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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des émettes de collection (max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) | Rapport de capacité | Condition de rapport de capacité | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF13750HSR5 | 202.2660 |  | 6117 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 105 V | Soutenir de châssis | NI-1230-4S | MRF13750 | 700 MHz ~ 1,3 GHz | LDMOS | NI-1230-4S | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935360898178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 10 µA | 200 mA | 750W | 20,4 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9030LSR5 | - | | 1564 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Ni-360 | MRF90 | 945 MHz | LDMOS | Ni-360 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 250 mA | 30W | 19 dB | - | 26 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S21210HSR5 | - | | 3408 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-780 | MRF7 | 2,17 GHz | LDMOS | Ni-780 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4 A | 63W | 18,5 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y25-40b / c, 115 | - | | 1717 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | Buk7y25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 40 V | 35.3a (TC) | 10V | 25MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 1MA | 12.1 NC @ 10 V | ± 20V | 693 PF @ 25 V | - | 59.4W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBS4240Y, 115 | - | | 1673 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A5G37H110NT4 | 13.0217 | | 4843 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 3,6 GHz ~ 3,8 GHz | - | 6-PDFN (7x6,5) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 500 | - | - | 70 mA | 13,5W | 15.1db | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD17 / ZL115 | 0,0300 | | 4433 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 9 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP51-02,315 | 0,0940 | | 3430 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BAP51 | SOD-523 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934055889315 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8 000 | 50 mA | 715 MW | 0,35pf @ 5v, 1 MHz | Broche - simple | 60V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf6v14300hr5 | 401.0580 | | 2382 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 100 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | Mrf6v14300 | 1,4 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935313404178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 150 mA | 330W | 18 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C10,115 | - | | 2351 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU520X235 | 0.1300 | | 4 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK98180-100A, 115 | - | | 7249 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Buk98 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-73 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 4.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 173MOHM @ 5A, 10V | 2v @ 1MA | ± 10V | 619 PF @ 25 V | - | 8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PUMH11 / ZL135 | 0,0500 | | 10 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG1201AESF315 | 0,0500 | | 53 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 9 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1018NBR1 | - | | 7181 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 120 V | Soutenir de châssis | À 272bb | MMRF1 | 860 MHz | LDMOS | À 272 WB-4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935324763528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 350 mA | 18W | 22 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C30 / LF1R | - | | 8287 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C30 | 250 MW | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934069459215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 18,9 V | 30 V | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM30NB, 115 | - | | 1777 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM30 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 23 V | 30 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSV52,215 | - | | 8639 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bsv5 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4730A, 113 | 0,0400 | | 91 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 1N47 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 5 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V0 / DG / B3215 | 0,0200 | | 159 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-C27,115 | - | | 5693 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzx84 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC807-40 / 6215 | - | | 6901 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S19060MBR1 | - | | 7325 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | À 272-4 | MRF6 | 1,93 GHz | LDMOS | À 272 WB-4 | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 mA | 12W | 16 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NMBT3904215 | 0,0200 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9e6r1-100e, 127 | - | | 9121 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Buk9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 120A (TC) | 5v, 10v | 5,9MOHM @ 25A, 10V | 2.1V @ 1MA | 133 NC @ 5 V | ± 10V | 17460 pf @ 25 V | - | 349W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB149A, 115 | - | | 2741 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | BB14 | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 2.225pf @ 28v, 1MHz | Célibataire | 30 V | 10.9 | C1 / C28 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmzb600une315 | 0,0300 | | 574 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBS5140T, 215 | - | | 5227 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs5 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA114EMB, 315 | 1 0000 | | 5798 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Support de surface | 3-xfdfn | PDTA114 | 250 MW | DFN1006B-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 5mA, 5V | 180 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Nzx2v7b, 133 | 0,0200 | | 60 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | ± 4% | -55 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | 500 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms |
2000+
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