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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | MRF24301HR5178 | 1 0000 | ![]() | 9953 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN030-150P, 127 | - | ![]() | 5355 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn0 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R5-30YL, 115 | - | ![]() | 3777 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX36X, 133 | 0,0200 | ![]() | 48 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx3 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123TMB, 315 | 0,0300 | ![]() | 100 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTC123 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 230 MHz | 2,2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU15B, 115 | 0,0300 | ![]() | 48 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU15 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU4.3B3,115 | 0,0400 | ![]() | 162 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU4.3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZH22C, 115 | - | ![]() | 6433 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzh2 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU15B3A115 | 1 0000 | ![]() | 1726 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu5.1ba115 | 1 0000 | ![]() | 3750 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP51-05W | 0,3200 | ![]() | 108 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | SC-70 | - | Rohs3 conforme | Vendeur indéfini | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2832-BAP51-05W | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 50 mA | 240 MW | 0,35pf @ 5v, 1 MHz | Pin - Connexion de la Séririe 1 paire | 50v | 2,5 ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF24G300HR5 | 113.2852 | ![]() | 3352 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 V | Soutenir de châssis | NI-780-4 | 2,4 GHz ~ 2,5 GHz | Gan | NI-780-4 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 568-MRF24G300HR5TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 N-Canal | - | 300W | 15.2db | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN50UPE, 115 | 1 0000 | ![]() | 3851 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3.6A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 66MOHM @ 3,6A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 15,7 NC @ 10 V | ± 8v | 24 pf @ 10 V | - | 510mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7511-55B, 127 | 0,4000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 11MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 2604 PF @ 25 V | - | 157W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J2A012YXZ / S1AY73AJ | - | ![]() | 7237 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | J2A0 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A5G26S008NT6 | 13.0200 | ![]() | 5713 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 2 496 GHz ~ 2,69 GHz | - | 6-PDFN (4x4,5) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | - | - | 17 MA | 27 dbm | 18,4 dB | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG050V150EPD146 | 0,3300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B3V6,215 | 0,0200 | ![]() | 176 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdz2.7b | 1 0000 | ![]() | 4342 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP64LX / Z, 315 | - | ![]() | 2753 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2-xdfn | Bap64 | DFN1006D-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934066319315 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 100 mA | 150 MW | 0,3pf @ 20V, 1MHz | Broche - simple | 60V | 1,5 ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK662R5-30C, 118-NXP | - | ![]() | 5857 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 10V | 2,8MOHM @ 25A, 10V | 2,8 V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 16V | 6960 pf @ 25 V | - | 204W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B3V3,133 | 0,0200 | ![]() | 70 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 V | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC51-10pasx | 0,0600 | ![]() | 84 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-UDFN | 420 MW | DFN2020D-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BMB315 | - | ![]() | 7265 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 2156-BC847BMB315 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Phpt60610pyx | - | ![]() | 9450 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | Phpt60610 | 1,5 w | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 10 a | 100NA | Pnp | 470mV @ 1A, 10A | 120 @ 500mA, 2V | 85 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B2V7,215 | 0,0200 | ![]() | 128 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN009-100W, 127 | - | ![]() | 3887 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Psmn0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 100A (TC) | 10V | 9MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 214 NC @ 10 V | ± 20V | 9000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH2,115 | 0,0600 | ![]() | 9821 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | Pemh2 | 300mw | SOT-666 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 960 | 50v | 100 mA | 1 µA | 2 npn - Pré-biaisé (double) | 150 mV à 500 µA, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | - | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PhB11N06LT, 118 | - | ![]() | 5900 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | PHB11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 55 V | 10.3a (TC) | 5v, 10v | 130 MOHM @ 5.5A, 10V | 2v @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 15V | 330 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT134-600,127 | - | ![]() | 1237 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Par le trou | SOT-82 | SOT-82-3 | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 272 | Célibataire | 15 mA | Standard | 600 V | 4 A | 1,5 V | 25a, 27a | 35 mA |
Volume de RFQ moyen quotidien
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