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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF6S18100NBR1 | - |  | 7298 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | À 272bb | MRF6 | 1,99 GHz | LDMOS | À 272 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 900 mA | 100W | 14,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114YU, 115 | 0,0200 | | 9657 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT258-800R, 127 | - | | 3090 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | À 220-3 | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 6 mA | 800 V | 8 A | 1,5 V | 75a, 82a | 200 µA | 1,6 V | 5 a | 500 µA | Porte sensible | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA208-800F, 127 | 0,3500 | | 39 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 760 | Célibataire | 30 mA | Standard | 800 V | 8 A | 1,5 V | 65a, 71a | 25 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP1321-04215 | - | | 7488 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW156 / ZLVL | - | | 3336 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW156 | Standard | SOT-23 (à 236ab) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire Commune d'anode | 75 V | 160mA (DC) | 1,25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV10X-600P127 | 1 0000 | | 4140 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 2 V @ 10 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf6v3090nr5 | - | | 7743 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 110 V | Support de surface | À 270ab | MRF6 | 860 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 935321513578 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 350 mA | 18W | 22 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4002ESFC315 | 0,0400 | | 135 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 9 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM5.6NB, 115 | - | | 1780 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM5.6 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µA @ 2,5 V | 5.6 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1212R, 215 | - | | 4180 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 6 V | Support de surface | SOT-143R | BF121 | 400 MHz | Mosfet | SOT-143R | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 12 mA | - | 30 dB | 0,9 dB | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu4.7b3a115 | - | | 2229 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µA @ 1 V | 4.7 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK768R1-100E, 118 | - | | 6225 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 100A (TC) | 10V | 8.1MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 7380 PF @ 25 V | - | 263W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9608-55A, 118 | - | | 2117 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk96 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdz6.8b / zlx | - | | 4799 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | PDZ6.8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934068945115 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S9160HSR3 | - | | 8085 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF6 | 880 MHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 A | 35W | 20,9 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT854SW, 115 | - | | 3726 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bat85 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF1100R, 235 | - | | 2013 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 14 V | Support de surface | SOT-143R | BF110 | 800 MHz | Mosfet | SOT-143R | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934036560235 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 10 mA | - | - | 2db | 9 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT21H350W03SR6 | - | | 1901 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | AFT21 | 2,11 GHz | LDMOS | NI-1230 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | - | 750 mA | 63W | 16,4 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1PS301,115 | 0,0300 | | 438 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1PS30 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS300,115 | 0,0300 | | 83 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1PS30 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK762R0-40C, 118 | 0,9200 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk76 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T18H100-25SR3 | 141.2360 | | 6878 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | 65 V | Soutenir de châssis | NI-780-4S4 | A2T18 | 1,81 GHz | LDMOS | NI-780-4S4 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935312027128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 230 mA | 18W | 18.1 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C9V1,215 | 0,0200 | | 19 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG3010ESB315 | 0,0400 | | 429 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA123TK, 115 | - | | 7315 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA123 | 250 MW | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2,2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C6V2,135 | 0,0200 | | 190 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS84AKW / DG / B2215 | 0,0500 | | 81 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B30,113 | 0,0200 | | 7052 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PN2222A, 116 | - | | 4478 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PN22 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300 MHz |
2000+
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30 000 000
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