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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Courant - Hold (IH) (Max)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type triac	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
BTA202X-800D, 127	0 2400	RFQ	14	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			125 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé					À 220f	télécharger					EAR99	8541.30.0080	995	Célibataire				5 mA														Logique - Porte sensible	800 V	2 A	1,5 V	14a, 15.4a	5 mA
BUK9615-100E, 118	-	RFQ	6859	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1			Canal n						100 V	66a (TC)	5v, 10v	14MOHM @ 15A, 10V	2.1V @ 1MA	60 NC @ 5 V	± 10V	6813 PF @ 25 V	-	182W (TC)
PEMD15,115	0,0600	RFQ	8863	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface	SOT-563, SOT-666	PEMD15			300mw	SOT-666	télécharger					EAR99	8541.21.0075	3 400																																			50v	100 mA		1 µA			1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double)	150 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 10mA, 5V	-	4,7 kohms	4,7 kohms
A5G26H110N-2496	368.5200	RFQ	5554	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		125 V		Support de surface	Pad Exposé 6-LDFN		2 496 GHz ~ 2,69 GHz	-		6-PDFN (7x6,5)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	568-A5G26H110N-2496	EAR99	8541.29.0095	1	-			-		50 mA	15W	17,7 dB																	-												48 V
BZX79-B16,113	0,0200	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				400 MW	Alf2	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																													900 mV @ 10 mA		50 na @ 11,2 V								16 V	40 ohms
BTA204W-600E, 135	0,2300	RFQ	65	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			125 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa					SOT-223	télécharger					EAR99	8541.30.0080	1 312	Célibataire				12 mA														Logique - Porte sensible	600 V	1 a	1,5 V	10A, 11A	10 mA
MRFE6S9200HR5	-	RFQ	5094	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		66 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRFE6	880 MHz	LDMOS		NI-880H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50				-		1.4 A	58W	21 dB																	-												28 V
BUJD203A, 127	0,3000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				80 W	À 220ab	télécharger					EAR99	8541.29.0095	875																																			425 V	4 A		100 µA			NPN	1V @ 600mA, 3A	11 @ 2A, 5V	-
PDTD114EU115	0,0300	RFQ	28	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000
BC817-16W, 135	0,0200	RFQ	40	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif			150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	BC817			200 MW	SOT-323	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																																			45 V	500 mA		100NA (ICBO)			NPN	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	100 MHz
Buk7e2r3-40e, 127-nxp	1 0000	RFQ	4675	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Tube	Actif			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	-	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	1			Canal n						40 V	120A (TC)	10V	2,3MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	109.2 NC @ 10 V	± 20V	8500 pf @ 25 V	-	293W (TC)
BLF888DS112	249.6100	RFQ	40	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0075	1
Mrf8p18265hr6	-	RFQ	7638	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Soutenir de châssis	SOT-1110A	MRF8	1,88 GHz	LDMOS		NI1230-8	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935317268128	EAR99	8541.29.0075	150	Double			-		800 mA	72W	16 dB																	-												30 V
PSMN3R2-30YLC, 115	-	RFQ	9850	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Psmn3					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 500
BUK9607-30B, 118	0,4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Buk96					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800
PZM20NB1,115	-	RFQ	9177	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Pzm20			300 MW	SMT3; Mpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																													1,1 V @ 100 mA		70 na @ 15 V								20 V	20 ohms
BF1105,215	-	RFQ	6128	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		7 V		Support de surface	À 253-4, à 253aa	BF110	800 MHz	Mosfet		SOT-143B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Double Porte de Canal N-Canal			30m			-	20 dB																	1,7 dB												5 V
PUmb2,115	-	RFQ	1278	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pumb2					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000
BFU590Q115	0,5000	RFQ	106	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0075	1 000
BZX284-B4V3,115	-	RFQ	5695	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	SOD-110	BZX284			400 MW	SOD-110	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																													1,1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V								4.3 V	90 ohms
BZB84-C51,215	1 0000	RFQ	8231	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	± 5%		-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C51			300 MW	À 236ab	télécharger						0000.00.0000	1	1 paire Commune d'anode																												900 mV @ 10 mA		50 na @ 35.7 V								51 V	180 ohms
BYC10-600P127	-	RFQ	1710	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Par le trou	À 220-2			Standard		À 220AC	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																									600 V		1,3 V @ 10 A	12 ns	10 µA @ 600 V	175 ° C (max)	10A	-
MRF8S8260HSR3	-	RFQ	1485	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		70 V		Support de surface	Ni-880	MRF8	895 MHz	LDMOS		Ni-880	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935310533128	EAR99	8541.29.0075	250				-		1,5 A	70W	21.1 dB																	-												28 V
PZM4.3NB3,115	-	RFQ	7571	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Pzm4.3			300 MW	SMT3; Mpak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000																													1,1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V								4.3 V	90 ohms
Phk12nq10t, 518	-	RFQ	3680	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Phk12		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n						100 V	11.6a (TC)	10V	28MOHM @ 6A, 10V	4V @ 1MA	35 NC @ 10 V	± 20V	1965 PF @ 25 V	-	8.9W (TC)
BZV55-C2V7,115	-	RFQ	9353	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Bzv55					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	2 500
BSR31,135	-	RFQ	3086	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						BSR3					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	4 000
BAV99 / LF1215	-	RFQ	3706	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	Bav99		Standard		À 236ab	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.10.0070	3 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																								Connexion de la Séririe 1 paire	100 V	215mA (DC)	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (max)
NX3008PBKT, 115	-	RFQ	5425	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75, SOT-416	NX30		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-75	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal p						30 V	200mA (TA)	2,5 V, 4,5 V	4,1 ohm @ 200mA, 4,5 V	1,1 V @ 250µA	0,72 NC à 4,5 V	± 8v	46 PF @ 15 V	-	250mw (TA), 770MW (TC)
PMMT491A, 215	0,0400	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pmmt4					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000