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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
Php45nq10ta, 127	-	RFQ	7128	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-	Par le trou	À 220-3	Php45		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934059957127	EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					100 V	47a (TC)		25MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	61 NC @ 10 V		2600 pf @ 25 V	-	-
Psmn2r9-25ylc	1 0000	RFQ	9589	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger						0000.00.0000	1
BFG10W / X, 115	-	RFQ	2510	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			175 ° C (TJ)	Support de surface	Épinglage inversé SOT-343	BFG10			400mw	4-SO	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000							-																			10V	250mA					NPN		25 @ 50mA, 5V	1,9 GHz	-
MRF6S21060MBR1	-	RFQ	3648	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V			À 272-4	MRF6	2,12 GHz	LDMOS		À 272 WB-4	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	500				-	610 mA	14W	15,5 dB											-										28 V
BC337-16,112	-	RFQ	2142	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC33			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000																										45 V	500 mA		100NA (ICBO)			NPN	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	100 MHz
BF862,215	-	RFQ	5036	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		20 V		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BF862	-	Jfet		SOT-23 (à 236ab)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Canal n			25m		-	-											-
MRF8S23120HR3	-	RFQ	5902	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF8	2,3 GHz	LDMOS		NI-780H-2L	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935319465128	EAR99	8541.29.0075	250				-	800 mA	28W	16 dB											-										28 V
BZX585-B3V9135	-	RFQ	3475	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SC-79, SOD-523				300 MW	SOD-523	-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini				1																				1,1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V								3,9 V	90 ohms
BZX284-C20,115	-	RFQ	1735	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-110	BZX284			400 MW	SOD-110	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																				1,1 V @ 100 mA		50 na @ 14 V								20 V	20 ohms
BFM520,115	-	RFQ	7061	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			175 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BFM52			1W	6-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000							-																			8v	70mA					2 npn (double)		60 @ 20mA, 6V	9 GHz	1,2 dB ~ 2,1 dB à 900 MHz
PMR370XN, 115	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75, SOT-416	PMR3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal n					30 V	840mA (TC)	2,5 V, 4,5 V	440MOHM @ 200mA, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	0,65 NC à 4,5 V	± 12V	37 PF @ 25 V	-	530mw (TC)
PMV28UNEA215	-	RFQ	1192	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000
MRF6S19060NBR1	-	RFQ	5039	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		68 V		Soutenir de châssis	À 272bb	MRF6	1,93 GHz	LDMOS		À 272 WB-4	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	500				-	610 mA	12W	16 dB											-										28 V
BLF7G21LS-160,112	98.9200	RFQ	40	NXP USA Inc.	-	Tube	Actif		65 V		Monture de mariée	SOT-1121B		1,93 GHz ~ 1,99 GHz	LDMOS		Le Plus Grand	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	0000.00.0000	1	Source communal double			32,5a	1.08 A	45W	18 dB											-										28 V
MRF7S18125AHSR5	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	Ni-780	MRF7	1,88 GHz	LDMOS		Ni-780	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50				-	1.1 A	125W	17 dB											-										28 V
Mrf5p20180hr5	-	RFQ	1260	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V			NI-1230	MRF5	1,93 GHz ~ 1,99 GHz	LDMOS		NI-1230	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50				-	1.6 A	38W	14 dB											-										28 V
BAT760 / ZL115	0,0400	RFQ	2636	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0080	5 000
Psmn2r9-25ylc / gfx	-	RFQ	4100	NXP USA Inc.	*	En gros	Obsolète						Psmn2					-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
BLF6G22LS-180RN112	78.4300	RFQ	60	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0075	1
MPSA92 412	-	RFQ	5423	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	MPSA92			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 000																										300 V	100 mA		250NA (ICBO)			Pnp	500 mV @ 2MA, 20mA	25 @ 30mA, 10V	50 MHz
BYC8DX-600,127	0,4100	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Par le trou	À 220-2 EXCHET			Standard		À 220f	télécharger					EAR99	8541.10.0080	740		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																	600 V	2,9 V @ 8 A	20 ns	40 µA @ 600 V	150 ° C (max)	8a	-
PEMH10,115	-	RFQ	3415	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PEMH1					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	4 000
PSMN3R5-80ES, 127	1 4000	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif						Psmn3					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000
BUK7C3R8-80EJ	-	RFQ	8500	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif			-	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Buk7c3		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934067494118	EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					80 V	-		-	-				-	-
PMZB370UN, 315	-	RFQ	3565	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3-xfdfn			MOSFET (Oxyde Métallique)		DFN1006B-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	10 000			Canal n					30 V	900mA (TA)	1,8 V, 4,5 V	490MOHM @ 500mA, 4,5 V	1 05 V @ 250µA	1.16 NC @ 15 V	± 8v	78 PF @ 25 V	-	360MW (TA), 2,7W (TC)
PhD55N03LTA, 118	-	RFQ	2500	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	PhD55		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n					25 V	55A (TC)	5v, 10v	14MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA	20 nc @ 5 V	± 20V	950 pf @ 25 V	-	85W (TC)
2N3904 412	-	RFQ	9623	NXP USA Inc.	-	Tube	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	2N39			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000																										40 V	200 mA		50NA (ICBO)			NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300 MHz
PZM7.5NB2,115	-	RFQ	9246	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM7.5			300 MW	SMT3; Mpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	9 000																				1,1 V @ 100 mA		1 µA @ 4 V								7,5 V	10 ohms
MRF7S21210HR3	-	RFQ	5235	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF7	2,17 GHz	LDMOS		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	250				-	1.4 A	63W	18,5 dB											-										28 V
PMF77XN, 115	-	RFQ	8937	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	PMF77		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n					30 V	1.5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	97MOHM @ 1,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	2,9 NC @ 4,5 V	± 12V	170 pf @ 15 V	-	270MW (TA), 1 92W (TC)