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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Rapport de capacité	Condition de rapport de capacité	Q @ VR, F
MRF8P20165WHR3	-	RFQ	7118	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	NI-780-4	MRF8P20165	1,98 GHz ~ 2,01 GHz	LDMOS		NI-780-4	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935314476128	EAR99	8541.29.0075	250	Double		-	550 mA	37w	14,8 dB											-						28 V
MRF6S9125MBR1	-	RFQ	7183	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V			À 272-4	MRF6	880 MHz	LDMOS		À 272 WB-4	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	500			-	950 mA	27W	20,2 dB											-						28 V
BUK9524-55A, 127	-	RFQ	7249	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Buk95		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					55 V	46A (TC)	4,5 V, 10V	21.7MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA		± 10V	1815 PF @ 25 V	-	105W (TC)
MRF6S27050HR3	-	RFQ	7271	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF6	2,62 GHz	LDMOS		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	250			-	500 mA	7W	16 dB											-						28 V
Php96nq03lt, 127	-	RFQ	8301	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Php96		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					25 V	75A (TC)	5v, 10v	4,95 mohm @ 25a, 10v	2v @ 1MA	26,7 NC @ 5 V	± 20V	2200 pf @ 25 V	-	115W (TC)
PhD22NQ20T, 118	-	RFQ	7617	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	PhD22		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n					200 V	21.1a (TC)	10V	120 MOHM @ 12A, 10V	4V @ 1MA	30,8 NC @ 10 V	± 20V	1380 pf @ 25 V	-	150W (TC)
Mrf6p21190hr5	-	RFQ	3990	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V		Soutenir de châssis	NI-1230	MRF6	2,12 GHz	LDMOS		NI-1230	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.9 A	44W	15,5 dB											-						28 V
AFT21S232SR5	-	RFQ	6854	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	Ni-780	AFT21	2,11 GHz	LDMOS		Ni-780	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		5A991G	8541.29.0095	50			-	1,5 A	50W	16,7 dB											-						28 V
BB153,135	-	RFQ	6569	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	SC-76, SOD-323	BB15				SOD-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	10 000																				2 754pf @ 28v, 1MHz				Célibataire	32 V										15	C1 / C28	-
PDTC144TMB315	0,0200	RFQ	189	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger					EAR99	8541.21.0075	1
Mrf5p21045nr1	-	RFQ	7304	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Support de surface	À 270ab	MRF5	2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		À 270 WB-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	500	Double		-	500 mA	10W	14,5 dB											-						28 V
PZU15BL, 315	1 0000	RFQ	7780	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 5%		-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-882				250 MW	DFN1006-2	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																		1,1 V @ 100 mA	50 na @ 11 V								15 V	15 ohms
BF1201WR, 115	-	RFQ	1974	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		10 V		Support de surface	SC-82A, SOT-343	BF120	400 MHz	Mosfet		CMPAK-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Double Porte de Canal N-Canal		30m	15 mA	-	29 dB											1 dB						5 V
PBLS4004V, 115	-	RFQ	8002	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	SOT-563, SOT-666	PBLS4004			300mw	SOT-666	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	4 000																					50v, 40v	100mA, 500mA				1 µA			1 NPN Pré-biaisé, 1 PNP	150 mV à 500 µA, 10mA / 350mV à 50ma, 500mA	60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V	300 MHz	22 kohms	22 kohms
MMRF1013HR5	-	RFQ	6834	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-979A	MMRF1013	2,9 GHz	LDMOS		NI-1230-4H	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935322103178	EAR99	8541.29.0075	50	Double		-	100 mA	320W	13,3 dB											-						30 V
BST16,115	-	RFQ	6891	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa	BST1			1,3 W	SOT-89-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000																					300 V	200 mA				100NA (ICBO)			Pnp	750 MV à 5MA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	15 MHz
BUK9535-55A127	0,2700	RFQ	2233	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	940		Canal n					55 V	34A (TC)	4,5 V, 10V	32MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA		± 10V	1173 PF @ 25 V	-	85W (TC)
PBHV9515QA147	0,0800	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 974
BZX79-B62,113	0,0200	RFQ	19	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				400 MW	Alf2	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																		900 mV @ 10 mA	50 na @ 43,4 V								62 V	215 ohms
BC807-16 / 6215	0,0200	RFQ	339	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000
Mrf6v12250hr3	-	RFQ	1994	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		100 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF6	1,03 GHz	LDMOS		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	250			-	100 mA	275W	20,3 dB											-						50 V
BLF8G22L-160BV, 118	-	RFQ	6769	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				Soutenir de châssis	SOT-1120B	BLF8G22	-	-		CDFM6	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	100	-		-		-	-											-
BC547b, 112	-	RFQ	1307	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC54			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000																					45 V	100 mA				15NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	100 MHz
BFS19,215	0,0900	RFQ	66	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BFS19					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000
MRF19085LR5	-	RFQ	3474	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF19	1,93 GHz ~ 1,99 GHz	LDMOS		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.31.0001	50			-	850 mA	18W	13db											-						26 V
PMSS3904,115	0,0200	RFQ	236	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PMSS3					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000
PDTC143XEF, 115	-	RFQ	8858	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	SC-89, SOT-490	PDTC143			250 MW	SC-89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	4 000																					50 V	100 mA				1 µA			NPN - Pré-biaisé	100 mV à 500 µA, 10mA	50 @ 10mA, 5V		4,7 kohms	10 kohms
BC53PAS115	0,0600	RFQ	48	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000
Mrf7s21110hr5	-	RFQ	9377	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF7	2,17 GHz	LDMOS		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.1 A	33W	17,3 dB											-						28 V
PSMN012-25ylc, 115	-	RFQ	1882	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SC-100, SOT-669	Psmn0		MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 500		Canal n					25 V	33A (TC)	4,5 V, 10V	12.6MOHM @ 10A, 10V	1,95 V @ 1MA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	528 pf @ 12 V	-	26W (TC)