SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max) Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) RÉSISTANCE - RDS (ON)
FDS6680S Fairchild Semiconductor FDS6680 0,5200
RFQ
ECAD 42 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 11.5A (TA) 4,5 V, 10V 11MOHM @ 11.5A, 10V 3V à 250µA 24 NC @ 5 V ± 20V 2010 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
FDU8878 Fairchild Semiconductor FDU8878 0,3000
RFQ
ECAD 41 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 30 V 11A (TA), 40A (TC) 4,5 V, 10V 15MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 15 V - 40W (TC)
1N959B Fairchild Semiconductor 1N959B 3.2100
RFQ
ECAD 122 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0050 94 50 µA @ 6,2 V 8.2 V 6,5 ohms
3N258 Fairchild Semiconductor 3N258 0,5200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbpm Standard Kbpm télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0080 30 1,1 V @ 3,14 A 5 µA @ 800 V 2 A Monophasé 800 V
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor Fqpf3n80cydtu 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 (formage y) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 3A (TC) 10V 4,8 ohm @ 1,5a, 10v 5V @ 250µA 16,5 NC @ 10 V ± 30V 705 PF @ 25 V - 39W (TC)
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0,9200
RFQ
ECAD 360 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pf télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 360 Canal n 250 V 11.4a (TC) 10V 270MOHM @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 53,5 NC @ 10 V ± 30V 1080 PF @ 25 V - 73W (TC)
JFTJ105 Fairchild Semiconductor Jftj105 -
RFQ
ECAD 9816 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa 1 W SOT-223-4 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n - 25 V 500 mA @ 15 V 4,5 V @ 1 µA 3 ohms
SFI9510TU Fairchild Semiconductor SFI9510TU 0,7300
RFQ
ECAD 950 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 Canal p 100 V 3.6A (TC) 10V 1,2 ohm @ 1,8a, 10v 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ± 30V 335 PF @ 25 V - 3.8W (TA), 32W (TC)
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0,0500
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1N4751 1 W DO-41 télécharger Non applicable 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 22,8 V 30 V 40 ohms
BZX79C2V7-T50A Fairchild Semiconductor Bzx79c2v7-t50a 0,0200
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Bzx79c2 500 MW Do-35 télécharger Non applicable 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 100 mA 75 µA @ 1 V 2,7 V 100 ohms
1N5263B Fairchild Semiconductor 1N5263B 1.8600
RFQ
ECAD 158 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 0,5% - Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 1N5263 500 MW - télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 162 900 mV @ 200 mA 100 na @ 41 V 56 V 150 ohms
MM5Z20V Fairchild Semiconductor MM5Z20V 1 0000
RFQ
ECAD 1416 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C Support de surface SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 8 000 50 na @ 14 V 20 V 55 ohms
BZX85C3V3-FS Fairchild Semiconductor Bzx85c3v3-fs 0,0300
RFQ
ECAD 71 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 6,06% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial 1 W DO-41 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0050 3 000 1,2 V @ 200 mA 60 µA @ 1 V 3,3 V 20 ohms
FDMS86152 Fairchild Semiconductor FDMS86152 2.6400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 114 Canal n 100 V 14A (TA), 45A (TC) 6v, 10v 6MOHM @ 14A, 10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3370 PF @ 50 V - 2.7W (TA), 125W (TC)
DF005S1 Fairchild Semiconductor DF005S1 0,2100
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4 sous-marins Standard 4-SDIP télécharger EAR99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1 A 3 µA @ 50 V 1 a Monophasé 50 V
FDME910PZT Fairchild Semiconductor Fdme910pzt 1 0000
RFQ
ECAD 3527 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6 powerufdfn MOSFET (Oxyde Métallique) Microfet 1,6x1,6 hachce télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal p 20 V 8a (ta) 1,8 V, 4,5 V 24MOHM @ 8A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 21 NC @ 4,5 V ± 8v 2110 PF @ 10 V - 2.1W (TA)
FDMA1025P Fairchild Semiconductor FDMA1025P 0 2900
RFQ
ECAD 92 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-VDFN FDMA1025 MOSFET (Oxyde Métallique) 700mw 6 microfet (2x2) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal P (double) 20V 3.1a 155MOHM @ 3.1A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 4.8nc @ 4,5 V 450pf @ 10v Porte de Niveau Logique
BS170 Fairchild Semiconductor BS170 -
RFQ
ECAD 9226 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes MOSFET (Oxyde Métallique) To-92 télécharger 0000.00.0000 1 Canal n 60 V 300mA (TA) 5OHM @ 200mA, 10V 3V @ 1MA 60 pf @ 10 V -
FQAF40N25 Fairchild Semiconductor FQAF40N25 2.9800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pf télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 360 Canal n 250 V 24a (TC) 10V 70MOHM @ 12A, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ± 30V 4000 pf @ 25 V - 108W (TC)
BAV21 Fairchild Semiconductor BAV21 0,0200
RFQ
ECAD 339 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial BAV21 Standard Do-35 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.10.0070 10 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 250 V 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 na @ 200 V -50 ° C ~ 200 ° C 250mA 5pf @ 0v, 1mhz
1N914TR Fairchild Semiconductor 1N914TR 0,0300
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial Standard Do-35 télécharger EAR99 8541.10.0070 11 539 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200m 4pf @ 0v, 1mhz
RURP860 Fairchild Semiconductor Rurp860 -
RFQ
ECAD 7415 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou À 220-2 Standard À 220-2 télécharger EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,5 V @ 8 A 70 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
FQPF9N50T Fairchild Semiconductor FQPF9N50T 0,9600
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 500 V 5.3A (TC) 10V 730mohm @ 2 65a, 10v 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 50W (TC)
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor FDS7060N7 1,6000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 188 Canal n 30 V 19A (TA) 4,5 V, 10V 5MOHM @ 19A, 10V 3V à 250µA 56 NC @ 5 V ± 20V 3274 PF @ 15 V - 3W (TA)
FQPF5N80 Fairchild Semiconductor FQPF5N80 0 7700
RFQ
ECAD 610 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 800 V 2.8A (TC) 10V 2.6OHM @ 1.4A, 10V 5V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 47W (TC)
HUFA76429P3 Fairchild Semiconductor HUFA76429P3 -
RFQ
ECAD 2376 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 437 Canal n 60 V 47a (TC) 4,5 V, 10V 22MOHM @ 47A, 10V 3V à 250µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
EGP30A Fairchild Semiconductor EGP30A 0,2800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou DO-201D, axial Standard Do-201Dad télécharger Vendeur indéfini Atteindre non affecté 2156-EGP30A-600039 1 156 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 95pf @ 4v, 1mhz
1N5226B Fairchild Semiconductor 1N5226B 0,0300
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou DO-204AH, DO-35, Axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) télécharger EAR99 8541.10.0050 10 486 1,5 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3,3 V 28 ohms
RGP10K Fairchild Semiconductor 10 RGP 0,0600
RFQ
ECAD 60 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif Par le trou DO-204AL, DO-41, Axial Standard DO-41 télécharger Vendeur indéfini Vendeur indéfini 2156-RGP10K-600039 4 800 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4v, 1mhz
FYV0203SMTF Fairchild Semiconductor Fyv0203smtf 0,2000
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 30 V 1 V @ 200 mA 5 ns 2 µA @ 30 V 150 ° C (max) 200m 10pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock