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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) | Drain de Courant (ID) - Max | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK9614-60E118 | - |  | 4428 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR505T, 115 | - | | 5108 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | BFR50 | 150mw | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | - | 15V | 18m | NPN | 60 @ 5mA, 6V | 9 GHz | 1,2 dB ~ 2,1 dB à 900 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR31,215 | - | | 3834 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR31 | 250 MW | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 4pf @ 10v | 1 ma @ 10 V | 2,5 V @ 0,5 Na | 10 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB187LX, 315 | - | | 4502 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-882 | BB18 | Sod2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 2,92pf @ 25v, 1mhz | Célibataire | 32 V | 11 | C2 / C25 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMH1,115 | - | | 2295 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PEMH1 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V12250HSR5 | 284.8516 | | 9126 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 100 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF6V12250 | 1,03 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935317106178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 mA | 275W | 20,3 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S18120HSR5 | - | | 2568 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF8 | 1,81 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935310108178 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 mA | 72W | 18.2db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VE, 115 | - | | 2590 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-75, SOT-416 | PDTC144 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 40 @ 5mA, 5V | 47 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD13003C, 126 | 0,0600 | | 22 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PhD13 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846BW / ZL, 135 | 0,0200 | | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 15 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2pc1815bl, 126 | - | | 4036 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 2pc18 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 10mA, 100mA | 350 @ 2MA, 6V | 80 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S9150HR5 | - | | 2289 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF5 | 880 MHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1,5 A | 33W | 19,7 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Phu101nq03lt, 127 | - | | 8691 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Phu10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 5v, 10v | 5,5 mohm @ 25a, 10v | 2,5 V @ 1MA | 23 NC @ 5 V | ± 20V | 2180 PF @ 25 V | - | 166W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD48,125 | - | | 3841 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pumd48 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN8R5-100XSQ | - | | 4908 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Psmn8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 49a (TJ) | 10V | 8,5 mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 5512 PF @ 50 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BF1215,115 | - | | 5905 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 6 V | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF121 | 400 MHz | Mosfet | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 19 MA | - | 30 dB | 1,5 dB | 5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC143XS, 126 | - | | 3635 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PDTC143 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 100 mV à 500 µA, 10mA | 50 @ 10mA, 5V | 4,7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB148,115 | - | | 2423 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | BB14 | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 2,75pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 30 V | 15 | C1 / C28 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S21100HSR5 | - | | 7391 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF6 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 950 mA | 23W | 15,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1108 / L, 215 | - | | 7749 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 3 V | Support de surface | À 253-4, à 253aa | BF110 | - | Mosfet | SOT-143B | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934061588215 | EAR99 | 8541.29.0075 | 3 000 | Canal n | 10m | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf5p21180hr5 | - | | 1093 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | MRF5 | 2,16 GHz | LDMOS | NI-1230 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6 A | 38W | 14 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S19100H5 | - | | 5076 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF6 | 1,99 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 mA | 22W | 16.1 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB13XNE, 115 | 0,1100 | | 18 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-XFDFN | PMPB13 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dfn1010b-6 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 876 | Canal n | 30 V | 8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 16MOHM @ 8A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 36 NC @ 4,5 V | ± 12V | 2195 PF @ 15 V | - | 1.7W (TA), 12,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX3008PBKT, 115 | - | | 5425 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | NX30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 200mA (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 4,1 ohm @ 200mA, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 0,72 NC à 4,5 V | ± 8v | 46 PF @ 15 V | - | 250mw (TA), 770MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7619-100B, 118 | - | | 6862 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Buk76 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 64a (TC) | 10V | 19MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ3.9bgw, 115 | - | | 7235 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | OT391412 | 0,0700 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Psmn6r5-25ylc / gfx | - | | 5456 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Obsolète | Psmn6 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BB131 | 0.1400 | | 547 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | SOD-323 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2832-BB131 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 055pf @ 28v, 1 MHz | Célibataire | 30 V | 16 | C0.5 / C28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB178 / L315 | 0,0900 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 |
2000+
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