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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max) | COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max) | COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX) | Type Scr | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | PBHV9515QA147 | 0,0800 | ![]() | 55 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 974 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACT102H-600D, 118 | 0.1400 | ![]() | 649 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Acte10 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pc4617q, 115 | - | ![]() | 8755 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | 2pc46 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 200 mV @ 5mA, 50mA | 120 @ 1MA, 6V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN34LN, 135 | - | ![]() | 2284 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMN3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | Canal n | 20 V | 5.7A (TC) | 4,5 V, 10V | 34MOHM @ 2,5A, 10V | 2v @ 1MA | 13.1 NC @ 10 V | ± 15V | 500 pf @ 20 V | - | 1,75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT148-400R, 127 | - | ![]() | 7550 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | SOT-82 | SOT-82-3 | télécharger | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 6 mA | 400 V | 4 A | 1,5 V | 35A, 38A | 200 µA | 1,8 V | 2.5 A | 500 µA | Porte sensible | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BY459-1500,127 | - | ![]() | 5328 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 | BY45 | Standard | À 220AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934031220127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1500 V | 1,3 V @ 6,5 A | 350 ns | 150 ° C (max) | 12A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFT93,215 | - | ![]() | 4797 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bft93 | 300mw | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | - | 12V | 35mA | Pnp | 20 @ 30mA, 5V | 5 GHz | 2,4 dB à 500 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-600E, 127 | 0,4100 | ![]() | 29 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BTA31 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF8S9220HSR3 | - | ![]() | 2652 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 70 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF8 | 960 MHz | LDMOS | Ni-780 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 93531047128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6 A | 65W | 19,4 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS4260PAN | 1 0000 | ![]() | 4486 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM3.0NB1,115 | - | ![]() | 3742 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Pzm3.0 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | OT355,127 | - | ![]() | 4868 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | - | - | - | OT35 | - | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934057936127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 000 | Célibataire | Standard | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN28UN, 165 | - | ![]() | 8166 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | Canal n | 12 V | 5.7A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 34MOHM @ 2A, 4,5 V | 700 MV @ 1MA (TYP) | 10.1 NC @ 4,5 V | ± 8v | 740 pf @ 10 V | - | 1,75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C5V1,143 | 0,0200 | ![]() | 131 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 400 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1204,135 | - | ![]() | 2153 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 10 V | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934056334135 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 12 mA | - | 30 dB | 0,9 dB | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzm3.6nb2,115 | - | ![]() | 8384 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Pzm3.6 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PH6530AL, 115 | - | ![]() | 6446 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Support de surface | SC-100, SOT-669 | PH65 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 30 V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C2V4,115 | 0,0300 | ![]() | 23 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZB784 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R5-100XSQ | - | ![]() | 4908 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Psmn8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 49a (TJ) | 10V | 8,5 mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 5512 PF @ 50 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS305PZ, 135 | 0,2100 | ![]() | 6 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbss3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T09VD250NR1 | 47.5929 | ![]() | 2461 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 105 V | Support de surface | Variante à 270-6, | A2T09 | 920 MHz | LDMOS | À 270wb-6a | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935320819528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | Double | - | 1 a | 65W | 22,5 dB | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R5-108ESQ | - | ![]() | 4797 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Psmn8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 108 V | 100A (TJ) | 10V | 8,5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 111 NC @ 10 V | ± 20V | 5512 PF @ 50 V | - | 263W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mrf6p9220hr5 | - | ![]() | 3500 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | NI-860C3 | MRF6 | 880 MHz | LDMOS | NI-860C3 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6 A | 47W | 20 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54J | - | ![]() | 5426 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bat54 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pb709art, 235 | 0,0200 | ![]() | 7556 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 2pb70 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Phk31nq03lt, 518 | - | ![]() | 9829 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Phk31 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS3515M, 315 | 0,0400 | ![]() | 20 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbss3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN050-80PS, 127 | - | ![]() | 2962 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Psmn0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 80 V | 22A (TC) | 10V | 51MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 633 PF @ 12 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP21N06T, 127 | - | ![]() | 7939 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 21A (TC) | 10V | 75MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 1MA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144TS, 126 | - | ![]() | 9267 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PDTA144 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 47 kohms |
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