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Produits semi-conduurs discrètes (6716)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Current - Rectifié Moyen (IO)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - test	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
80262	-	RFQ	9314	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Jantxv2n6784	-	RFQ	3264	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/556	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-205af Métal Peut			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-205af (to-39)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					200 V	2.25A (TC)	10V	1,6 ohm @ 2 25a, 10v	4V @ 250µA	8,6 NC @ 10 V	± 20V		-	800mw (TA), 15W (TC)
MS2901	-	RFQ	4194	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
58048	-	RFQ	2433	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète												-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Tan15	-	RFQ	2851	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète			200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55LT				175W		55LT	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1						7 dB ~ 8db																50v	2A										NPN	-	960 MHz ~ 1 215 GHz	-
TPR400A	-	RFQ	4777	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète			200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55cx				875W		55cx	télécharger		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1						9,5 dB																55V	30A										NPN	10 @ 2,5a, 5v	-	-
1N4729PE3 / TR8	-	RFQ	2570	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 10%		-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N4729			1 W		DO-204AL (DO-41)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1 500																		1,2 V @ 200 mA	100 µA @ 1 V											3,6 V	10 ohms
2N6758	-	RFQ	3895	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-204aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					200 V	9A (TC)	10V	490MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 75W (TC)
1N5265BDO35E3	-	RFQ	5730	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5265			500 MW		Do-35	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	10 000																		1,5 V @ 200 mA	100 na @ 47 V											62 V	185 ohms
60205	-	RFQ	3565	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète												-		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
1N4729 G	-	RFQ	5631	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	± 10%		-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N4729			1 W		DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1																		1,2 V @ 200 mA	100 µA @ 1 V											3,6 V	10 ohms
STN1037	-	RFQ	3906	Microsemi Corporation	*	En gros	Obsolète												-	Rohs non conforme	Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
1N5232B (DO-35)	-	RFQ	9547	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5232			500 MW		Do-35	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V @ 200 mA	5 µA @ 3 V											5.6 V	11 ohms
Jantx2n5012	-	RFQ	6814	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète			-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				1 W		To-5	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																						700 V	200 mA					10NA (ICBO)					NPN	30 @ 25mA, 10V	-
SD1330-05H	-	RFQ	7644	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète												-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
1N5242B (DO-35)	-	RFQ	6631	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5242			500 MW		Do-35	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V @ 200 mA	1 µA @ 9,1 V											12 V	30 ohms
APTGT200SK120D3G	-	RFQ	3491	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module d-3				1050 W	Standard	D3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire																				Arête du Champ de Tranché	1200 V	300 A	2.1V @ 15V, 200A				6 mA	Non			14 nf @ 25 V
APT6040BNG	-	RFQ	5142	Microsemi Corporation	Power MOS IV®	Tube	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n					600 V	18A (TC)	10V	400mohm @ 9a, 10v	4V @ 1MA	130 NC @ 10 V	± 30V	2950 pf @ 25 V	-	310W (TC)
APTM120DA68T1G	-	RFQ	3214	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1			MOSFET (Oxyde Métallique)			SP1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1200 V	15A (TC)	10V	816MOHM @ 12A, 10V	5V @ 2,5mA	260 NC @ 10 V	± 30V	6696 PF @ 25 V	-	357W (TC)
APTM100VDA35T3G	-	RFQ	7617	Microsemi Corporation	Power MOS 7®	En gros	Obsolète			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTM100		MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		SP3	-		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)						1000v (1kV)	22a		420mohm @ 11a, 10v	5V @ 2,5mA	186nc @ 10v		5200pf @ 25v	-
ARF473	-	RFQ	1017	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		500 V			-		130 MHz	Mosfet			-	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	2 Canaux N (double) couronne source		10A	150 mA	300W	14 dB											-								135 V
MSDM50-16	-	RFQ	2953	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module			Standard			M2-1	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1																		1,8 V @ 150 A	300 µA à 1600 V	50 a						Triphasé	1,6 kV
Jantx1n4964dus	32.2500	RFQ	8169	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/435	En gros	Actif	± 1%		-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	SQ-Melf, E	1N4964			5 W		D-5B	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V @ 1 A	5 µA @ 13,7 V											18 V	4 ohms
MSD75-08	-	RFQ	6121	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M2			Standard			Sm2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1																		1,6 V @ 150 A	300 µA à 800 V	75 A						Triphasé	800 V
2EZ7.5D / TR8	-	RFQ	5821	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 20%		-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	2EZ7.5			2 W		DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1 500																		1,2 V @ 200 mA	5 µA @ 5 V											7,5 V	2 ohms
1N4698 (DO35)	-	RFQ	8827	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N4698			500 MW		Do-35	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1																		1,1 V @ 200 mA	50 na @ 8,4 V											11 V
Jantx2n6766	-	RFQ	8229	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/543	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204ae			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					200 V	30a (TC)	10V	90MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
Jantxv2n6766	-	RFQ	6051	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/543	En gros	Obsolète			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204ae			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					200 V	30a (TC)	10V	90MOHM @ 30A, 10V	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
1N5377AE3 / TR12	-	RFQ	6587	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 10%		-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	T-18, axial	1N5377			5 W		T-18	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000																		1,2 V @ 1 A	500 na @ 65,5 V											91 V	75 ohms
2EZ33D5E3 / TR8	-	RFQ	1000	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	2EZ33			2 W		DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1 500																		1,2 V @ 200 mA	500 na @ 25,1 V											33 V	23 ohms