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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
PSMN3R4-30BL, 118	0,6100	RFQ	900	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger			EAR99	8541.29.0095	494			Canal n		30 V	100A (TC)	4,5 V, 10V	3,3MOHM @ 25A, 10V	2.15v @ 1mA	64 NC @ 10 V	± 20V	3907 PF @ 15 V	-	114W (TC)
PMEG2010EPK, 315	0,0500	RFQ	441	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			Support de surface	2-xdfn		Schottky		DFN1608D-2	télécharger			EAR99	8541.10.0080	6 086		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																			20 V	415 MV @ 1 A	4 ns	600 µA @ 20 V	150 ° C (max)	1A	65pf @ 1v, 1mhz
PEMD17,115	0,0400	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Pemd1				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	4 000
PMDPB56XNEA, 115	-	RFQ	5428	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger			EAR99	8541.29.0095	1
Php30nq15t, 127	0,5900	RFQ	4	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger			EAR99	8541.29.0095	1			Canal n		150 V	29A (TC)	10V	63MOHM @ 15A, 10V	4V @ 1MA	55 NC @ 10 V	± 20V	2390 pf @ 25 V	-	150W (TC)
PZU22B3,115	-	RFQ	2182	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PZU22				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000
Nzx3v3c, 133	0,0200	RFQ	64	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 3%	-55 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Alf2	télécharger			EAR99	8541.10.0050	1																						1,5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V							3,3 V	100 ohms
Buk9y6r0-60e, 115	-	RFQ	8369	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SC-100, SOT-669		MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	télécharger				0000.00.0000	1			Canal n		60 V	100A (TC)	5V	5.2MOHM @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	39,4 NC @ 5 V	± 10V	6319 PF @ 25 V	-	195W (TC)
BZX384-C11	-	RFQ	1234	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BZX384				télécharger				0000.00.0000	1
PhB33NQ20T, 118	-	RFQ	6095	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Phb33				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800
NZX27B, 133	0,0200	RFQ	24	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial			500 MW	Alf2	télécharger			EAR99	8541.10.0050	1																						1,5 V @ 200 mA		50 na @ 18,9 V							27 V	80 ohms
PSMN5R5-60YS115	-	RFQ	9941	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger			EAR99	8541.29.0095	1
2PA1774QMB315	0,0400	RFQ	57	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	3-xfdfn			250 MW	DFN1006B-3	télécharger			EAR99	8541.21.0075	1																												40 V	100 mA	100NA (ICBO)			Pnp	200 mV @ 5mA, 50mA	120 @ 1MA, 6V	100 MHz
NZX12X, 133	0,0200	RFQ	129	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Nzx1				-	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000
BZX84J-B4V7,115	0,0300	RFQ	8932	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F			550 MW	SOD-323F	télécharger			EAR99	8541.10.0050	2 740																						1,1 V @ 100 mA		3 µA @ 2 V							4.7 V	80 ohms
BZX84J-C6V8,115	0,0300	RFQ	6391	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Bzx84				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000
Buk7640-100a118	0,6300	RFQ	6483	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger			EAR99	8541.29.0095	1
BT138Y-600E, 127	-	RFQ	8861	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		125 ° C (TJ)	Par le trou	Onglet isolé à 220-3				À 220ab	télécharger			EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire			30 mA											Logique - Porte sensible	600 V	12 A	1,5 V	95a, 105a	10 mA
PZU9.1B2L, 315	-	RFQ	3324	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	télécharger				0000.00.0000	1																						1,1 V @ 100 mA		500 na @ 6 V							9.1 V	10 ohms
BC807-16W, 115	0,0200	RFQ	7328	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BC80				-	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000
PBLS6023D, 115	-	RFQ	6723	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Pbls60				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000
BZX884-B3V6,315	1 0000	RFQ	1604	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	télécharger				0000.00.0000	1																						900 mV @ 10 mA		5 µA @ 1 V							3,6 V	90 ohms
Buk9k13-60ex	-	RFQ	6785	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-1205, 8-LFPAK56	Buk9k13	MOSFET (Oxyde Métallique)	64W	LFPAK56D	télécharger			EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)				60V	40a		12,5MOHM @ 10A, 5V	2.1V @ 1MA	22.4nc @ 5v		2953pf @ 25v	Porte de Niveau Logique
BZV85-C11,113	0,0300	RFQ	67	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial			1,3 W	DO-41	télécharger			EAR99	8541.10.0050	1																						1 V @ 50 Ma		200 na @ 7,7 V							11 V	10 ohms
BZX84-B5V6,215	-	RFQ	9945	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Bzx84				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000
PZU12B2A115	-	RFQ	7938	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif									télécharger			EAR99	8541.10.0050	1
Nzx3v6a, 133	0,0200	RFQ	151	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Nzx3				-	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000
PMST4403,115	0,0200	RFQ	179	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PMST4				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000
NZH20C, 115	-	RFQ	4012	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Nzh2				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000
PSMN1R7-30YL, 115	-	RFQ	8053	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn1				télécharger	Rohs3 conforme	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 500