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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Silhouette	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
MRF18085alsr3	-	RFQ	4813	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	Ni-780	MRF18	1,81 GHz ~ 1,88 GHz	LDMOS		Ni-780	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		5A991G	8542.31.0001	250				-		800 mA	85W	15 dB																				-										26 V
Phu108nq03lt, 127	-	RFQ	2664	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	Phu10		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75			Canal n						25 V	75A (TC)	5v, 10v	6MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA	16.3 NC @ 4,5 V	± 20V	1375 PF @ 12 V	-	187W (TC)
MRF6S19140HSR3	-	RFQ	9016	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V		Support de surface	Ni-880	MRF6	1,93 GHz ~ 1,99 GHz	LDMOS		Ni-880	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935325311128	EAR99	8541.29.0075	250				-		1,15 a	29W	16 dB																				-										28 V
MRF6VP41KHR7	-	RFQ	2638	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		110 V		Soutenir de châssis	NI-1230	MRF6	450 MHz	LDMOS		NI-1230	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	25	Double			-		150 mA	1000W	20 dB																				-										50 V
BFG480W, 115	-	RFQ	1415	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-82A, SOT-343	BFG48			360 MW	CMPAK-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000								16 dB																												4,5 V	250mA					NPN		40 @ 80mA, 2V	21 GHz			1,2 dB ~ 1,8 dB à 900 MHz ~ 2 GHz
BYD17K, 135	-	RFQ	4686	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	SOD-87	BYD17		Avalanche		Melf	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	8 000		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																											800 V	1 05 V @ 1 A	3 µs	1 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	21pf @ 0v, 1mhz
Buk9y9r9-80e, 115	-	RFQ	2765	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			-	Support de surface	SC-100, SOT-669	Buk9y9		MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934067027115	EAR99	8541.29.0095	1 500			Canal n						80 V	-		-	-				-	-
MRF21010LR1	-	RFQ	3615	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	Ni-360	MRF21	2,17 GHz	LDMOS		Ni-360	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	500				-		100 mA	10W	13,5 dB																				-										28 V
A5G37H110NT4	13.0217	RFQ	4843	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		125 V		Support de surface	Pad Exposé 6-LDFN		3,6 GHz ~ 3,8 GHz	-		6-PDFN (7x6,5)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	2 500	-			-		70 mA	13,5W	15.1db																				-										48 V
BUK9535-100A, 127	0,4200	RFQ	4	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						100 V	41A (TC)	4,5 V, 10V	34MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA		± 10V	3573 PF @ 25 V	-	149W (TC)
PZM3.0NB, 115	-	RFQ	1612	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Pzm3.0			300 MW	SMT3; Mpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																														1,1 V @ 100 mA		10 µA @ 1 V								3 V	95 ohms
BF1107,215	-	RFQ	1967	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		3 V		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BF110	-	Mosfet		SOT-23 (à 236ab)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Canal n			10m			-	-																				-
PDTC144EE, 135	-	RFQ	8225	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	SC-75, SOT-416	PDTC144			150 MW	SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000																																				50 V	100 mA		1 µA			NPN - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	80 @ 5mA, 5V		47 kohms	47 kohms
PMT760en, 115	-	RFQ	7193	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	PMT7		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-73	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n						100 V	900mA (TA)	4,5 V, 10V	950MOHM @ 800mA, 10V	2,5 V @ 250µA	3 NC @ 10 V	± 20V	160 PF @ 80 V	-	800MW (TA), 6,2W (TC)
BAV103 / S500,115	-	RFQ	4024	NXP USA Inc.	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète						BAV10					télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934064937115	EAR99	8541.10.0070	2 500
BF998WR, 115	-	RFQ	7414	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		12 V		Support de surface	SC-82A, SOT-343	BF998	200 MHz	Mosfet		CMPAK-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Double Porte de Canal N-Canal			30m		10 mA	-	-																				0,6 dB										8 V
BFU590GX	1.2100	RFQ	1009	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	BFU590			2W	SC-73	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000								8 dB																												12V	200m					NPN		60 @ 80mA, 8v	8,5 GHz			-
MMRF1050HR6	687.3887	RFQ	4827	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		105 V		Soutenir de châssis	SOT-979A		850 MHz ~ 950 MHz	LDMOS (double)		NI-1230-4H	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	568 MMRF1050HR6TR	EAR99	8541.29.0095	150	2 N-Canal			1 µA		100 mA	1050W	21,3 dB																				-										50 V
1N914B, 113	-	RFQ	8415	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N91		Standard		Alf2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	10 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																											100 V	1 V @ 100 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	175 ° C (max)	200m	4pf @ 0v, 1mhz
PH4530AL, 115	-	RFQ	4040	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-	Support de surface	SC-100, SOT-669	Ph45		MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934063198115	EAR99	8541.29.0095	1 500			Canal n						30 V	-		-	-				-	-
MRF8S21120HSR3	-	RFQ	1489	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	Ni-780	MRF8	2,17 GHz	LDMOS		Ni-780	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935314227128	EAR99	8541.29.0075	250				-		850 mA	28W	17,6 dB																				-										28 V
A3G26D055NT4	29.2800	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		125 V		Support de surface	Pad Exposé 6-LDFN		100MHz ~ 2,69 GHz	Gan		6-PDFN (7x6,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	2 500				-		40 mA	8W	13,9 dB																				-										48 V
PDTC114YE, 135	-	RFQ	3729	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	SC-75, SOT-416	PDTC114			150 MW	SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000																																				50 V	100 mA		1 µA			NPN - Pré-biaisé	100 mV à 250µa, 5mA	100 @ 5mA, 5V		10 kohms	47 kohms
Afv09p350-04GNR3	236.0196	RFQ	7045	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		105 V		Support de surface	OM-780G-4L	Afv09	920 MHz	LDMOS		OM-780G-4L	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935318141528	5A991G	8541.29.0040	250	Double			-		860 mA	100W	19,5 dB																				-										48 V
BFG520,235	-	RFQ	2089	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			175 ° C (TJ)	Support de surface	À 253-4, à 253aa	BFG52			300mw	SOT-143B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934018800235	EAR99	8541.21.0075	10 000								-																												15V	70mA					NPN		60 @ 20mA, 6V	9 GHz			1,1 dB ~ 2,1 dB à 900 MHz
On5250 / a, 135	-	RFQ	5248	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	À 261-4, à 261aa	On52	-	-		SC-73	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934061143135	EAR99	8541.29.0095	4 000	-			-			-	-																				-
2N5064,112	-	RFQ	4824	NXP USA Inc.	-	Sac	Obsolète			-65 ° C ~ 125 ° C	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	2n50				To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	1 000					5 mA														200 V	800 mA	800 mV	10a @ 60hz	200 µA	1,71 V	510 mA	10 µA	Porte sensible
BUK7616-55A, 118	-	RFQ	7979	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Buk76		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n						55 V	65,7a (TC)	10V	16MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA		± 20V	2245 PF @ 25 V	-	138W (TC)
BUK761R7-40E / GFJ	-	RFQ	2888	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Buk76				D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	800										-	10V				± 20V
BUK9618-55A, 118	-	RFQ	6336	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Buk96		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800			Canal n						55 V	61a (TC)	4,5 V, 10V	16MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA	34 NC @ 5 V	± 15V	2210 PF @ 25 V	-	136W (TC)