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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Silhouette	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
BZV90-C3V9,115	0 1700	RFQ	83	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 261-4, à 261aa				1,5 w	SOT-223	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1 745																														1 V @ 50 Ma		3 µA @ 1 V								3,9 V	90 ohms
PBS4032NZ, 115	0 2400	RFQ	10	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pbs4					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000
NZX22A, 133	0,0200	RFQ	1607	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-55 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				500 MW	Alf2	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																														1,5 V @ 200 mA		50 na @ 15,4 V								22 V	65 ohms
BZX79-C2V7,113	-	RFQ	2709	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Bzx79					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	10 000
MRF6S19060GNR1	-	RFQ	8032	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V		Support de surface	À 270ba	MRF6	1,93 GHz	LDMOS		À 270-2 Goéland	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	500				-		610 mA	12W	16 dB																				-										28 V
MRF21010LR5	-	RFQ	2381	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	Ni-360	MRF21	2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		Ni-360	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	50				-		100 mA	10W	13,5 dB																				-										28 V
PMEG2020EPK, 315	-	RFQ	6806	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface	2-xdfn			Schottky		DFN1608D-2	-						0000.00.0000	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																											20 V	450 MV @ 2 A	5 ns	900 µA @ 20 V	150 ° C (max)	2A	120pf @ 1v, 1MHz
BT258-800R, 127	-	RFQ	3090	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			-40 ° C ~ 125 ° C	Par le trou	À 220-3					À 220ab	télécharger					EAR99	8541.30.0080	1					6 mA														800 V	8 A	1,5 V	75a, 82a	200 µA	1,6 V	5 a	500 µA	Porte sensible
PBSS301NX, 115	0,2000	RFQ	432	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa				2,1 W	SOT-89	télécharger					EAR99	8541.29.0075	1 495																																				12 V	5.3 A		100NA (ICBO)			NPN	200 MV @ 265mA, 5.3A	250 @ 2A, 2V	140 MHz
NX7002AKA215	-	RFQ	8353	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000
BLM7G22S-60PB, 118	-	RFQ	1440	NXP USA Inc.	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif						BLM7					-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934066082118	EAR99	8541.29.0075	100
PDTB143XU135	0,0300	RFQ	59	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	10 000
BF820W, 115	0,0400	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BF820					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000
BUK763R9-60E / GFJ	-	RFQ	8616	NXP USA Inc.	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète						Buk76					-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	800
Buk7k35-60ex	-	RFQ	9164	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-1205, 8-LFPAK56	Buk7k35		MOSFET (Oxyde Métallique)	38W	LFPAK56D	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)								60V	20.7A		30MOHM @ 5A, 10V	4V @ 1MA	12.5nc @ 10v		794pf @ 25v	-
BZX884-C36,315	-	RFQ	6973	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BZX884					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	10 000
BZX884-C62,315	0,0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BZX884					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	10 000
BTA204X-600D, 127	-	RFQ	8686	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BTA20					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.30.0080	1 000
BYC10X-600PQ127	-	RFQ	2105	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0080	1
TDZ4V3J, 115	0,0300	RFQ	42	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TDZXJ	En gros	Actif	± 2%		-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-90, SOD-323F	Tdz4v3			500 MW	SOD-323F	télécharger					EAR99	8541.10.0050	9 072																														1,1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V								4.3 V	90 ohms
PMR780SN115	0,1000	RFQ	3	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75, SOT-416			MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-75	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal n						60 V	550mA (TA)	4,5 V, 10V	920mohm @ 300mA, 10V	3V à 250µA	1.05 NC @ 10 V	± 20V	23 pf @ 30 V	-	530mw (TC)
Nxp3875y, 215	-	RFQ	7474	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger						0000.00.0000	1
BFS19,235	0,0900	RFQ	81	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	SOT-23	télécharger					EAR99	8541.21.0075	3 213																																				20 V	30 mA		100NA (ICBO)			NPN	-	65 @ 1MA, 10V	260 MHz
PMPB15XN, 115	-	RFQ	7078	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-UDFN	PMPB15		MOSFET (Oxyde Métallique)		DFN2020MD-6	télécharger						0000.00.0000	1			Canal n						20 V	7.3a (TA)	1,8 V, 4,5 V	21MOHM @ 7.3A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	20.2 NC @ 4,5 V	± 12V	1240 PF @ 10 V	-	1.7W (TA), 12,5W (TC)
PSMN035-150P	1 0000	RFQ	2084	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1
MRF8S21100HR3	-	RFQ	9247	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF8	2,17 GHz	Mosfet		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935317144128	EAR99	8541.29.0095	250	Canal n			-		700 mA	24W	18,3 dB																				-										28 V
BUK9528-55A, 127	-	RFQ	2482	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Buk95		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n						55 V	40A (TC)	4,5 V, 10V	28MOHM @ 20A, 5V	2v @ 1MA		± 10V	1700 pf @ 25 V	-	99W (TC)
MHT1803A	18,9000	RFQ	7515	NXP USA Inc.	*	Plateau	Actif						MHT1803					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	240
PBSS301NZ, 135	0 2200	RFQ	26	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pbss3					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	4 000
PVR100AD-B3V0,115	-	RFQ	3955	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-74, SOT-457	PVR10			300 MW	SC-74	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																																				45 V	100 mA		100NA (ICBO)			Npn + zener	-	160 @ 100mA, 1V	-