SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type triac Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Silhouette Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Tension - test Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Rapport de capacité Condition de rapport de capacité Q @ VR, F
BYC5-600P127 NXP USA Inc. BYC5-600P127 0,3600
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ECAD 4 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.10.0080 1
BT136-600E/02,127 NXP USA Inc. BT136-600E / 02,127 -
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ECAD 7512 0,00000000 NXP USA Inc. - Tube Obsolète 125 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 BT136 À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934019080127 EAR99 8541.30.0080 5 000 Célibataire 15 mA Logique - Porte sensible 600 V 4 A 1,5 V 25a, 27a 10 mA
PUMF12,115 NXP USA Inc. PUMF12,115 -
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ECAD 1953 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMF12 300mw 6-TSSOP - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 3 000 50v, 40v 100 mA 1 µA 1 NPN Pré-biaisé, 1 PNP 150 mV à 500 µA, 10mA / 200 mV à 5MA, 50mA 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1MA, 6V 100 MHz 22 kohms 47 kohms
PHB23NQ10LT,118 NXP USA Inc. PhB23NQ10LT, 118 -
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ECAD 1232 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Phb23 MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 23A (TC) 5v, 10v 72MOHM @ 10A, 10V 2v @ 1MA 49 NC @ 10 V ± 15V 1704 PF @ 25 V - 98W (TC)
BZX384-B13,115 NXP USA Inc. BZX384-B13,115 -
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ECAD 9604 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif BZX384 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000
BUJ103A,127 NXP USA Inc. Buj103a, 127 0,3200
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ECAD 76 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Buj1 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000
BZV55-B6V8,115 NXP USA Inc. BZV55-B6V8,115 -
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ECAD 6927 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C Support de surface DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 500 MW LLDS; Minime télécharger 0000.00.0000 1 900 mV @ 10 mA 2 µA @ 4 V 6,8 V 15 ohms
PZM16NB,115 NXP USA Inc. PZM16NB, 115 -
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ECAD 2203 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM16 300 MW SMT3; Mpak - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,1 V @ 100 mA 70 na @ 12 V 16 V 20 ohms
PDTB123TS,126 NXP USA Inc. PDTB123TS, 126 -
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ECAD 7639 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Box (TB) Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes PDTB123 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 2,5 mA, 50mA 100 @ 50mA, 5V 2,2 kohms
PDZ5.6B145 NXP USA Inc. PDZ5.6B145 0,0200
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ECAD 5046 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.10.0050 12 807
2PC1815Y,126 NXP USA Inc. 2pc1815y, 126 -
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ECAD 1198 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Box (TB) Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 2pc18 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
BUK9Y98-80E,115 NXP USA Inc. Buk9y98-80e, 115 -
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ECAD 6303 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif - Support de surface SC-100, SOT-669 Buk9y98 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934067034115 EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 80 V - - - - -
BLF4G20-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20-110B, 112 -
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ECAD 8688 0,00000000 NXP USA Inc. - Plateau Obsolète 65 V Soutenir de châssis SOT-502A BLF4 1,93 GHz ~ 1,99 GHz LDMOS Le Plus Grand télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 60 12A 700 mA 100W 13,5 dB - 28 V
BUK7Y72-80EX NXP USA Inc. Buk7y72-80ex -
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ECAD 3237 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 80 V 16A (TC) 10V 72MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 9.8 NC @ 10 V ± 20V 633 PF @ 25 V - 45W (TC)
MRF6S27015GNR1 NXP USA Inc. MRF6S27015GNR1 -
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ECAD 5511 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V Support de surface À 270ba MRF6 2,6 GHz LDMOS À 270-2 Goéland télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 500 - 160 mA 3W 14 dB - 28 V
BCW61D,215 NXP USA Inc. BCW61D, 215 0,0300
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ECAD 538 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif BCW61 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000
MRFE6VP8600HR6 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HR6 -
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ECAD 8560 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic 130 V Soutenir de châssis NI-1230 MRFE6 860 MHz LDMOS NI-1230 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 5A991G 8541.29.0075 150 Double - 1.4 A 125W 19,3 dB - 50 V
PMCM6501VNEZ NXP USA Inc. PMCM6501VNEZ 0,2000
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ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-xfbga, wlcsp MOSFET (Oxyde Métallique) 6-WLCSP (1.48x0.98) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 528 Canal n 12 V 7.3a (TA) 1,5 V, 4,5 V 18MOHM @ 3A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 24 NC @ 4,5 V ± 8v 920 pf @ 6 V - 556MW (TA), 12,5W (TC)
PDTA143ZEF,115 NXP USA Inc. PDTA143ZEF, 115 -
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ECAD 9650 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-89, SOT-490 PDTA143 250 MW SC-89 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 4 000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pré-biaisé 100 mV à 250µa, 5mA 100 @ 10mA, 5V 4,7 kohms 47 kohms
BUK9675-55A118 NXP USA Inc. BUK9675-55A118 0,4800
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ECAD 1 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger EAR99 8541.29.0095 683
1PS59SB15,115 NXP USA Inc. 1PS59SB15,115 -
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ECAD 8910 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 1PS59 Schottky SMT3; Mpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 1 paire la commune de cathode 30 V 200mA (DC) 800 mV à 100 mA 5 ns 2 µA @ 25 V 125 ° C (max)
MRF6S23140HSR5 NXP USA Inc. MRF6S23140HSR5 -
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ECAD 5922 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V Support de surface Ni-880 MRF6 2,39 GHz LDMOS Ni-880 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 50 - 1.3 A 28W 15.2db - 28 V
BZX284-C36,115 NXP USA Inc. BZX284-C36,115 -
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ECAD 5753 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface SOD-110 BZX284 400 MW SOD-110 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 25,2 V 36 V 60 ohms
BC550C,116 NXP USA Inc. BC550C, 116 -
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ECAD 2803 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC55 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 2 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
BB182LX,315 NXP USA Inc. BB182LX, 315 -
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ECAD 5524 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Support de surface SOD-882 BB18 Sod2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 10 000 2 89pf @ 28v, 1MHz Célibataire 32 V 22 C1 / C28 -
BZX84-C22/LF1VL NXP USA Inc. Bzx84-c22 / lf1vl -
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ECAD 8702 0,00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C22 250 MW SOT-23 (à 236ab) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934069449235 EAR99 8541.10.0050 3 000 900 mV @ 10 mA 50 na @ 15,4 V 22 V 55 ohms
NZX13B133 NXP USA Inc. Nzx13b133 1 0000
RFQ
ECAD 6981 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger EAR99 8541.10.0050 1
ON5407,135 NXP USA Inc. On5407,135 -
RFQ
ECAD 3145 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 261-4, à 261aa On5407 - - SC-73 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934059372135 EAR99 8541.29.0095 4 000 - - - - -
MHTG1200HSR3 NXP USA Inc. MHTG1200HSR3 99.3479
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ECAD 2583 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 50 V Support de surface NI-780S-4L 2,4 GHz ~ 2,5 GHz Gan NI-780S-4L - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 568-MHTG1200HSR3TR EAR99 8541.29.0095 250 2 N-Canal - 300W - -
2PC4081R,115 NXP USA Inc. 2pc4081r, 115 0,0200
RFQ
ECAD 990 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif 2pc40 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock