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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRFE6S9130HSR5 | - |  | 3762 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 66 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRFE6 | 880 MHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 950 mA | 27W | 19.2 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB12UN, 115 | - | | 9143 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | PMPB12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-DFN2020MD (2x2) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 7.9a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 18MOHM @ 7.9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 13 NC @ 4,5 V | ± 8v | 886 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S9100H5 | - | | 2498 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 70 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF8 | 920 MHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935314124178 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 500 mA | 72W | 19,3 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU10B3,115 | - | | 7771 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU10 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU24B, 115 | - | | 3193 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PZU24 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW61C, 215 | 0,0300 | | 12 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BCW61 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPSA14,116 | - | | 3533 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MPSA14 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn - darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P26080HSR5 | - | | 9892 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 65 V | Support de surface | NI-780S-4L | MRF8 | 2,62 GHz | LDMOS | NI-780S-4L | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 300 mA | 14W | 15 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLC8G24LS-240AVJ | - | | 7701 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-1252-1 | Blc8 | 2,3 GHz ~ 2,4 GHz | LDMOS | SOT1252-1 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 934067995118 | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | Double | - | 800 mA | 63W | 15 dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG10 / X, 215 | - | | 3630 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 253-4, à 253aa | BFG10 | 400mw | SOT-143B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 7 dB | 8v | 250mA | NPN | 25 @ 50mA, 5V | 1,9 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B16,115 | - | | 6021 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 11,2 V | 16 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF373ALR5 | - | | 8413 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 70 V | Soutenir de châssis | Ni-360 | MRF37 | 860 MHz | LDMOS | Ni-360 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200 mA | 75W | 18.2db | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Mrf7s38010hr5 | - | | 6683 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-400-240 | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | LDMOS | NI-400-240 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 160 mA | 2W | 15 dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T14H450-23NR6 | 110.1408 | | 3271 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | Soutenir de châssis | OM-1230-4L2S | A2T14 | 1 452 GHz ~ 1 511 GHz | LDMOS | OM-1230-4L2S | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935316214528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 10 µA | 1 a | 18,8 dB | - | 31 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1018NR1 | - | | 6451 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 120 V | Support de surface | À 270-4 | MMRF1 | 860 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935320384528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 350 mA | 18W | 22 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C2V7,215 | - | | 8838 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C13,115 | - | | 2279 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 µA @ 8 V | 13 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A5G35S004N-3400 | 105.4700 | | 7639 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 3,3 GHz ~ 4,3 GHz | - | 6-PDFN (4x4,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 12 mA | 24,5 dbm | 16,9 dB | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG3005AEV, 115 | 0,0500 | | 47 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMEG3005 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM12NB3,115 | - | | 6631 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM12 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 9 V | 12 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1312HR5 | 652.3000 | | 38 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 112 V | Soutenir de châssis | SOT-979A | MMRF1312 | 1,03 GHz | LDMOS | NI-1230-4H | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Double | - | 100 mA | 1000W | 19,6 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR93AW, 135 | - | | 1759 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BFR93 | 300mw | SC-70 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934022950135 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | - | 12V | 35mA | NPN | 40 @ 30mA, 5V | 5 GHz | 1,5 dB ~ 2,1 dB à 1 GHz ~ 2 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114TE, 115-NXP | 0,0200 | | 807 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA114 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114TT, 235 | - | | 5497 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pdtc11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN025-80YLX | - | | 8143 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 80 V | 37a (TC) | 5v, 10v | 25MOHM @ 10A, 10V | 2.1V @ 1MA | 17.1 NC @ 5 V | ± 20V | 2703 PF @ 25 V | - | 95W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143ZK, 115 | - | | 3248 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250 MW | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 9 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 100 mV à 250µa, 5mA | 100 @ 10mA, 5V | 4,7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C51,115 | 0,0200 | | 57 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf8p29300hr5 | - | | 3417 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 65 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | MRF8 | 2,9 GHz | LDMOS | NI-1230 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 100 mA | 320W | 13,3 dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzm4.7nb2,115 | - | | 2391 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM4.7 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 9 000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA144EK, 135 | - | | 2475 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA144 | 250 MW | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | 47 kohms | 47 kohms |
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