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Produits semi-conduurs discrètes (6133)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
BZX84-C22,215	0,0200	RFQ	31	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Bzx84					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	3 000
BAT720 / DG / B2 215	0,0700	RFQ	174	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000
BC550C, 112	-	RFQ	6829	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC55			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000																												45 V	100 mA		15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
BUK9509-75A, 127	-	RFQ	9573	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Buk95		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					75 V	75A (TJ)	4,5 V, 10V	8,5MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA		± 10V	8840 pf @ 25 V	-	230W (TC)
BZV85-C15,133	-	RFQ	9859	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Bzv85					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	5 000
MD7P19130HSR5	-	RFQ	2574	NXP USA Inc.	-	Tube	Obsolète		65 V		Support de surface	NI-780S-4L	Md7p1	1,99 GHz	LDMOS		NI-780S-4L	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	50	Double			-	1,25 A	40W	20 dB											-												28 V
BZX84-C9V1,235	1 0000	RFQ	3260	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	SOT-23	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																						900 mV @ 10 mA		500 na @ 6 V								9.1 V	15 ohms
Bzx84-c47 / lf1vl	-	RFQ	7465	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C47			250 MW	SOT-23 (à 236ab)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934069483235	EAR99	8541.10.0050	3 000																						900 mV @ 10 mA		50 na @ 32,9 V								47 V	170 ohms
BSP126 / S911115	0 2200	RFQ	204	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1 000
NX2301P215	-	RFQ	7829	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger						0000.00.0000	1
PZU18B2L315	0,0300	RFQ	70	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger					EAR99	8541.10.0050	10 764
PBS4032PD, 115	-	RFQ	6852	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pbs4					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000
MRF8P20100HSR3	-	RFQ	8451	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V		Support de surface	NI-780S-4L	MRF8	2,03 GHz	LDMOS		NI-780S-4L	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935310291128	EAR99	8541.29.0075	250	Double			-	400 mA	20W	16 dB											-												28 V
MRF300AN	52.5600	RFQ	132	NXP USA Inc.	-	Tube	Actif				Par le trou	À 247-3	MRF300	27 MHz ~ 250 MHz	LDMOS		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	30				-		300W	28 dB											-												50 V
BZB84-C12215	0,0200	RFQ	81	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger					EAR99	8541.10.0050	1
A3T21H455W23SR6	89.5761	RFQ	8014	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		65 V		Soutenir de châssis	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2,11 GHz ~ 2,2 GHz	LDMOS		ACP-1230S-4L2S	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935368316128	EAR99	8541.29.0075	150	Double			10 µA	400 mA	87W	15 dB											-												30 V
BC557C, 126	-	RFQ	8780	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC55			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																												45 V	100 mA		15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
BF423,112	-	RFQ	3245	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BF423			830 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 000																												250 V	50 mA		10NA (ICBO)			Pnp	600 mV @ 5mA, 30mA	50 @ 25mA, 20V	60 MHz
PMT560enea, 115	-	RFQ	8641	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						PMT560		-			télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1																-
PZU7.5B2A115	-	RFQ	6880	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif											télécharger						0000.00.0000	1
PBS4021PZ, 115	0 2200	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif						Pbs4					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000
Buk9e04-30b, 127	-	RFQ	6137	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Buk9		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	3MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA	56 NC @ 5 V	± 15V	6526 PF @ 25 V	-	254W (TC)
Mrf5p21240hr5	-	RFQ	2479	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		65 V			NI-1230	MRF5	2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		NI-1230	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		5A991G	8541.29.0075	50				-	2.2 A	52W	13db											-												28 V
BYV29X-600,127	0,4100	RFQ	941	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif				Par le trou	À 220-2 EXCHET			Standard		À 220f	télécharger					EAR99	8541.10.0080	941		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																		600 V		1,26 V @ 8 A	60 ns	50 µA à 600 V	150 ° C (max)	9A	-
1PS226,135	-	RFQ	8224	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	1PS22		Standard		SMT3; Mpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	10 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																	Connexion de la Séririe 1 paire	80 V	215mA (DC)	1,2 V @ 100 mA	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (max)
PMF3800SN, 115	-	RFQ	3059	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	PMF38		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-70	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal n					60 V	260mA (TA)	4,5 V, 10V	4,5 ohm @ 500mA, 10V	3,3 V @ 1MA	0,85 NC @ 10 V	± 15V	40 pf @ 10 V	-	560mw (TC)
PZU5.6B1A115	1 0000	RFQ	7452	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	± 2%		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-76, SOD-323				320 MW	SOD-323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0050	1																						1,1 V @ 100 mA		1 µA @ 2,5 V								5.6 V	40 ohms
MPSA56,116	-	RFQ	1516	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	MPSA56			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																												80 V	500 mA		50NA (ICBO)			Pnp	250 mV @ 10mA, 100mA	100 @ 100mA, 1v	50 MHz
BC547C, 126	-	RFQ	9198	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète			150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC54			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																												45 V	100 mA		15NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
PMT200EN, 135	-	RFQ	4358	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	PMT2		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-73	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	4 000			Canal n					100 V	1.8A (TA)	4,5 V, 10V	235MOHM @ 1,5A, 10V	2,5 V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 20V	475 PF @ 80 V	-	800MW (TA), 8,3W (TC)