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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
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![]() | BAS19,235 | - | ![]() | 5775 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 100 V | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 na @ 100 V | 150 ° C (max) | 200m | 5pf @ 0v, 1mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH24,115 | 0,0400 | ![]() | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pemh2 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB179B, 335 | - | ![]() | 5502 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-79, SOD-523 | BB17 | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934053250335 | EAR99 | 8541.10.0070 | 20 000 | 2.25pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 32 V | 10 | C1 / C28 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mrfe6p3300hr5 | - | ![]() | 3327 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 66 V | Soutenir de châssis | NI-860C3 | MRFE6 | 857MHz ~ 863 MHz | LDMOS | NI-860C3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6 A | 270W | 20,4 dB | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nzx4v7d, 133 | 0,0200 | ![]() | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Nzx4 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bb173lxyl | - | ![]() | 1247 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SOD-882D | BB17 | SOD882D | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934067724315 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | 2,75pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 32 V | 15 | C1 / C28 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-C9V1115 | - | ![]() | 8128 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PhB11N06LT, 118 | - | ![]() | 5900 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | PHB11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 55 V | 10.3a (TC) | 5v, 10v | 130 MOHM @ 5.5A, 10V | 2v @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 15V | 330 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK761R5-40EJ | - | ![]() | 1259 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Buk76 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934067767118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 10V | 1 51MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 11340 PF @ 25 V | - | 349W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Phpt60610pyx | - | ![]() | 9450 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | Phpt60610 | 1,5 w | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 10 a | 100NA | Pnp | 470mV @ 1A, 10A | 120 @ 500mA, 2V | 85 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PLVA2662A, 215 | 0,0900 | ![]() | 13 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Plva2 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN009-100W, 127 | - | ![]() | 3887 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Psmn0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 100A (TC) | 10V | 9MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 214 NC @ 10 V | ± 20V | 9000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S18170HR3 | - | ![]() | 6537 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF7 | 1,81 GHz | LDMOS | NI-880H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 250 | - | 1.4 A | 50W | 17,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7E07-55B, 127 | - | ![]() | 7335 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Buk7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 7.1MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 3760 PF @ 25 V | - | 203W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX71K, 215 | 0,0200 | ![]() | 19 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 550 mV à 1,25 mA, 50mA | 380 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C10,115 | 0,1800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv49 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C2V7,115 | 0,0300 | ![]() | 99 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 764 | 1,1 V @ 100 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH2,115 | 0,0600 | ![]() | 9821 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | Pemh2 | 300mw | SOT-666 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 960 | 50v | 100 mA | 1 µA | 2 npn - Pré-biaisé (double) | 150 mV à 500 µA, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | - | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mrf085hr5 | - | ![]() | 2068 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 133 V | NI-650H-4L | MRF08 | 1,8 MHz ~ 1 215 GHz | LDMOS | NI-650H-4L | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | 7µA | 100 mA | 85W | 25,6 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S19120NR1 | - | ![]() | 3931 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | À 270ab | MRF7 | 1,99 GHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 935322767528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1.2 A | 36W | 18 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002K, 215 | - | ![]() | 2954 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 340mA (TA) | 4,5 V, 10V | 3,9 ohm @ 500mA, 10V | 2v @ 1MA | ± 15V | 40 pf @ 10 V | - | 830mw (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC115EU, 115 | - | ![]() | 1191 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pdtc11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R0-40LS, 115 | - | ![]() | 4278 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | Psmn7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1400 | Canal n | 40 V | 40A (TC) | 10V | 7MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 1MA | 21.4 NC @ 10 V | ± 20V | 1286 PF @ 12 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mrf6s21100hr5 | - | ![]() | 6555 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF6 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 950 mA | 23W | 15,9 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF5S19130H5 | - | ![]() | 6320 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF5 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | LDMOS | NI-880H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2 A | 26W | 13db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B2V7,215 | 0,0200 | ![]() | 128 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF1820-90,112 | - | ![]() | 4535 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-502A | BLF18 | 2 GHz | LDMOS | Le Plus Grand | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 12A | 750 mA | 90W | 11db | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK662R5-30C, 118-NXP | - | ![]() | 5857 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 10V | 2,8MOHM @ 25A, 10V | 2,8 V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 16V | 6960 pf @ 25 V | - | 204W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1102R, 135 | - | ![]() | 4804 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 7 V | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF110 | 800 MHz | Mosfet | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934055823135 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 40m | 15 mA | - | - | 2db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP50-05W, 115 | - | ![]() | 6725 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bap50 | SC-70 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 50 mA | 240 MW | 0,5pf @ 5v, 1 MHz | Broche - 1 paire Cathode Commune | 50v | 5OHM @ 10mA, 100MHz |
Volume de RFQ moyen quotidien
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