TA) | 4,5 V, 10V | 1,4 mohm @ 40a, 10v | 1,65 V @ 250µA | 39 NC @ 4,5 V | ± 20V | 7020 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 191W (TC) | |||||||||||||||||
| CSD13202Q2T | - | | 7046 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD13202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 296-CSD13202Q2T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 12 V | 14.4A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 9.3MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 6,6 NC @ 4,5 V | ± 8v | 997 PF @ 6 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||||||||||
 | TPIC5223LD | 1.0400 | | 1 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD25481F4 | 0 4500 | | 80 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25481 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 2.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 88MOHM @ 500mA, 8V | 1,2 V à 250µA | 0,913 NC @ 4,5 V | -12v | 189 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||
| LMG3526R030RQSR | 27.6800 | | 9577 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Soutien de la surface, flanc Mouillable | Pad Exposé 52-VQFN | Mosfet | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 000 | Onduleur de Demi-pont | 55 A | 650 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| SN700887N | 0,6000 | | 7 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPIC5302D | 1.2000 | | 969 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD19538Q3AT | 1.8700 | | 4221 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 powervdfn | CSD19538 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 100 V | 15A (TA) | 6v, 10v | 59MOHM @ 5A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 4.3 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.8W (TA), 23W (TC) | |||||||||||||||||
 | CSD13302WT | 0,9700 | | 965 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga, dsbga | CSD13302 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-DSBGA (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 1.6A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 17.1MOHM @ 1A, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 7,8 NC @ 4,5 V | ± 10V | 862 PF @ 6 V | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||||||
 | LM395T | 5.2500 | | 42 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | À 220-3 | LM395 | À 220-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 45 | 36 V | 2.2 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | CSD75301W1015 | - | | 8370 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD75301 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.2A | 100 mohm @ 1a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2.1nc @ 4,5 V | 195pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||
 | CSD19536KTT | 5.0600 | | 923 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-4, d²pak (3 leads + tab), à 263aa | CSD19536 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DDPAK / TO-263-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 200A (TA) | 6v, 10v | 2,4 mohm @ 100a, 10v | 3,2 V @ 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 PF @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||
 | CSD85301Q2T | 1.1300 | | 6130 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-WDFN | CSD85301 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.3W | 6-WSON (2x2) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canaux N (double) | 20V | 5A | 27MOHM @ 5A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 5.4nc @ 4,5 V | 469pf @ 10v | Porte de Niveau Logique, Leilleur 5V | |||||||||||||||||||
 | CSD75207W15 | 0,6800 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 9-ufbga, dsbga | CSD75207 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw | 9-DSBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Source Commun du Canal P (double) | - | 3.9a | 162MOHM @ 1A, 1,8 V | 1,1 V @ 250µA | 3.7NC @ 4,5 V | 595pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||
| SN74ACT202LA15NP | - | | 1750 | 0,00000000 | Texas Instruments | * | En gros | Actif | 74ACT202 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD18512Q5B | 1 9000 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18512 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 211A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,6 mohm @ 30a, 10v | 2,2 V @ 250µA | ± 20V | 7120 PF @ 20 V | - | 139W (TC) | ||||||||||||||||||
| CSD13306WT | 1.0900 | | 930 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-ufbga, dsbga | CSD13306 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DSBGA (1x1,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 12 V | 3.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 10,2MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1,3 V à 250µA | 11.2 NC @ 4,5 V | ± 10V | 1370 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) | |||||||||||||||||
 | CSD16340Q3T | 1.4300 | | 2 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD16340 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON-CLIP (3,3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | 25 V | 60a (TC) | 2,5 V, 8V | 4,5 mohm @ 20a, 8v | 1,1 V @ 250µA | 9.2 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 1350 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||
| Csd18563q5a-p | - | | 1961 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD18563 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSON (5x6) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 296-CSD18563Q5A-PTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 15A (TA), 93A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,8MOHM @ 18A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | |||||||||||||||||
| CSD17302Q5A | 1.0200 | | 7250 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | CSD17302 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-VSONP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16A (TA), 87A (TC) | 3v, 8v | 7,9MOHM @ 14A, 8V | 1,7 V @ 250µA | 7 NC @ 4,5 V | + 10v, -8V | 950 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||
 | CSD88537ND | 1.3900 | | 5 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CSD88537 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 15A | 15MOHM @ 8A, 10V | 3,6 V @ 250µA | 18nc @ 10v | 1400pf @ 30v | - | |||||||||||||||||||
| CSD23382F4 | 0 4700 | | 74 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD23382 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 3.5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 76MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 1,35 NC @ 6 V | ± 8v | 235 pf @ 6 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||
 | CSD88599Q5DCT | 5.0100 | | 97 | 0,00000000 | Texas Instruments | NEXFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 22 PowerTFDFN | CSD88599Q5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 12W | 22-VSON-CLIP (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 60V | - | 2.1MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 27nc @ 4,5 V | 4840pf @ 30v | - | |||||||||||||||||||
 | CSD25484F4T | 0,9100 | | 16 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | CSD25484 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3-Picostar | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal p | 20 V | 2.5a (TA) | 1,8 V, 8V | 94MOHM @ 500mA, 8V | 1,2 V à 250µA | 1,42 NC @ 4,5 V | -12v | 230 pf @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||
| Uln2803adw-p | - | | 3595 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | ULN2803 | - | 18 ans | - | Rohs3 conforme | 296-uln2803adw-p | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50v | 500mA | 50 µA | 8 npn darlington | 1,6 V @ 500µA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | LM3046M / NOPB | - | | 6076 | 0,00000000 | Texas Instruments | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | LM3046 | 750mw | 14-SOIC | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 55 | - | 15V | 50m | 5 npn | 40 @ 1MA, 3V | - | 3,25 dB à 1KHz |
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