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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BB202,115 | 0,8000 |  | 8811 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BB202 | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 11.2pf à 2,3 V, 1 MHz | Célibataire | 6 V | 2.5 | C0.2 / C2.3 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU8.2B3A115 | - | | 2738 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C4V3,115 | - | | 2607 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM8.2NB3,115 | - | | 5276 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Pzm8.2 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C56,115 | 0,0200 | | 9535 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA312-600CT, 127 | 1 0000 | | 5049 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Célibataire | 35 mA | Standard | 600 V | 12 A | 1,5 V | 95a, 105a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ4.3b, 115 | - | | 8180 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDZ4.3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM2.7NB2A, 115 | - | | 5902 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Pzm2.7 | 220 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B43,215 | 0,0300 | | 12 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 30,1 V | 43 V | 150 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT3906 / DG215 | 0,0200 | | 249 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMBT3906 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847CW / ZL115 | 0,0300 | | 180 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Php63nq03lt, 127 | - | | 6309 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 68,9A (TC) | 5v, 10v | 13MOHM @ 25A, 10V | 2,5 V @ 1MA | 9,6 NC @ 5 V | ± 20V | 920 PF @ 25 V | - | 111W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK752R3-40C, 127 | - | | 1858 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2,3MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 175 NC @ 10 V | ± 20V | 11323 PF @ 25 V | - | 333W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD55N03LTA, 118 | - | | 2500 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | PhD55 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 55A (TC) | 5v, 10v | 14MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 20 nc @ 5 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Psmn9r0-30yl, 115 | - | | 3614 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | Psmn9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 30 V | 61a (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 15A, 10V | 2.15v @ 1mA | 17.8 NC @ 10 V | ± 20V | 1006 pf @ 12 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PhD22NQ20T, 118 | - | | 7617 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | PhD22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 21.1a (TC) | 10V | 120 MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 1MA | 30,8 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Php45nq10ta, 127 | - | | 7128 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | - | Par le trou | À 220-3 | Php45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934059957127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 47a (TC) | 25MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 61 NC @ 10 V | 2600 pf @ 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S27050HR3 | - | | 7271 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF6 | 2,62 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 500 mA | 7W | 16 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf1535fnt1 | - | | 9304 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 40 V | Soutenir de châssis | À 272ba | MRF15 | 520 MHz | LDMOS | À 272-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | 6A | 500 mA | 35W | 13,5 dB | - | 12,5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFU550XR215 | 1 0000 | | 5363 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMRF5016HSR5 | - | | 7750 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 48 V | Support de surface | NI-400S-2S | MMRF5 | 1,8 GHz ~ 2,2 GHz | Ourlet | NI-400S-2S | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 935331343528 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 250 | - | 32W | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB33XN, 115 | 0,0800 | | 141 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-XFDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dfn1010b-6 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 4.3A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 47MOHM @ 4,3A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 7,6 NC @ 4,5 V | ± 12V | 505 PF @ 15 V | - | 1.5W (TA), 8,3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19200HSR3 | - | | 7164 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 66 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF6 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6 A | 56W | 17,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZH8V2B, 115 | 0,0300 | | 27 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzh8 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu3.6ba, 115 | 0,0300 | | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 11 010 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumh2 / he115 | 0,0300 | | 27 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX17,235 | 0,0300 | | 133 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 927 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 620 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 80 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC849BW, 115 | 0,0200 | | 671 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB14,115 | - | | 7657 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PEMB1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144EMB315 | 0,0300 | | 72 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 |
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