SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Courant - Hold (IH) (Max) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type triac Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) Type Scr Silhouette Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Figure de Bruit (db typ @ f)
PBHV9515QA147 NXP USA Inc. PBHV9515QA147 0,0800
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ECAD 55 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.21.0095 3 974
ACT102H-600D,118 NXP USA Inc. ACT102H-600D, 118 0.1400
RFQ
ECAD 649 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Acte10 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 2 500
2PC4617Q,115 NXP USA Inc. 2pc4617q, 115 -
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ECAD 8755 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 2pc46 150 MW SC-75 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 200 mV @ 5mA, 50mA 120 @ 1MA, 6V 100 MHz
PMN34LN,135 NXP USA Inc. PMN34LN, 135 -
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ECAD 2284 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 PMN3 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-74 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 20 V 5.7A (TC) 4,5 V, 10V 34MOHM @ 2,5A, 10V 2v @ 1MA 13.1 NC @ 10 V ± 15V 500 pf @ 20 V - 1,75W (TC)
BT148-400R,127 NXP USA Inc. BT148-400R, 127 -
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ECAD 7550 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou SOT-82 SOT-82-3 télécharger EAR99 8541.30.0080 1 6 mA 400 V 4 A 1,5 V 35A, 38A 200 µA 1,8 V 2.5 A 500 µA Porte sensible
BY459-1500,127 NXP USA Inc. BY459-1500,127 -
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ECAD 5328 0,00000000 NXP USA Inc. - Tube Obsolète Par le trou À 220-2 BY45 Standard À 220AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934031220127 EAR99 8541.10.0080 5 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1500 V 1,3 V @ 6,5 A 350 ns 150 ° C (max) 12A -
BFT93,215 NXP USA Inc. BFT93,215 -
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ECAD 4797 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 175 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bft93 300mw SOT-23 (à 236ab) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 - 12V 35mA Pnp 20 @ 30mA, 5V 5 GHz 2,4 dB à 500 MHz
BTA316-600E,127 NXP USA Inc. BTA316-600E, 127 0,4100
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ECAD 29 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif BTA31 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.30.0080 1 000
MRF8S9220HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9220HSR3 -
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ECAD 2652 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 70 V Soutenir de châssis Ni-780 MRF8 960 MHz LDMOS Ni-780 - Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 93531047128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6 A 65W 19,4 dB - 28 V
PBSS4260PAN NXP USA Inc. PBS4260PAN 1 0000
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ECAD 4486 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif télécharger 0000.00.0000 1
PZM3.0NB1,115 NXP USA Inc. PZM3.0NB1,115 -
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ECAD 3742 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Pzm3.0 300 MW SMT3; Mpak - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,1 V @ 100 mA 10 µA @ 1 V 3 V 95 ohms
OT355,127 NXP USA Inc. OT355,127 -
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ECAD 4868 0,00000000 NXP USA Inc. - Tube Obsolète - - - OT35 - - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934057936127 EAR99 8541.30.0080 1 000 Célibataire Standard -
PMN28UN,165 NXP USA Inc. PMN28UN, 165 -
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ECAD 8166 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 PMN2 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-74 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 12 V 5.7A (TC) 1,8 V, 4,5 V 34MOHM @ 2A, 4,5 V 700 MV @ 1MA (TYP) 10.1 NC @ 4,5 V ± 8v 740 pf @ 10 V - 1,75W (TC)
BZX79-C5V1,143 NXP USA Inc. BZX79-C5V1,143 0,0200
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ECAD 131 0,00000000 NXP USA Inc. - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 400 MW Alf2 télécharger EAR99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 mA 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohms
BF1204,135 NXP USA Inc. BF1204,135 -
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ECAD 2153 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 10 V Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BF120 400 MHz Mosfet 6-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 934056334135 EAR99 8541.21.0095 10 000 Double Porte de Canal N-Canal 30m 12 mA - 30 dB 0,9 dB 5 V
PZM3.6NB2,115 NXP USA Inc. Pzm3.6nb2,115 -
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ECAD 8384 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Pzm3.6 300 MW SMT3; Mpak - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3,6 V 90 ohms
PH6530AL,115 NXP USA Inc. PH6530AL, 115 -
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ECAD 6446 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète - Support de surface SC-100, SOT-669 PH65 MOSFET (Oxyde Métallique) LFPAK56, Power-SO8 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 30 V - - - - -
BZB784-C2V4,115 NXP USA Inc. BZB784-C2V4,115 0,0300
RFQ
ECAD 23 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif BZB784 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000
PSMN8R5-100XSQ NXP USA Inc. PSMN8R5-100XSQ -
RFQ
ECAD 4908 0,00000000 NXP USA Inc. - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Psmn8 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 49a (TJ) 10V 8,5 mohm @ 10a, 10v 4V @ 1MA 100 nc @ 10 V ± 20V 5512 PF @ 50 V - 55W (TC)
PBSS305PZ,135 NXP USA Inc. PBSS305PZ, 135 0,2100
RFQ
ECAD 6 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Pbss3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 4 000
A2T09VD250NR1 NXP USA Inc. A2T09VD250NR1 47.5929
RFQ
ECAD 2461 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 105 V Support de surface Variante à 270-6, A2T09 920 MHz LDMOS À 270wb-6a télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 935320819528 EAR99 8541.29.0075 500 Double - 1 a 65W 22,5 dB - 48 V
PSMN8R5-108ESQ NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ -
RFQ
ECAD 4797 0,00000000 NXP USA Inc. - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Psmn8 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 108 V 100A (TJ) 10V 8,5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 111 NC @ 10 V ± 20V 5512 PF @ 50 V - 263W (TC)
MRF6P9220HR5 NXP USA Inc. Mrf6p9220hr5 -
RFQ
ECAD 3500 0,00000000 NXP USA Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 68 V Soutenir de châssis NI-860C3 MRF6 880 MHz LDMOS NI-860C3 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 50 - 1.6 A 47W 20 dB - 28 V
BAT54J NXP USA Inc. BAT54J -
RFQ
ECAD 5426 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Bat54 télécharger 0000.00.0000 1
2PB709ART,235 NXP USA Inc. 2pb709art, 235 0,0200
RFQ
ECAD 7556 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif 2pb70 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 000
PHK31NQ03LT,518 NXP USA Inc. Phk31nq03lt, 518 -
RFQ
ECAD 9829 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Phk31 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500
PBSS3515M,315 NXP USA Inc. PBSS3515M, 315 0,0400
RFQ
ECAD 20 0,00000000 NXP USA Inc. * En gros Actif Pbss3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 10 000
PSMN050-80PS,127 NXP USA Inc. PSMN050-80PS, 127 -
RFQ
ECAD 2962 0,00000000 NXP USA Inc. - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Psmn0 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 22A (TC) 10V 51MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 633 PF @ 12 V - 56W (TC)
PHP21N06T,127 NXP USA Inc. PHP21N06T, 127 -
RFQ
ECAD 7939 0,00000000 NXP USA Inc. TRENCHMOS ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Php21 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 21A (TC) 10V 75MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 13 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 69W (TC)
PDTA144TS,126 NXP USA Inc. PDTA144TS, 126 -
RFQ
ECAD 9267 0,00000000 NXP USA Inc. - Tape & Box (TB) Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes PDTA144 500 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pré-biaisé 150 mV à 500 µA, 10mA 100 @ 1MA, 5V 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock