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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Hold (IH) (Max) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type triac | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max) | COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM) | Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max) | Silhouette | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NX2301P215 | - |  | 7829 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU18B2L315 | 0,0300 | | 70 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 764 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBS4032PD, 115 | - | | 6852 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P20100HSR3 | - | | 8451 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-780S-4L | MRF8 | 2,03 GHz | LDMOS | NI-780S-4L | - | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935310291128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | Double | - | 400 mA | 20W | 16 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF300AN | 52.5600 | | 132 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | MRF300 | 27 MHz ~ 250 MHz | LDMOS | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 30 | - | 300W | 28 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C12215 | 0,0200 | | 81 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3T21H455W23SR6 | 89.5761 | | 8014 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 65 V | Soutenir de châssis | ACP-1230S-4L2S | A3T21 | 2,11 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS | ACP-1230S-4L2S | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 935368316128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Double | 10 µA | 400 mA | 87W | 15 dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC557C, 126 | - | | 8780 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC55 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF423,112 | - | | 3245 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BF423 | 830 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 000 | 250 V | 50 mA | 10NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 5mA, 30mA | 50 @ 25mA, 20V | 60 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMT560enea, 115 | - | | 8641 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PMT560 | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT1306-600D, 412 | - | | 7727 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BT130 | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 000 | Célibataire | 10 mA | Logique - Porte sensible | 600 V | 600 mA | 2 V | 8a, 8.8a | 5 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU7.5B2A115 | - | | 6880 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBS4021PZ, 115 | 0 2200 | | 17 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9e04-30b, 127 | - | | 6137 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Buk9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 56 NC @ 5 V | ± 15V | 6526 PF @ 25 V | - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mrf5p21240hr5 | - | | 2479 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | NI-1230 | MRF5 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-1230 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 2.2 A | 52W | 13db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV29X-600,127 | 0,4100 | | 941 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Standard | À 220f | télécharger | EAR99 | 8541.10.0080 | 941 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,26 V @ 8 A | 60 ns | 50 µA à 600 V | 150 ° C (max) | 9A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS226,135 | - | | 8224 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS22 | Standard | SMT3; Mpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 80 V | 215mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMF3800SN, 115 | - | | 3059 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | PMF38 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 260mA (TA) | 4,5 V, 10V | 4,5 ohm @ 500mA, 10V | 3,3 V @ 1MA | 0,85 NC @ 10 V | ± 15V | 40 pf @ 10 V | - | 560mw (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU5.6B1A115 | 1 0000 | | 7452 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 1 µA @ 2,5 V | 5.6 V | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA56,116 | - | | 1516 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MPSA56 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 80 V | 500 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 250 mV @ 10mA, 100mA | 100 @ 100mA, 1v | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547C, 126 | - | | 9198 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC54 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMT200EN, 135 | - | | 4358 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | PMT2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-73 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 100 V | 1.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 235MOHM @ 1,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 475 PF @ 80 V | - | 800MW (TA), 8,3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4005ESF315 | 0,0400 | | 270 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 9 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV 23 235 | 0,0400 | | 28 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BAV2 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0070 | 10 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PA1774R, 135 | - | | 7710 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | 2pa17 | 150 MW | SC-75 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 200 mV @ 5mA, 50mA | 180 @ 1MA, 6V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B56,115 | 0,0200 | | 2391 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX384 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002E, 215 | - | | 3055 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | 2N70 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMv77en215 | 0,0500 | | 21 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN004-60B, 118 | - | | 1831 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 10V | 3,6MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 168 NC @ 10 V | ± 20V | 8300 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTD123ES, 126 | - | | 5693 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | PDTD123 | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 2,5 mA, 50mA | 40 @ 50mA, 5V | 2,2 kohms | 2,2 kohms |
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