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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC337-40,116 | - |  | 2291 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC33 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS216,115 | - | | 8529 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SOD-110 | BAS21 | Standard | SOD-110 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 75 V | 1,25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (max) | 250mA | 1,5pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhB55N03LTA, 118 | - | | 4559 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Phb55 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 25 V | 55A (TC) | 5v, 10v | 14MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 20 nc @ 5 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf6p9220hr3 | - | | 2989 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | NI-860C3 | MRF6 | 880 MHz | LDMOS | NI-860C3 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6 A | 47W | 20 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B8V2,235 | 0,0200 | | 109 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF19030LSR5 | - | | 1502 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-400 | MRF19 | 1,96 GHz | LDMOS | Ni-400 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8542.31.0001 | 50 | - | 300 mA | 30W | 13db | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB950UPE147 | - | | 5599 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG10020AEAELP115 | - | | 7456 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMEG10020 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP64LX / Z, 315 | - | | 2753 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2-xdfn | Bap64 | DFN1006D-2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934066319315 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 100 mA | 150 MW | 0,3pf @ 20V, 1MHz | Broche - simple | 60V | 1,5 ohm @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP5501y, 115 | 0,1000 | | 22 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMP5501 | 300mw | SOT-363 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 056 | 45v | 100 mA | 15NA (ICBO) | Paire de 2 pnp (double) appariée | 400 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 175 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf6vp21khr5 | 883.3100 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | MRF6 | 225 MHz | LDMOS | NI-1230 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 150 mA | 1000W | 24 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF7G27LS-140,112 | 102.3500 | | 18 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Actif | 65 V | SOT-502B | BLF7G27 | 2,5 GHz ~ 2,7 GHz | LDMOS | Sot502b | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 0000.00.0000 | 4 | 28a | 1.3 A | 30W | 16,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX56-16115 | 1 0000 | | 7300 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU15B1A, 115 | 0,0300 | | 12 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 12 000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 11 V | 15 V | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdz2.7b | 1 0000 | | 4342 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MHT2025NR1 | - | | 4929 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MHT20 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 935341634528 | OBSOLÈTE | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Blf574xrs112 | 192.3000 | | 47 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mrf6p24190hr6 | - | | 9448 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | MRF6 | 2,39 GHz | LDMOS | NI-1230 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935321194128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | - | 1.9 A | 40W | 14 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT134-600,127 | - | | 1237 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 ° C (TJ) | Par le trou | SOT-82 | SOT-82-3 | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 272 | Célibataire | 15 mA | Standard | 600 V | 4 A | 1,5 V | 25a, 27a | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB370UN, 315 | - | | 3565 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-xfdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN1006B-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 10 000 | Canal n | 30 V | 900mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 490MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1 05 V @ 250µA | 1.16 NC @ 15 V | ± 8v | 78 PF @ 25 V | - | 360MW (TA), 2,7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC51-10pasx | 0,0600 | | 84 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-UDFN | 420 MW | DFN2020D-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BMB315 | - | | 7265 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | 2156-BC847BMB315 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B3V3,133 | 0,0200 | | 70 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 V | 95 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B10,143 | 0,0200 | | 175 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT6428,215 | 0,0200 | | 5168 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMBT6 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP6600NR3 | 111.0900 | | 182 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 133 V | Support de surface | OM-780-4L | MRFE6 | 230 MHz | LDMOS | OM-780-4L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 100 mA | 600W | 24,7 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC123ET, 215 | 0,0200 | | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC123 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 15 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2,2 kohms | 2,2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB179B, 315 | - | | 5917 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BB17 | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | 2.25pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 32 V | 10 | C1 / C28 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN2R6-60PS127 | - | | 4559 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJD203AX, 127 | 0,3300 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bujd2 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 |
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