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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
BFU590Q115	0,5000	RFQ	106	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0075	1 000
BC557b, 116	-	RFQ	9390	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC55			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	2 000																				45 V	100 mA		15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	220 @ 2MA, 5V	100 MHz
PMN23UN, 165	-	RFQ	1948	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-74, SOT-457	PMN2		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-74	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	10 000		Canal n					20 V	6.3A (TC)	1,8 V, 4,5 V	28MOHM @ 2A, 4,5 V	700 MV @ 1MA (TYP)	10.6 NC @ 4,5 V	± 8v	740 pf @ 10 V	-	1,75W (TC)
PSMN3R7-25ylc, 115	-	RFQ	7551	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SC-100, SOT-669	Psmn3		MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 500		Canal n					25 V	97a (TC)	4,5 V, 10V	3,9MOHM @ 20A, 10V	1,95 V @ 1MA	21,6 NC @ 10 V	± 20V	1585 PF @ 12 V	-	64W (TC)
BUK7214-75B, 118	-	RFQ	9154	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Buk72					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 500
Php14nq20t, 127	-	RFQ	8953	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Php14		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					200 V	14A (TC)	10V	230MOHM @ 7A, 10V	4V @ 1MA	38 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 25 V	-	125W (TC)
PZM24NB, 115	-	RFQ	7292	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Pzm24			300 MW	SMT3; Mpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000																		1,1 V @ 100 mA	70 na @ 19 V					24 V	30 ohms
BUK661R8-30C, 118	1.1300	RFQ	1	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					30 V	120A (TC)	4,5 V, 10V	1,9MOHM @ 25A, 10V	2,8 V @ 1MA	168 NC @ 10 V	± 16V	10918 PF @ 25 V	-	263W (TC)
PMBT2222ays115	0,0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PMBT2222					télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	1
PDTC114YS, 126	-	RFQ	1319	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète				Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	PDTC114			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	2 000																				50 V	100 mA		1 µA			NPN - Pré-biaisé	100 mV à 250µa, 5mA	100 @ 5mA, 5V		10 kohms	47 kohms
Phw80nq10t, 127	-	RFQ	9408	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	PHW80		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n					100 V	80A (TC)	10V	15MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	109 NC @ 10 V	± 20V	4720 PF @ 25 V	-	263W (TC)
PDTD113EQA147	-	RFQ	1306	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	5 000
BZV85-C7V5,113	0,0400	RFQ	122	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Bzv85					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	5 000
PMDPB30XN / S711115	-	RFQ	5269	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0095	3 000
PMV45en, 215	-	RFQ	3766	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV4		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23 (à 236ab)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n					30 V	5.4a (TC)	4,5 V, 10V	42MOHM @ 2A, 10V	2v @ 1MA	9.4 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 30 V	-	280mw (TJ)
BC549C, 112	-	RFQ	3670	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC54			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	1 000																				30 V	100 mA		15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
PZM13NB1,115	-	RFQ	2578	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM13			300 MW	SMT3; Mpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000																		1,1 V @ 100 mA	100 na @ 10 V					13 V	10 ohms
Mrf8p20140whr5	-	RFQ	1100	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		65 V		Soutenir de châssis	NI-780-4	MRF8	1,88 GHz ~ 1,91 GHz	LDMOS		NI-780-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	5A991G	8541.29.0075	50	Double		-	500 mA	24W	16 dB											-					28 V
NZX24B, 133	0,0200	RFQ	27	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Nzx2					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000
BC639,116	-	RFQ	3889	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC63			830 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	2 000																				80 V	1 a		100NA (ICBO)			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	63 @ 150mA, 2V	180 MHz
PZU7.5B1A115	-	RFQ	4304	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger					0000.00.0000	1
BFG67 / X, 215	-	RFQ	9908	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			175 ° C (TJ)	Support de surface	À 253-4, à 253aa	BFG67			380mw	SOT-143B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000						-														10V	50m					NPN		60 @ 15mA, 5V	8 GHz			1,3 dB à 1Hz
BC817-16W, 135	0,0200	RFQ	40	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC817			200 MW	SOT-323	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																				45 V	500 mA		100NA (ICBO)			NPN	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	100 MHz
BF1211,215	-	RFQ	2570	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		6 V		Support de surface	À 253-4, à 253aa	BF121	400 MHz	Mosfet		SOT-143B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000	Double Porte de Canal N-Canal		30m	15 mA	-	29 dB											0,9 dB					5 V
PDTD113ES, 126	-	RFQ	9705	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète				Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	Pdtd113			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	2 000																				50 V	500 mA		500NA			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 2,5 mA, 50mA	33 @ 50mA, 5V		1 kohms	1 kohms
BC847cqaz	0,0300	RFQ	84	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 3-XDFN				280 MW	Dfn1010d-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	9 947																				45 V	100 mA		15NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
MRF5S9150HSR3	-	RFQ	4217	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF5	880 MHz	LDMOS		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	250			-	1,5 A	33W	19,7 dB											-					28 V
BZX284-C9V1,115	-	RFQ	1608	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-110	BZX284			400 MW	SOD-110	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000																		1,1 V @ 100 mA	500 na @ 6 V					9.1 V	10 ohms
PDTB114EU135	-	RFQ	2077	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	1
BUK6E2R0-30C127	0,9100	RFQ	4	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					30 V	120A (TC)	10V	2,2MOHM @ 25A, 10V	2,8 V @ 1MA	229 NC @ 10 V	± 16V	14964 PF @ 25 V	-	306W (TC)