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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMBT2222ays115 | 0,0300 |  | 19 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMBT2222 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B47115 | 1 0000 | | 6712 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7e2r3-40e, 127-nxp | 1 0000 | | 4675 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | - | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 10V | 2,3MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 109.2 NC @ 10 V | ± 20V | 8500 pf @ 25 V | - | 293W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK652R0-30C, 127 | - | | 3607 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk65 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 25A, 10V | 2,8 V @ 1MA | 229 NC @ 10 V | ± 16V | 14964 PF @ 25 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhB27NQ10T, 118 | - | | 7872 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Phb27 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM3.6NB, 115 | - | | 1201 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Pzm3.6 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3,6 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144EQA147 | 0,0300 | | 19 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3904 412 | - | | 9623 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 2N39 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 40 V | 200 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF24G300HR5 | 113.2852 | | 3352 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 V | Soutenir de châssis | NI-780-4 | 2,4 GHz ~ 2,5 GHz | Gan | NI-780-4 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 568-MRF24G300HR5TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 N-Canal | - | 300W | 15.2db | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYD77B, 115 | - | | 4800 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | SOD-87 | BYD77 | Avalanche | Melf | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 980 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 850mA | 50pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9520-55A, 127 | - | | 8220 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Buk95 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 55 V | 54A (TC) | 4,5 V, 10V | 18MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | ± 10V | 2210 PF @ 25 V | - | 118W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S19100MR1 | - | | 9469 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | À 270-4 | MRF6 | 1,99 GHz | LDMOS | À 270 WB-4 | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 mA | 22W | 14,5 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B22,215 | 0,0200 | | 154 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE8VP8600H5 | 154.7816 | | 5941 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MRFE8 | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935318365178 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN028-100YS, 115 | - | | 5277 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Psmn0 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54CM315 | 1 0000 | | 4472 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bat54 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T20H160W04NR3 | - | | 8702 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | OM780-4 | A2T20 | 1,88 GHz ~ 2 025 GHz | LDMOS | OM780-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935313076528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | 10 µA | 400 mA | 200W | 17 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN25UN, 115 | - | | 7744 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-74 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 27MOHM @ 6A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 8v | 470 pf @ 10 V | - | 530MW (TA), 6,25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS303PD, 115 | 0,1100 | | 7 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbss3 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VP5150GNR1,528 | 35.4100 | | 475 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 133 V | Support de surface | À 270bb | 1,8 MHz ~ 600 MHz | LDMOS | À 270 WB-4 Gull | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Double | 5µA | 100 mA | 150W | 26.1 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMSTA3904,135 | - | | 6870 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | PMSTA3904 | 200 MW | SC-70 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934061808135 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 40 V | 200 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54C / 6215 | 0,0300 | | 33 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BAT54 | En gros | Actif | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 200mA (DC) | 800 mV à 100 mA | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc4617sm, 315 | - | | 9614 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | 2pc46 | 430 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 200 mV @ 5mA, 50mA | 270 @ 1MA, 6V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8VP13350GNR3 | 162.8896 | | 2939 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 100 V | Support de surface | OM-780G-4L | MRF8VP13350 | 1,3 GHz | LDMOS | OM-780G-4L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935320727528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 100 mA | 350W | 19.2 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1203,115 | - | | 5300 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 10 V | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | 6-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Double Porte de Canal N-Canal | 30m | 15 mA | - | 27 dB | 1 dB | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C75 / LF1R | - | | 8679 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C75 | 250 MW | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934069504215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 52,5 V | 75 V | 255 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF6G20LS-180RN112 | 84.7000 | | 10 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C4V7 / DG / B2215 | 0,0200 | | 90 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4739A, 133 | 0,0400 | | 27 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Par le trou | DO-204AL, DO-41, Axial | 1 W | DO-41 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 7 969 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPS3904,126 | - | | 1991 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MPS39 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 40 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 300 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 180 MHz |
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