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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BTA204X-600D, 127 | - |  | 8686 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BTA20 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC10X-600PQ127 | - | | 2105 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDZ4V3J, 115 | 0,0300 | | 42 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Tdz4v3 | 500 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 9 072 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMR780SN115 | 0,1000 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 550mA (TA) | 4,5 V, 10V | 920mohm @ 300mA, 10V | 3V à 250µA | 1.05 NC @ 10 V | ± 20V | 23 pf @ 30 V | - | 530mw (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Nxp3875y, 215 | - | | 7474 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFS19,235 | 0,0900 | | 81 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 213 | 20 V | 30 mA | 100NA (ICBO) | NPN | - | 65 @ 1MA, 10V | 260 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMPB15XN, 115 | - | | 7078 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | PMPB15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN2020MD-6 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 20 V | 7.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 21MOHM @ 7.3A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 20.2 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1240 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN035-150P | 1 0000 | | 2084 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S21100HR3 | - | | 9247 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF8 | 2,17 GHz | Mosfet | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 935317144128 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | - | 700 mA | 24W | 18,3 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9528-55A, 127 | - | | 2482 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 28MOHM @ 20A, 5V | 2v @ 1MA | ± 10V | 1700 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| MHT1803A | 18,9000 | | 7515 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Plateau | Actif | MHT1803 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS301NZ, 135 | 0 2200 | | 26 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbss3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PVR100AD-B3V0,115 | - | | 3955 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PVR10 | 300 MW | SC-74 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Npn + zener | - | 160 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846T, 115 | - | | 7863 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | BC84 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BF909R, 235 | - | | 5570 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 7 V | Support de surface | SOT-143R | BF909 | 800 MHz | Mosfet | SOT-143R | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934028860235 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 40m | 15 mA | - | - | 2db | 5 V | ||||||||||||||||||||||||||
| NX2020N2X | - | | 3899 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Obsolète | Nx20 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3i20x050nr1 | 44.7930 | | 3685 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | A3i20x050n | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | OM-400-8 | 1,8 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS | OM-400-8 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | Double | 10 µA | 145 mA | 6.3W | 29.3 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| J3E081GXS / S1AGCK7J | - | | 1884 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | J3e0 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN2R8-40BS, 118 | 0,8300 | | 6 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2,9MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 1MA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 4491 PF @ 20 V | - | 211W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| BT234-800D, 127 | 1 0000 | | 5862 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Phpt610030nk115 | 0 2400 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM8.2NB, 115 | - | | 3033 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Pzm8.2 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA115ET, 215 | 0,0200 | | 39 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1205,135 | - | | 4907 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 10 V | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 800 MHz | Mosfet | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934056890135 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 12 mA | - | 35 dB | 1,2 dB | 5 V | ||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21120HR3 | - | | 8601 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF8 | 2,17 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 935314244128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 850 mA | 28W | 17,6 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B24,113 | 0,0200 | | 111 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 16,8 V | 24 V | 70 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrfe6vp6300hr5 | 127.0900 | | 191 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 130 V | Soutenir de châssis | NI-780-4 | MRFE6 | 230 MHz | LDMOS | NI-780-4 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 100 mA | 300W | 26,5 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
| PMV60EN, 215 | - | | 6319 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 (à 236ab) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.7A (TC) | 4,5 V, 10V | 55MOHM @ 2A, 10V | 2v @ 1MA | 9.4 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 30 V | - | 280mw (TJ) | ||||||||||||||||||||||||
| Mrf7s21080hr5 | - | | 6933 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF7 | 2,17 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 mA | 22W | 18 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| PBS5160DS, 115 | - | | 5615 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 |
2000+
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30 000 000
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