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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Max Courant - Hold (IH) (Max) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type triac Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Silhouette Tension - en Avant (vf) (max) @ si Courant - FUITE INVERSEE @ VR Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Tension - test Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Résistance @ si, f Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
MRF24301HR5178 NXP USA Inc. MRF24301HR5178 1 0000
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ECAD 9953 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
PSMN030-150P,127 NXP USA Inc. PSMN030-150P, 127 -
RFQ
ECAD 5355 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Psmn0 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000
PSMN1R5-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN1R5-30YL, 115 -
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ECAD 3777 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Psmn1 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500
NZX36X,133 NXP USA Inc. NZX36X, 133 0,0200
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ECAD 48 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Nzx3 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 10 000
PDTC123TMB,315 NXP USA Inc. PDTC123TMB, 315 0,0300
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ECAD 100 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif Support de surface SC-101, SOT-883 PDTC123 250 MW DFN1006B-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pré-biaisé 150 mV à 500 µA, 10mA 30 @ 20mA, 5V 230 MHz 2,2 kohms
PZU15B,115 NXP USA Inc. PZU15B, 115 0,0300
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ECAD 48 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif PZU15 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000
PZU4.3B3,115 NXP USA Inc. PZU4.3B3,115 0,0400
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ECAD 162 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif PZU4.3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000
NZH22C,115 NXP USA Inc. NZH22C, 115 -
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ECAD 6433 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Nzh2 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000
PZU15B3A115 NXP USA Inc. PZU15B3A115 1 0000
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ECAD 1726 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
PZU5.1BA115 NXP USA Inc. Pzu5.1ba115 1 0000
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ECAD 3750 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
BAP51-05W NXP USA Inc. BAP51-05W 0,3200
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ECAD 108 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 SC-70 - Rohs3 conforme Vendeur indéfini Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee 2832-BAP51-05W EAR99 8541.10.0080 1 50 mA 240 MW 0,35pf @ 5v, 1 MHz Pin - Connexion de la Séririe 1 paire 50v 2,5 ohm @ 10mA, 100MHz
MRF24G300HR5 NXP USA Inc. MRF24G300HR5 113.2852
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ECAD 3352 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 V Soutenir de châssis NI-780-4 2,4 GHz ~ 2,5 GHz Gan NI-780-4 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 568-MRF24G300HR5TR EAR99 8541.29.0095 50 2 N-Canal - 300W 15.2db - 48 V
PMN50UPE,115 NXP USA Inc. PMN50UPE, 115 1 0000
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ECAD 3851 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 3.6A (TA) 1,8 V, 4,5 V 66MOHM @ 3,6A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 15,7 NC @ 10 V ± 8v 24 pf @ 10 V - 510mw (TA)
BUK7511-55B,127 NXP USA Inc. BUK7511-55B, 127 0,4000
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ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 75A (TC) 10V 11MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 V ± 20V 2604 PF @ 25 V - 157W (TC)
J2A012YXZ/S1AY73AJ NXP USA Inc. J2A012YXZ / S1AY73AJ -
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ECAD 7237 0,00000000 NXP USA Inc. * Ruban Adhésif (tr) Obsolète J2A0 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté OBSOLÈTE 0000.00.0000 2 500
A5G26S008NT6 NXP USA Inc. A5G26S008NT6 13.0200
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ECAD 5713 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 V Support de surface Pad Exposé 6-LDFN 2 496 GHz ~ 2,69 GHz - 6-PDFN (4x4,5) télécharger EAR99 8541.29.0095 5 000 - - 17 MA 27 dbm 18,4 dB - 48 V
PMEG050V150EPD146 NXP USA Inc. PMEG050V150EPD146 0,3300
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ECAD 1 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.10.0080 1 500
BZX84-B3V6,215 NXP USA Inc. BZX84-B3V6,215 0,0200
RFQ
ECAD 176 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Bzx84 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000
PDZ2.7B NXP USA Inc. Pdz2.7b 1 0000
RFQ
ECAD 4342 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger EAR99 8541.10.0050 1
BAP64LX/Z,315 NXP USA Inc. BAP64LX / Z, 315 -
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ECAD 2753 0,00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 2-xdfn Bap64 DFN1006D-2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934066319315 EAR99 8541.10.0070 10 000 100 mA 150 MW 0,3pf @ 20V, 1MHz Broche - simple 60V 1,5 ohm @ 100mA, 100MHz
BUK662R5-30C,118-NXP NXP USA Inc. BUK662R5-30C, 118-NXP -
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ECAD 5857 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 0000.00.0000 1 Canal n 30 V 100A (TC) 10V 2,8MOHM @ 25A, 10V 2,8 V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 16V 6960 pf @ 25 V - 204W (TC)
BZX79-B3V3,133 NXP USA Inc. BZX79-B3V3,133 0,0200
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ECAD 70 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 400 MW Alf2 télécharger EAR99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 mA 5 µA @ 1 V 3,3 V 95 ohms
BC51-10PASX NXP USA Inc. BC51-10pasx 0,0600
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ECAD 84 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 3-UDFN 420 MW DFN2020D-3 télécharger EAR99 8541.29.0075 1 45 V 1 a 100NA (ICBO) Pnp 500 mV à 50ma, 500mA 63 @ 150mA, 2V 145 MHz
BC847BMB315 NXP USA Inc. BC847BMB315 -
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ECAD 7265 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif - 2156-BC847BMB315 0000.00.0000 1
PHPT60610PYX NXP USA Inc. Phpt60610pyx -
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ECAD 9450 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif 175 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 Phpt60610 1,5 w LFPAK56, Power-SO8 télécharger EAR99 8541.29.0075 1 60 V 10 a 100NA Pnp 470mV @ 1A, 10A 120 @ 500mA, 2V 85 MHz
BZX84-B2V7,215 NXP USA Inc. BZX84-B2V7,215 0,0200
RFQ
ECAD 128 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Bzx84 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000
PSMN009-100W,127 NXP USA Inc. PSMN009-100W, 127 -
RFQ
ECAD 3887 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Psmn0 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 100A (TC) 10V 9MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 214 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 25 V - 300W (TC)
PEMH2,115 NXP USA Inc. PEMH2,115 0,0600
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ECAD 9821 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 Pemh2 300mw SOT-666 télécharger EAR99 8541.21.0075 960 50v 100 mA 1 µA 2 npn - Pré-biaisé (double) 150 mV à 500 µA, 10mA 80 @ 5mA, 5V - 47 kohms 47 kohms
PHB11N06LT,118 NXP USA Inc. PhB11N06LT, 118 -
RFQ
ECAD 5900 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab PHB11 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 55 V 10.3a (TC) 5v, 10v 130 MOHM @ 5.5A, 10V 2v @ 1MA 5.2 NC @ 5 V ± 15V 330 pf @ 25 V - 33W (TC)
BT134-600,127 NXP USA Inc. BT134-600,127 -
RFQ
ECAD 1237 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif 125 ° C (TJ) Par le trou SOT-82 SOT-82-3 télécharger EAR99 8541.30.0080 272 Célibataire 15 mA Standard 600 V 4 A 1,5 V 25a, 27a 35 mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock