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Produits semi-conduurs discrètes (6133)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) | Drain de Courant (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PSMN3R8-30LL, 115 | - |  | 7681 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | Psmn3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1400 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 10V | 3,7MOHM @ 10A, 10V | 2.15v @ 1mA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2085 PF @ 15 V | - | 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BY229X-800,127 | - | | 1756 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tube | Obsolète | Par le trou | À 220-2 EXCHET | BY22 | Standard | À 220fp | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 000 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,85 V @ 20 A | 135 ns | 400 µA à 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MHT2025GNR1 | - | | 6389 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MHT2025 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 935341633528 | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mrf6v12500hr3 | - | | 7483 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 110 V | Soutenir de châssis | SOT-957A | MRF6 | 1,03 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 200 mA | 500W | 19,7 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk9y25-60e / gfx | - | | 4980 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Buk9 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM13NB, 115 | - | | 5671 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM13 | 300 MW | SMT3; Mpak | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 V | 13 V | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84-c13 / lf1vl | - | | 3321 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C13 | 250 MW | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934069419235 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | 900 mV @ 10 mA | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA114ET, 215 | - | | 4690 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | PDTA11 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B3V3,315 | - | | 7232 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | BZX884 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU610F, 115 | 0,6600 | | 2 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-343F | BFU610 | 136mw | 4-DFP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 13,5 dB ~ 23,5 dB | 5,5 V | 10m | NPN | 90 @ 1MA, 2V | 15 GHz | 0,9 dB ~ 1,7 dB à 1,5 GHz ~ 5,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF9120LR5 | - | | 6870 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | Ni-860 | MRF91 | 880 MHz | LDMOS | Ni-860 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.31.0001 | 50 | - | 1 a | 120W | 16,5 dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMWD16UN, 518 | - | | 6159 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | PMWD16 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 20V | 9.9a | 19MOHM @ 3,5A, 4,5 V | 700 mV @ 1MA | 23.6nc à 4,5 V | 1366pf @ 16v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C75,115 | - | | 3224 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzv49 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU5.6B3,115 | 0,0400 | | 35 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pzu5.6 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU36BA115 | 1 0000 | | 9626 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9620-100B, 118 | - | | 4013 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Buk96 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S18260HSR6 | - | | 6240 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 65 V | Soutenir de châssis | SOT-1110B | MRF8 | 1,81 GHz | LDMOS | NI1230S-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 935319642128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 150 | Double | - | 1.6 A | 74W | 17,9 dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP41,115 | 0 1700 | | 113 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bsp4 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR30,215 | - | | 7516 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR30 | 250 MW | SOT-23 (à 236ab) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 25 V | 4pf @ 10v | 4 ma @ 10 V | 5 V @ 0,5 Na | 10 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBS5130QA, 147 | 0,0500 | | 195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 6 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G10L-160V, 112 | - | | 6854 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Tube | Actif | BLF8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 934066408112 | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Php222nq04lt, 127 | - | | 6006 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | TRENCHMOS ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Php22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 25A, 10V | 2v @ 1MA | 93,6 NC @ 5 V | ± 15V | 7880 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C7V5133 | 0,0400 | | 55 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2005AESF / S711315 | 0,0400 | | 135 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.10.0070 | 9 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC337-25,112 | - | | 4821 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC33 | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBS4160U, 115 | - | | 3719 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Pbs4 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C75,115 | - | | 3025 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | Bzt52 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.10.0050 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Phpt61010ny115 | - | | 5518 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN035-100LS, 115 | - | | 5411 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | Psmn0 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1400 | Canal n | 100 V | 27a (TC) | 10V | 32MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 50 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Phpt60603py115 | 1 0000 | | 4635 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | En gros | Actif | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 |
2000+
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