SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type triac Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Silhouette Tension - en Avant (vf) (max) @ si Courant - FUITE INVERSEE @ VR Tension - test Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT)
BF1100WR,115 NXP USA Inc. BF1100WR, 115 -
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ECAD 6703 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 14 V Support de surface SC-82A, SOT-343 BF110 800 MHz Mosfet CMPAK-4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Double Porte de Canal N-Canal 30m 10 mA - - 2db 9 V
PDZ6.8B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ6.8B / ZL115 -
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ECAD 6779 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.10.0050 3 000
MRF6S19140HR3 NXP USA Inc. MRF6S19140HR3 -
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ECAD 5183 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V Soutenir de châssis SOT-957A MRF6 1,93 GHz ~ 1,99 GHz LDMOS NI-880H-2L télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 5A991G 8541.29.0075 250 - 1,15 a 29W 16 dB - 28 V
PH1875L,115 NXP USA Inc. PH1875L, 115 -
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ECAD 2801 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 Ph18 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 75 V 45,8A (TC) 4,5 V, 10V 16,5MOHM @ 20A, 10V 2v @ 1MA 33,4 NC @ 5 V ± 15V 2600 pf @ 25 V - 62,5W (TC)
PSMN057-200P,127 NXP USA Inc. PSMN057-200P, 127 1.4600
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ECAD 4 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Psmn0 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000
PDTD114EU135 NXP USA Inc. PDTD114EU135 0,0400
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ECAD 30 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0075 10 000
BF998R,215 NXP USA Inc. BF998R, 215 -
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ECAD 7525 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 12 V Support de surface SOT-143R BF998 200 MHz Mosfet SOT-143R télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Double Porte de Canal N-Canal 30m 10 mA - - 0,6 dB 8 V
BT131-800D,112 NXP USA Inc. BT131-800D, 112 0 1200
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ECAD 10 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif 125 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) To-92-3 télécharger EAR99 8541.30.0080 2 404 Célibataire 5 mA Logique - Porte sensible 800 V 1 a 1,5 V 12.5A, 13.8A 3 mA
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. A2T18H410-24SR6 -
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ECAD 7044 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Soutenir de châssis NI-1230-4LS2L A2T18 1,81 GHz LDMOS NI-1230-4LS2L télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 935323767128 EAR99 8541.29.0075 150 Double - 800 mA 71w 17,4 dB - 28 V
PMDPB28UN,115 NXP USA Inc. PMDPB28UN, 115 -
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ECAD 4161 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-UDFN PMDPB MOSFET (Oxyde Métallique) 510mw 6-Huson (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 4.6a 37MOHM @ 4.6A, 4,5 V 1V @ 250µA 4.7nc @ 4,5 V 265pf @ 10v Porte de Niveau Logique
BUK7Y6R0-60EX NXP USA Inc. Buk7y6r0-60ex -
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ECAD 7606 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SC-100, SOT-669 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 télécharger 0000.00.0000 1 Canal n 60 V 100A (TC) 10V 6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 45,4 NC @ 10 V ± 20V 4021 PF @ 25 V - 195W (TC)
PMF63UN,115 NXP USA Inc. PMF63UN, 115 -
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ECAD 8604 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 PMF63 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 1.8A (TA) 1,8 V, 4,5 V 74MOHM @ 1.8A, 4,5 V 1V @ 250µA 3,3 NC @ 4,5 V ± 8v 185 PF @ 10 V - 275MW (TA), 1 785W (TC)
BF904AWR,115 NXP USA Inc. BF904AWR, 115 -
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ECAD 4937 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 7 V Support de surface SC-82A, SOT-343 BF904 200 MHz Mosfet CMPAK-4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Double Porte de Canal N-Canal 30m 10 mA - - 1 dB 5 V
ACTT4X-800C,127 NXP USA Inc. ACTT4X-800C, 127 0,3000
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ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif 125 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé À 220f télécharger EAR99 8541.30.0080 995 Célibataire 35 mA Standard 800 V 4 A 1 V 35a, 39a 35 mA
PHK12NQ10T,518 NXP USA Inc. Phk12nq10t, 518 -
