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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84-C6V2 / LF1R | - |  | 7029 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bzx84-c6v2 | 250 MW | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934069502215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A3G26D055N-2400 | 315.0000 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | 125 V | Support de surface | Pad Exposé 6-LDFN | 100MHz ~ 2,69 GHz | Gan | 6-PDFN (7x6,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 40 mA | 8W | 13,9 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN8R5-108ES | 0,7000 | | 466 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 466 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK951R8-40EQ | - | | 8946 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Actif | - | Par le trou | À 220-3 | Buk951 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934067634127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S21200HR6 | - | | 8123 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | NI-1230 | MRF8 | 2,14 GHz | LDMOS | NI-1230 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935317162128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 150 | Double | - | 1.4 A | 48W | 18.1 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV25X-600,127 | 1 0000 | | 4610 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,3 V @ 5 A | 60 ns | 50 µA à 600 V | 150 ° C (max) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S9045MBR1 | - | | 7824 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | À 272-2 | MRF6 | 880 MHz | LDMOS | À 272-2 | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 350 mA | 10W | 22,7 dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S9130HR3 | - | | 6872 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 68 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF6 | 880 MHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 950 mA | 27W | 19.2 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9245-55A, 118 | 0,3300 | | 1 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 55 V | 28a (TC) | 4,5 V, 10V | 40 mohm @ 5a, 10v | 2v @ 1MA | 14 NC @ 5 V | ± 15V | 1006 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf1k50hr5 | 190.1200 | | 3 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 50 V | Soutenir de châssis | SOT-979A | MRF1K50 | 1,8 MHz ~ 500 MHz | LDMOS | NI-1230-4H | télécharger | Rohs non conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1500W | 22,5 dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBRP123YT, 215 | - | | 8169 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbrp12 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BA792,115 | - | | 6050 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | SOD-110 | BA79 | SOD-110 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 3 000 | 100 mA | 1,1pf @ 3v, 1MHz | Norme - Célibataire | 35V | 700MOHM @ 3MA, 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7y28-75b, 115 | 0,4000 | | 2672 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 166 | Canal n | 75 V | 35,5a (TC) | 10V | 28MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 1MA | 21.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1417 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V4300NBR1 | - | | 2993 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | À 272bb | MRF6 | 450 MHz | LDMOS | À 272 WB-4 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935317035528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 900 mA | 300W | 22 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| A3G18D510-04SR3 | 114.4650 | | 6841 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 125 V | Support de surface | NI-780S-4L | 1 805 GHz ~ 2,2 GHz | - | NI-780S-4L | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | - | 250 mA | 56W | 16 dB | - | 48 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VP61K25HR5178 | - | | 6516 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA115TU, 115 | 0,0200 | | 206 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PA1576R / ZL115 | 1 0000 | | 6097 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Psmn8r0-30yl, 115 | - | | 3295 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SC-100, SOT-669 | Psmn8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | LFPAK56, Power-SO8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | Canal n | 30 V | 62A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,3MOHM @ 15A, 10V | 2.15v @ 1mA | 18.3 NC @ 10 V | ± 20V | 1005 pf @ 15 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| A2V09H400-04NR3528 | 103.4700 | | 204 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7y13-40b, 115 | - | | 4067 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk7 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114ET / DG / B2215 | 0,0200 | | 1650 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 6 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7614-55,118 | - | | 5258 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Buk76 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 800 | Canal n | 55 V | 68A (TC) | 10V | 14MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | ± 16V | 2900 pf @ 25 V | - | 142W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX284-B15,115 | - | | 5754 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-110 | BZX284 | 400 MW | SOD-110 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 10,5 V | 15 V | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMRF5018HS-450 | 1 0000 | | 4775 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Plateau | Actif | 125 V | Support de surface | NI-400S-2SA | MMRF5018 | 1 MHz ~ 2,7 GHz | - | NI-400S-2SA | - | 1 | - | - | 125W | 17,3 dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG45T15EPD139 | 0,3300 | | 5 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMDPB85UPE, 115 | - | | 2016 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UFDFN | PMDPB85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 515mw | 6-Huson (2x2) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.9a | 103MOHM @ 1,3A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 8.1nc @ 4,5 V | 514pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9e2r8-60e, 127 | - | | 1078 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Buk9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 5v, 10v | 2,6MOHM @ 25A, 10V | 2.1V @ 1MA | 120 NC @ 5 V | ± 10V | 17450 PF @ 25 V | - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| PMV130ENEA / DG / B2215 | 0,0700 | | 7283 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 121 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35005MT1 | - | | 8125 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 15 V | Support de surface | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 000 | - | 80 mA | 4,5 W | 11db | - | 12 V |
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