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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
MRF7S38040HSR3	-	RFQ	9099	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Support de surface	NI-400S-2S	MRF7	3,4 GHz ~ 3,6 GHz	LDMOS		NI-400S-2S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	250				-	450 mA	8W	14 dB											-												30 V
2PB1219AQ, 115	0,0200	RFQ	113	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323				200 MW	SOT-323	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																												50 V	500 mA		100NA (ICBO)			Pnp	600 mV @ 30mA, 300mA	85 @ 150mA, 10V	100 MHz
MRF5S19100HSR3	-	RFQ	4518	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	Ni-780	MRF5	1,93 GHz ~ 1,99 GHz	LDMOS		Ni-780	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		5A991G	8541.29.0075	250				-	1 a	22W	13,9 dB											-												28 V
AFT21H350W03SR6	-	RFQ	1901	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	NI-1230	AFT21	2,11 GHz	LDMOS		NI-1230	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	150				-	750 mA	63W	16,4 dB											-												28 V
Bzx79-b47133	0,0200	RFQ	1718	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger					EAR99	8541.10.0050	1
Mrfe6vp6300hr5	127.0900	RFQ	191	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		130 V		Soutenir de châssis	NI-780-4	MRFE6	230 MHz	LDMOS		NI-780-4	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50	Double			-	100 mA	300W	26,5 dB											-												50 V
MRF5S19130HR3	-	RFQ	9790	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF5	1,99 GHz	LDMOS		NI-880H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		5A991G	8541.29.0075	250				-	1.2 A	26W	13db											-												28 V
BTA316X-800B / L01127	-	RFQ	2455	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.30.0080	1
BUK794R1-40BT, 127	-	RFQ	5785	NXP USA Inc.	Tranche	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-5	Buk79		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-5	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					40 V	75A (TC)	10V	4.1MOHM @ 50A, 10V	4V @ 1MA	83 NC @ 10 V	± 20V	6808 PF @ 25 V	Diode de latection de température	272W (TC)
BLF8G20LS-400PVQ	-	RFQ	4489	NXP USA Inc.	-	Tube	Actif		65 V		Soutenir de châssis	SOT-1242B	BLF8G20	1,81 GHz ~ 1,88 GHz	LDMOS		CDFM8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934067803127	EAR99	8541.29.0075	15	Double			-	3.4 A	95W	19 dB											-												28 V
BUK9245-55A / C1118	0 2400	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	2 500
BZX84-B22 / DG / B3215	0,0200	RFQ	114	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0050	3 000
PMBT2907A, 235	0,0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PMBT2907					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	10 000
BLD6G22L-50,112	85.0500	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	Plateau	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-1130A		2,14 GHz	LDMOS		CDFM4	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	20	Source communal double			10.2a	170 mA	8W	14 dB											-												28 V
BUK6218-40C, 118	-	RFQ	8859	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	-	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	1			Canal n					40 V	42A (TC)	10V	16MOHM @ 10A, 10V	2,8 V @ 1MA	22 NC @ 10 V	± 16V	1170 pf @ 25 V	-	60W (TC)
PSMN017-80PS, 127	-	RFQ	4106	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Psmn0					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000
PMT760en, 135	-	RFQ	4263	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	PMT7		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-73	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n					100 V	900mA (TA)	4,5 V, 10V	950MOHM @ 800mA, 10V	2,5 V @ 250µA	3 NC @ 10 V	± 20V	160 PF @ 80 V	-	800MW (TA), 6,2W (TC)
MMRF1023HSR5	-	RFQ	5711	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	NI-1230-4LS2L	MMRF1	2,3 GHz	LDMOS		NI-1230-4LS2L	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50				-	750 mA	66W	14,9 dB											-												28 V
PBS5160PAPS115	0.1300	RFQ	78	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	2 423
BAT54A / 6235	0,0300	RFQ	210	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, BAT54	En gros	Actif				Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54		Schottky		SOT-23-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0070	10 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																	1 paire Commune d'anode	30 V	200mA (DC)	800 mV à 100 mA	5 ns	2 µA @ 25 V	150 ° C (max)
BZX384-B20,115	0,0200	RFQ	775	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BZX384					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000
PUMB2 / DG / B3115	0,0300	RFQ	84	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pumb2					télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000
BZX79-B30,113	0,0200	RFQ	7052	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				400 MW	Alf2	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																						900 mV @ 10 mA		50 na @ 21 V								30 V	80 ohms
PMR780SN, 115	-	RFQ	4596	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75, SOT-416	PMR7		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal n					60 V	550mA (TA)	4,5 V, 10V	920mohm @ 300mA, 10V	3V à 250µA	1.05 NC @ 10 V	± 20V	23 pf @ 30 V	-	530mw (TC)
MRF9210R5	-	RFQ	1437	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	NI-860C3	MRF92	880 MHz	LDMOS		NI-860C3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		5A991G	8542.31.0001	50				-	1.9 A	40W	16,5 dB											-												26 V
PDTC114YE, 115	-	RFQ	7763	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	SC-75, SOT-416	PDTC114			150 MW	SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																												50 V	100 mA		1 µA			NPN - Pré-biaisé	100 mV à 250µa, 5mA	100 @ 5mA, 5V		10 kohms	47 kohms
BYC5D-500,127	0 2900	RFQ	18	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Par le trou	À 220-2			Standard		À 220AC	télécharger					EAR99	8541.10.0080	760		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																		500 V		2 V @ 5 A	16 ns	40 µA @ 500 V	150 ° C (max)	5A	-
PBS4041PT, 215	-	RFQ	6284	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pbs4					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000
BCP69-16 / DG, 115	-	RFQ	5398	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	À 261-4, à 261aa	BCP69				SC-73	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000
BZX79-B8V2,133	0,0200	RFQ	163	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				400 MW	Alf2	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																						900 mV @ 10 mA		700 na @ 5 V								8.2 V	15 ohms