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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
BAW156235	0,0300	RFQ	1724	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BAW156					télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0070	7 000
BT137-600 / DG / L01127	0,2800	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.30.0080	1 065
BTA410-600ET, 127	0.4900	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3					À 220ab	télécharger				EAR99	8541.30.0080	614	Célibataire				15 mA														Logique - Porte sensible	600 V	10 a	1,5 V	100A, 110A	10 mA
PhM25NQ10T, 518	-	RFQ	1684	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	Phm25		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-HVSON (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						100 V	30,7a (TC)	10V	30MOHM @ 10A, 10V	4V @ 1MA	26,6 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 20 V	-	62,5W (TC)
PMEG2015EPK, 315	0,0900	RFQ	386	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface	2-xdfn			Schottky		DFN1608D-2	télécharger				EAR99	8541.10.0080	3 256		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									20 V		420 MV @ 1,5 A	5 ns	350 µA @ 10 V	150 ° C (max)	1.5a	120pf @ 1v, 1MHz
BYC8X-600,127	0,4800	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Par le trou	À 220-2 EXCHET			Standard		À 220f	télécharger				EAR99	8541.10.0080	630		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									600 V		2,9 V @ 8 A	52 ns	150 µA à 600 V	150 ° C (max)	8a	-
MMRF1004NR1	31.9300	RFQ	449	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V		Support de surface	À 270aa	MMRF1004	2,17 GHz	LDMOS		À 270-2	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	500				-		130 mA	10W	15,5 dB																	-												28 V
BUK663R7-75C, 118	-	RFQ	9920	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1			Canal n						75 V	120A (TC)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 25A, 10V	2,8 V @ 1MA	234 NC @ 10 V	± 16V	15450 pf @ 25 V	-	306W (TC)
BAS70-05235	0,0200	RFQ	26	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface		BAS70		Schottky			télécharger				EAR99	8541.10.0070	1		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																								1 paire la commune de cathode	70 V	70mA (DC)	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150 ° C (max)
PMEG4002ESF315	1 0000	RFQ	2327	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0070	9 000
BT236X-600G, 127	-	RFQ	6502	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			125 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé					À 220f	télécharger				EAR99	8541.30.0080	1	Célibataire				40 mA														Standard	600 V	6 A	1,5 V	65a, 71a	50 mA
PMEG2010EPASX	0,0800	RFQ	30	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif				Support de surface	Pad Exposé 3-UDFN			Schottky		DFN2020D-3	télécharger				EAR99	8541.10.0080	3 699		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									20 V		375 MV @ 1 A	50 ns	335 µA @ 20 V	150 ° C (max)	1A	175pf @ 1v, 1MHz
PDTC144VS, 126	-	RFQ	8258	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète				Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	PDTC144			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	2 000																																			50 V	100 mA		1 µA			NPN - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	40 @ 5mA, 5V		47 kohms	10 kohms
BZV55-C12,135	-	RFQ	2755	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 MW	LLDS; Minime	télécharger					0000.00.0000	1																													900 mV @ 10 mA		100 na @ 8 V								12 V	25 ohms
MRF6S9125NR1	-	RFQ	3126	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V		Support de surface	À 270ab	MRF6	880 MHz	LDMOS		À 270 WB-4	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	500				-		950 mA	27W	20,2 dB																	-												28 V
BAT54C / S501215	0,0300	RFQ	399	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, BAT54	En gros	Actif				Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54		Schottky		SOT-23-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0070	3 000		Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse																								1 paire la commune de cathode	30 V	200mA (DC)	800 mV à 100 mA	5 ns	2 µA @ 25 V	150 ° C (max)
PMEG3002AESF315	-	RFQ	5441	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PMEG3002					-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0070	9 000
BUJD203AD, 118	-	RFQ	6387	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				80 W	Dpak	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1																																			425 V	4 A		100 µA			NPN	1V @ 600mA, 3A	11 @ 2A, 5V	-
BAS316 / ZLF	-	RFQ	5798	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	SC-76, SOD-323	BAS31		Standard		SOD-323	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	10 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									100 V		1,25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (max)	215mA	1,5pf @ 0v, 1MHz
PMEG3002ESFC315	0,0500	RFQ	63	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PMEG3002					télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.10.0070	9 000
BUK663R5-55C, 118	0,7200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Buk66					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	800
PDTA124XMB, 315	0,0200	RFQ	154	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface	SC-101, SOT-883	PDTA124			250 MW	DFN1006B-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																																			50 V	100 mA		1 µA			PNP - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	80 @ 5mA, 5V	180 MHz	22 kohms	47 kohms
BZX79-C11,113	-	RFQ	3509	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Bzx79					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000
BZX384-B2V4,115	0,0200	RFQ	7031	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BZX384					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000
BLT81,115	-	RFQ	3183	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			175 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	BLT8			2W	SC-73	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1 000								8 dB																											9.5V	500mA					NPN		25 @ 300mA, 5V	900 MHz			-
PDTA113EMB, 315	0,0200	RFQ	140	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface	SC-101, SOT-883	PDTA113			250 MW	DFN1006B-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																																			50 V	100 mA		100NA (ICBO)			PNP - Pré-biaisé	150 MV à 1,5 mA, 30mA	30 @ 40mA, 5V	180 MHz	1 kohms	1 kohms
PZU4.7B3,115	-	RFQ	8389	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PZU4.7					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000
BZX585-C2V4135	0,0300	RFQ	104	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger				EAR99	8541.10.0050	10 764
BZB84-B15,215	1 0000	RFQ	9395	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				300 MW	SOT-23	télécharger				EAR99	8541.10.0050	1	1 paire Commune d'anode																												900 mV @ 10 mA		50 na @ 10,5 V								15 V	30 ohms
1PS184,135	-	RFQ	5233	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	1PS18		Standard		SMT3; Mpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0070	10 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								1 paire la commune de cathode	80 V	215mA (DC)	1,2 V @ 100 mA	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (max)