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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PEMD6,115 | - |  | 8814 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pemd6 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Php54n06t, 127 | - | | 5698 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php54 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 54A (TC) | 10V | 20 mohm @ 25a, 10v | 4V @ 1MA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1592 pf @ 25 V | - | 118W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1007HSR5 | 679.4412 | | 8500 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 110 V | NI-1230-4S | MMRF1007 | 1,03 GHz | LDMOS | NI-1230-4S | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935320316178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Double | - | 150 mA | 1000W | 20 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN8R5-108ES127 | - | | 4809 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB4,115 | 0,0400 | | 56 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | Pemb4 | 300mw | SOT-666 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50v | 100 mA | 1 µA | 2 PNP - Pré-biaisé (double) | 150 mV à 500 µA, 10mA | 200 @ 1MA, 5V | - | 10 kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19100HSR5 | - | | 1000 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF6 | 1,99 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 mA | 22W | 16.1 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S24250N-3STG | - | | 2591 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | MRF7S24250 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 935345449598 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C3V3,115 | - | | 3236 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv55 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C3V6,113 | 0,0200 | | 220 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C4V7,215 | 0,0200 | | 5409 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 4 147 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS303PD, 115 | 0,1100 | | 7 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbss3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS2023D, 115 | 0 1200 | | 12 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbls20 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzm4.7nb2a, 115 | - | | 7809 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM4.7 | 220 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1020-04NR3 | 266.1723 | | 2784 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 105 V | Support de surface | OM-780-4L | MMRF1020 | 920 MHz | LDMOS | OM-780-4L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 860 mA | 100W | 19,5 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143ZEF, 115 | - | | 4530 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | PDTC143 | 250 MW | SC-89 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 100 mV à 250µa, 5mA | 100 @ 10mA, 5V | 4,7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG325W / XR, 115 | - | | 5371 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-82A, SOT-343 | BFG32 | 210MW | CMPAK-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 18,3 dB | 6V | 35mA | NPN | 60 @ 15mA, 3V | 14 GHz | 1,1 dB à 2 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143EMB, 315 | 0,0300 | | 200 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | - | Support de surface | SC-101, SOT-883 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | Pnp | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 10mA, 5V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C20135 | - | | 7644 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Prll4001,115 | - | | 9868 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SOD-87 | Prll40 | Standard | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTB123YK, 115 | - | | 7325 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTB123 | 250 MW | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 50 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 2,5 mA, 50mA | 70 @ 50mA, 5V | 2,2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV25FX-600,127 | 0 2900 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 875 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,9 V @ 5 A | 35 ns | 50 µA à 600 V | 150 ° C (max) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG3005EB115 | - | | 9127 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-79, SOD-523 | PMEG3005 | Schottky | SOD-523 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 500 mV à 500 mA | 500 µA @ 30 V | 150 ° C (max) | 500mA | 30pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9608-55,118 | - | | 2196 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Buk96 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 5V | 8MOHM @ 25A, 5V | 2v @ 1MA | ± 10V | 6900 pf @ 25 V | - | 187W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT54C, 235 | 1 0000 | | 2481 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 200mA (DC) | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMSTA3904,115 | 0,0200 | | 8177 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | PMSTA | 200 MW | SC-70 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40 V | 200 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C39115 | - | | 4179 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,5 w | SOT-223 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 27,3 V | 39 V | 130 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBS3904,215 | 0,0200 | | 201 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMBS3904 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD113ZU115 | 0,0400 | | 1867 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 340 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C43,115 | 0,0200 | | 31 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC327-25,112 | - | | 9269 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC32 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 80 MHz |
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