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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tolérance | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Ensemble de Périphériques du Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Vitre | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Courant - Max | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - DC inverse (VR) (max) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Tension - Zener (NOM) (VZ) | Impédance (max) (ZZT) | Résistance @ si, f | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | BUK625R0-40C, 118 | - | ![]() | 3532 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-BUK625R0-40C, 118-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 40 V | 90A (TA) | 5MOHM @ 25A, 10V | 2,8 V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ± 16V | 5200 pf @ 25 V | - | 158W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ5V6J135 | 0,0300 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | En gros | Obsolète | ± 1,96% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | Tdz5v6 | 500 MW | SOD-323F | - | Rohs non conforme | Atteindre non affecté | 2156-TDZ5V6J135 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 414 | 1,1 V @ 100 mA | 10 µA @ 2,5 V | 5.6 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1304NR1 | 25.6700 | ![]() | 410 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 133 V | Support de surface | À 270aa | 1,8 MHz ~ 2 GHz | LDMOS | À 270-2 | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-MMRF1304NR1 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7µA | 10 mA | 25W | 25,4 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS5130QAZ | 0,0600 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-XDFN | 325 MW | Dfn1010d-3 | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-PBSS5130QAZ | 1 | 30 V | 1 a | 100NA | Pnp | 240 mV à 100MA, 1A | 250 @ 100mA, 2V | 170 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN015-100B, 118 | 0,8000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-PSMN015-100B, 118-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 407 | Canal n | 100 V | 75A (TA) | 10V | 15MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 300W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7M21-40E, 115 | 1 0000 | ![]() | 6146 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36143 | 0,0200 | ![]() | 90 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C2V7,215 | - | ![]() | 4810 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C2V7 | 300 MW | À 236ab | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1 paire Commune d'anode | 900 mV @ 10 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C47,115 | - | ![]() | 9645 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 32,9 V | 47 V | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C15 / CH, 235 | 0,0200 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501VPEZ | 0,2000 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-xfbga, wlcsp | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WLCSP (1.48x0.98) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 528 | Canal p | 12 V | 6.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 25MOHM @ 3A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 29.4 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1400 pf @ 6 V | - | 556MW (TA), 12,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C10,115 | 0 1700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,5 w | SOT-223 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 745 | 1 V @ 50 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu3.9b2l, 315 | - | ![]() | 3873 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | SOD-882 | Pzu3.9 | 250 MW | DFN1006-2 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µA @ 1 V | 3,9 V | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS5160PAP, 115 | - | ![]() | 7374 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UFDFN | PBS5160 | 510mw | 6-Huson (2x2) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 60V | 1A | 100NA (ICBO) | 2 pnp (double) | 340 MV à 100MA, 1A | 120 @ 500mA, 2V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX20B, 133 | - | ![]() | 3245 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Par le trou | DO-204AH, DO-35, Axial | Nzx20 | 500 MW | Alf2 | télécharger | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 mA | 50 na @ 14 V | 20 V | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MW7IC930NR1 | 59.9800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | Variante à 270-16, | 920 MHz ~ 960 MHz | LDMOS (double) | À 270wb-16 | - | 2156-MW7IC930NR1 | EAR99 | 8542.33.0001 | 6 | 2 N-Canal | 10 µA | 285 Ma | 3.2W | 35,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT21S230SR3 | 192.4100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-780S-6 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-780S-6 | - | 2156-AFT21S230SR3 | 2 | Canal n | - | 1,5 A | 50W | 16,7 dB à 2,11 GHz | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd6.2fm (01) -t1-az | - | ![]() | 3520 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | ± 6 45% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | DO-214AC, SMA | 1 W | Mini Moule à 2 PUISSANCES | - | 2156-RD6.2FM (01) -T1-AZ | 1 | 20 µA @ 3 V | 6.2 V | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MW7IC930GNR1 | - | ![]() | 3875 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | Variante à 270-16, Aile de Mouette | 920 MHz ~ 960 MHz | LDMOS (double) | À 270 WBL-16 Gull | - | 2156-MW7IC930GNR1 | 1 | 2 N-Canal | 10 µA | 285 Ma | 3.2W | 35,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6V2150NBR1 | 59.8400 | ![]() | 164 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | À 272bb | 450 MHz | LDMOS | À 272 WB-4 | - | 2156-MRF6V2150NBR1 | EAR99 | 8541.21.0075 | 6 | Canal n | - | 450 mA | 150W | 25 dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pqmh9z | 0,0300 | ![]() | 8934 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | Support de surface | Pad Exposé 6-XFDFN | 230mw | Dfn1010b-6 | - | 2156-pqmh9z | 2 592 | 50v | 100 mA | 1 µA | 2 npn - pré-biaisé | 100 mV à 250µa, 5mA | 100 @ 5mA, 5V | 230 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP65LX, 315 | 0,0800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SOD-882 | - | - | 2156-BAP65LX, 315 | 4 929 | 100 mA | 135 MW | 0,37pf @ 20v, 1 MHz | Broche - simple | 30V | 350mohm @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Afv10700hr5 | 537.6400 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 105 V | Soutenir de châssis | NI-780-4 | 960 MHz ~ 1 215 GHz | LDMOS (double) | NI-780-4 | - | 2156-AFV10700HR5 | 1 | 2 N-Canal | 1 µA | 100 mA | 700W | 19,2 dB à 1,03 GHz | - | 52 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005Ael, 315 | 0,0400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SOD-882 | Schottky | DFN1006-2 | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-PMEG2005Ael, 315-954 | 1 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 440 MV @ 500 mA | 1,5 Ma @ 20 V | 150 ° C (max) | 500mA | 25pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B10,115 | 0,0200 | ![]() | 351 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Support de surface | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 MW | LLDS; Minime | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZV55-B10,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9675-100A, 118 | - | ![]() | 6750 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BUK9675-100A, 118-954 | 1 | Canal n | 100 V | 23A (TC) | 5v, 10v | 72MOHM @ 10A, 10V | 2v @ 1MA | ± 15V | 1704 PF @ 25 V | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Buk7y98-80e, 115 | - | ![]() | 6769 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | Atteindre non affecté | 2156-BUK7Y98-80E, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6213-30C, 118 | 0 2400 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-BUK6213-30C, 118-954 | 1 | Canal n | 30 V | 47a (TC) | 10V | 14MOHM @ 10A, 10V | 2,8 V @ 1MA | 19,5 NC @ 10 V | ± 16V | 1108 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ2.7B, 115 | - | ![]() | 2481 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Pdz-b | En gros | Actif | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-76, SOD-323 | 400 MW | SOD-323 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-PDZ2.7b, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 20 µA @ 1 V | 2,7 V | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C30,115 | 0,0200 | ![]() | 157 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Support de surface | Sod-123f | Bzt52 | 375 MW | Sod-123f | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2156-BZT52H-C30,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 mA | 50 na @ 21 V | 30 V | 40 ohms |
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