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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC858W, 135 | 0,0200 |  | 65 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW56S / SG115 | 0,0500 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BAW56 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX12C, 133 | - | | 1580 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 100 na @ 8 V | 12 V | 35 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bzv55-b9v1,115 | - | | 7932 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU11B1,115 | 0,0400 | | 30 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Php73n06t, 127 | - | | 7853 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php73 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 73A (TC) | 10V | 14MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2464 PF @ 25 V | - | 166W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP63-03,115 | - | | 8550 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | Bap63 | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 100 mA | 500 MW | 0,32pf @ 20v, 1 MHz | Broche - simple | 50v | 1,5 ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB182,115 | - | | 5210 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 2 89pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 32 V | 22 | C1 / C28 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAP70-03,115 | - | | 4721 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | BAP70 | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 100 mA | 500 MW | 0,25pf @ 20v, 1 MHz | Broche - simple | 50v | 1,9 ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF21085LSR3 | - | | 1500 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Ni-780 | MRF21 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.31.0001 | 250 | - | 1 a | 19W | 13,6 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-C3V0,115 | - | | 8905 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B62,115 | 0,0200 | | 238 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 43,4 V | 62 V | 215 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBS5330PA, 115 | - | | 4438 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7C1R2-40EJ | - | | 6525 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | Buk7c1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak-7 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934067488118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP70AM, 115 | 0,5800 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAP70 | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 100 mA | 300 MW | 0,25pf @ 20v, 1 MHz | Pin - Séririe de 2 paires | 50v | 1,9 ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9237-55,118 | - | | 9546 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Buk92 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 55 V | 32A (TC) | 33MOHM @ 15A, 10V | 2v @ 1MA | 17,6 NC @ 5 V | 1236 pf @ 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BS108,126 | - | | 1290 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BS10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 200 V | 300mA (TA) | 2,8 V | 5OHM @ 100mA, 2,8 V | 1,8 V @ 1MA | ± 20V | 120 pf @ 25 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS2001S, 115 | - | | 5228 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Pbls20 | 1,5 w | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | 50v, 20v | 100mA, 3A | 1µA, 100NA | 1 NPN Pré-biaisé, 1 PNP | 150 mV à 500 µA, 10mA / 355 mV à 300mA, 3A | 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V | 100 MHz | 2,2 kohms | 2,2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF18090AR3 | - | | 2517 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF18 | 1,81 GHz | LDMOS | NI-880H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 750 mA | 90W | 13,5 dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S9100HSR5 | - | | 8813 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 70 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF8 | 920 MHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 500 mA | 72W | 19,3 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7528-55,127 | - | | 9638 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 40A (TC) | 10V | 28MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 1MA | ± 16V | 1300 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21140HSR5 | - | | 1401 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF8 | 2,14 GHz | LDMOS | Ni-780 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 970 mA | 34W | 17,9 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFS17W, 115 | - | | 4071 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BFS17 | 300mw | SC-70 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | - | 15V | 50m | NPN | 25 @ 2MA, 1V | 1,6 GHz | 4,5 dB à 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B39,115 | - | | 1406 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 27,3 V | 39 V | 75 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU3.0BA115 | - | | 5938 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2005EPK, 315 | 0,0500 | | 11 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | 2-xdfn | Schottky | DFN1608D-2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 6 086 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 410 MV @ 500 mA | 3 ns | 130 µA @ 10 V | 150 ° C (max) | 500mA | 35pf @ 1v, 1mhz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B12,135 | - | | 2397 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMD9003D, 115 | - | | 3497 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 50v NPN, 45V NPN | Conducteur mosfet | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMD90 | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 3 000 | 100MA NPN, 100MA NPN | 2 npn (Pôle Totem) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4745A, 113 | 0,0400 | | 277 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1N47 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BS, 115 | - | | 1074 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BC84 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 |
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