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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMV20XN, 215 | - |  | 2557 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 (à 236ab) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.8A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 25MOHM @ 4.8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 12V | 585 pf @ 15 V | - | 510mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf8p9210nr3 | - | | 1418 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 70 V | NI-780-4 | MRF8P9210 | 960 MHz | Mosfet | NI-780-4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935321673528 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal n | - | 750 mA | 63W | 16,8 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143TU, 115 | - | | 1754 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B22,115 | 0,0300 | | 22 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 15,4 V | 22 V | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bav99 / 6235 | 1 0000 | | 8606 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bav99 | Standard | SOT-23 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 100 V | 215mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C51143 | 0,0200 | | 35 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9030LR1 | - | | 7051 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | Ni-360 | MRF90 | 945 MHz | LDMOS | Ni-360 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 250 mA | 30W | 19 dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdz4.7b / zlx | - | | 1038 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | PDZ4.7 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 9340691115 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD123TK, 115 | - | | 4066 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTD123 | 250 MW | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 2,5 mA, 50mA | 100 @ 50mA, 5V | 2,2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP63LX, 315 | - | | 9832 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SOD-882 | Bap63 | Sod2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 100 mA | 135 MW | 0,3pf @ 20V, 1MHz | Broche - simple | 50v | 1,5 ohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBR941 | - | | 5634 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7E04-40A, 127 | 0,8000 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | Buk7 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV90-C36,115 | 0 1700 | | 73 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv90 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK78150-55A / CU135 | - | | 6683 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S21090HSR5 | - | | 9089 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF5 | 2,11 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 850 mA | 19W | 14,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2G22S190-01SR3 | 84.2912 | | 6434 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | A2G22 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHP225NQ04T, 127 | - | | 2195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 10V | 3,1MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 94 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFT25,215 | - | | 4589 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bft25 | 30mw | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | - | 5V | 6,5 Ma | NPN | 20 @ 1MA, 1V | 2,3 GHz | 5,5 dB à 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMH10,115 | - | | 6356 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PUMH10 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS17A, 235 | - | | 8751 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFS17 | 300mw | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 933750250235 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | - | 15V | 25m | NPN | 25 @ 2MA, 1V | 2,8 GHz | 2,5 dB à 800 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYQ28E-200 / H127 | 0,2600 | | 313 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 031 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA115ES, 126 | - | | 4836 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PDTA115 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 20 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 250µa, 5mA | 80 @ 5mA, 5V | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9045GNR1 | - | | 3047 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 66 V | Support de surface | À 270bb | MRFE6 | 880 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 Gull | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 350 mA | 10W | 22.1 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S16150HSR3 | - | | 5157 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF7 | 1,6 GHz ~ 1,66 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1,5 A | 32W | 19,7 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF9060LSR1 | - | | 3597 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-360 | MRF90 | 945 MHz | LDMOS | Ni-360 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.21.0075 | 500 | - | 450 mA | 60W | 17 dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhB110NQ08T, 118 | 1.0400 | | 750 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 290 | Canal n | 75 V | 75A (TC) | 10V | 9MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 113.1 NC @ 10 V | ± 20V | 4860 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA144TU, 115 | 0,0200 | | 143 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA14 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ100,412 | - | | 4524 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buj1 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V12500GSR5 | 581.4510 | | 5990 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 110 V | Support de surface | NI-780GS-2L | MRF6V12500 | 960 MHz ~ 1 215 GHz | LDMOS | NI-780GS-2L | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935326078178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 200 µA | 200 mA | - | 19,7 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124xe, 115 | - | | 5212 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-75, SOT-416 | PDTA124 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | 22 kohms | 47 kohms |
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