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ECAD 3680 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Phk12 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme 2 (1 AN) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 11.6a (TC) 10V 28MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA 35 NC @ 10 V ± 20V 1965 PF @ 25 V - 8.9W (TC)
BUK7E1R6-30E,127 NXP USA Inc. BUK7E1R6-30E, 127 -
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ECAD 8847 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Buk7 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 30 V 120A (TC) 10V 1,6 mohm @ 25a, 10v 4V @ 1MA 154 NC @ 10 V ± 20V 11960 PF @ 25 V - 349W (TC)
MRF7S15100HSR3 NXP USA Inc. MRF7S15100HSR3 -
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ECAD 5839 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Soutenir de châssis Ni-780 MRF7 1,51 GHz LDMOS Ni-780 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 935317045128 EAR99 8541.29.0075 250 - 600 mA 23W 19,5 dB - 28 V
AFT18S230-12NR3 NXP USA Inc. AFT18S230-12NR3 -
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ECAD 3805 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V Soutenir de châssis OM-780-2L2L AFT18 1,88 GHz LDMOS OM-780-2L2L télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 935312781528 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4 A 50W 17,6 dB - 28 V
MRF6S19100MR1 NXP USA Inc. MRF6S19100MR1 -
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ECAD 9469 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V À 270-4 MRF6 1,99 GHz LDMOS À 270 WB-4 télécharger Rohs non conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 500 - 950 mA 22W 14,5 dB - 28 V
2N7000,126 NXP USA Inc. 2N7000,126 -
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ECAD 8714 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 2N70 MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 Canal n 60 V 300mA (TC) 4,5 V, 10V 5OHM @ 500mA, 10V 2v @ 1MA ± 30V 40 pf @ 10 V - 830mw (TA)
BF909,215 NXP USA Inc. BF909,215 -
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ECAD 8738 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 7 V Support de surface À 253-4, à 253aa BF909 800 MHz Mosfet SOT-143B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Double Porte de Canal N-Canal 40m 15 mA - - 2db 5 V
BLC8G27LS-140AV518 NXP USA Inc. BLC8G27LS-140AV518 1 0000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0075 100
MRF6S21190HR3 NXP USA Inc. MRF6S21190HR3 -
RFQ
ECAD 6484 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V Soutenir de châssis SOT-957A MRF6 2,11 GHz ~ 2,17 GHz LDMOS NI-880H-2L télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6 A 54W 16 dB - 28 V
MRF8S18260HR5 NXP USA Inc. MRF8S18260H5 -
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ECAD 6992 0,00000000 NXP USA Inc. - Tube Obsolète 65 V Soutenir de châssis SOT-1110A MRF8 1,81 GHz LDMOS NI1230-8 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 5A991G 8541.29.0075 50 Double - 1.6 A 74W 17,9 dB - 30 V
PMN49EN,135 NXP USA Inc. PMN49en, 135 -
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ECAD 7237 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 PMN4 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-74 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 30 V 4.6a (TC) 4,5 V, 10V 47MOHM @ 2A, 10V 2v @ 1MA 8,8 NC @ 4,5 V ± 20V 350 pf @ 30 V - 1,75W (TC)
BZX585-C16,115 NXP USA Inc. BZX585-C16,115 0,0300
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ECAD 31 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 télécharger EAR99 8541.10.0050 10 764 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 11,2 V 16 V 40 ohms
BUK6C3R3-75C,118 NXP USA Inc. BUK6C3R3-75C, 118 -
RFQ
ECAD 3614 0,00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak-7 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 75 V 181a (TC) 10V 3,4MOHM @ 90A, 10V 2,8 V @ 1MA 253 NC @ 10 V ± 16V 15800 pf @ 25 V - 300W (TC)
BZX384-C5V6/ZLX NXP USA Inc. BZX384-C5V6 / ZLX -
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ECAD 3174 0,00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Obsolète ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface SC-76, SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934068953115 OBSOLÈTE 0000.00.0000 3 000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 700 mV 5.6 V 40 ohms
NX7002AK.R NXP USA Inc. Nx7002ak.r -
RFQ
ECAD 7279 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Obsolète NX70 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté OBSOLÈTE 0000.00.0000 1
A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc. A2T21H140-24SR3 -
RFQ
ECAD 7065 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 65 V OM780-4 A2T21 2,11 GHz ~ 2,17 GHz LDMOS OM780-4 télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 935340104128 EAR99 8541.29.0075 250 Double 10 µA 350 mA 169W 17,4 dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock