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Produits semi-conduurs discrètes (6716)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Courant - Hold (IH) (Max)	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Hors de l'ÉTAT	Tension - Trigger de la Porte (VGT) (Max)	COURANT - Non-Répérée 50, 60Hz (ITSM)	Courant - Trigger de la Porte (IGT) (Max)	Tension - À l'ÉTAT (VTM) (Max)	COURANT - À L'ÉTAT (IT (AV)) (Max)	COURANT - OFF L'ÉTAT (MAX)	Type Scr	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
1N5347 / TR12	-	RFQ	5185	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	T-18, axial	1N5347		5 W	T-18	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000																											1,2 V @ 1 A		5 µA @ 7,2 V							10 V	2 ohms
MS2874	-	RFQ	3320	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MS1015D	-	RFQ	2975	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
Aptm50dsk10t3g	-	RFQ	5679	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	APTM50	MOSFET (Oxyde Métallique)	312W	SP3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)					500 V	37a		120MOHM @ 18,5A, 10V	5V @ 1MA	96nc @ 10v		4367pf @ 25v	-
3EZ56D5 / TR8	-	RFQ	1034	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	3EZ56		3 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1 500																											1,2 V @ 200 mA		500 na @ 42,6 V							56 V	50 ohms
1 PMT5921CE3 / TR13	-	RFQ	1950	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	Do-216aa	1pmt5921		3 W	Do-216aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	12 000																											1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 5,2 V							6,8 V	2,5 ohms
MS2562	-	RFQ	2848	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète									-		1 (illimité)		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1
MSC090SMA120B	-	RFQ	4752	Microsemi Corporation	*	En gros	Actif					MSC090				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté			1
Jan2n2221al	8.6849	RFQ	3373	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2221		500 MW	À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1																																	50 V	800 mA	50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
2EZ14DE3 / TR12	-	RFQ	5846	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	2EZ14		2 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	4 000																											1,2 V @ 200 mA		500 na @ 10,6 V							14 V	5,5 ohms
Jantxv2n2857	-	RFQ	9174	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/343	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	TO-72-3 Metal Can			200 MW	To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1					12,5 dB ~ 21 dB à 450 MHz																												15V	40m				NPN		30 @ 3MA, 1V	500 MHz	4,5 dB à 450 MHz
MS1004	-	RFQ	7883	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	M177			330W	M177	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1					14,5 dB																												55V	40a				NPN		15 @ 10a, 6v	30 MHz	-
1N5388 / TR12	-	RFQ	9744	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	T-18, axial	1N5388		5 W	T-18	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000																											1,2 V @ 1 A		500 na @ 144 V							200 V	480 ohms
0910-150m	-	RFQ	3257	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		200 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	55kt			400W	55kt	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1					8,1 dB ~ 8,5 dB																												65v	12A				NPN		-	890 MHz ~ 1 GHz	-
Jantx1n4494d	41.5800	RFQ	1257	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/406	En gros	Actif	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N4494		1,5 w	DO-41	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1																											1 V @ 200 mA		250 na @ 128 V							160 V	1000 ohms
1 PMT5914E3 / TR13	-	RFQ	7789	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	Do-216aa	1pmt5914		3 W	Do-216aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	12 000																											1,2 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V							3,6 V	9 ohms
Jan2N6764T1	-	RFQ	2286	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/543	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 254aa	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n			100 V	38A (TC)	10V	65MOHM @ 38A, 10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
APT70SM70J	-	RFQ	5853	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc		Sicfet (carbure de silicium)		SOT-227	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1			Canal n			700 V	49a (TC)	20V	70MOHM @ 32,5A, 20V	2,5 V @ 1MA	125 NC @ 20 V	+ 25V, -10V		-	165W (TC)
Jan2N5015	-	RFQ	2638	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-PRF-19500/727	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W	To-5	-	Rohs non conforme	Non applicable		EAR99	8541.29.0095	1																																	1000 V	200 mA	10NA (ICBO)			NPN		30 @ 20mA, 10V	-
1N5915BP / TR8	-	RFQ	4932	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	1N5915		1,5 w	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1 500																											1,2 V @ 200 mA		25 µA @ 1 V							3,9 V	7,5 ohms
Jan2N6898	-	RFQ	6708	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	5			Canal p			100 V	25a (TC)	10V	200 mohm @ 15,8a, 10v	4V @ 250µA		± 20V	3000 pf @ 25 V	-	150W (TC)
2EZ13DE3 / TR12	-	RFQ	1127	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	2EZ13		2 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	4 000																											1,2 V @ 200 mA		500 na @ 9,9 V							13 V	5 ohms
2EZ62D5E3 / TR8	-	RFQ	2281	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	2EZ62		2 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1 500																											1,2 V @ 200 mA		500 na @ 47,1 V							62 V	60 ohms
MSKD165-12	-	RFQ	1461	Microsemi Corporation	-	En gros	Obsolète			Soutenir de châssis	D2		Standard		SD2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1		Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO)																						1 paire la commune de cathode	1200 V	165a	1,4 V @ 300 A		9 Ma @ 1200 V
SMBG4751C / TR13	-	RFQ	2035	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	DO-215AA, Aile de Mouette SMB	SMBG4751		2 W	SMBG (DO-215AA)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	3 000																											1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 22,8 V							30 V	40 ohms
1N5266A (DO-35)	-	RFQ	1271	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5266		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1																											1,5 V @ 200 mA		100 na @ 49 V							68 V	230 ohms
Jantx2n2325a	-	RFQ	5163	Microsemi Corporation	MILIRE, MIL-STD-701	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 125 ° C	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.30.0080	1				2 mA												150 V	600 mV	15A @ 60Hz	20 µA	2,2 V	1.6 A	10 µA	Porte sensible
2EZ5.6D2 / TR12	-	RFQ	4565	Microsemi Corporation	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial	2EZ5.6		2 W	DO-204AL (DO-41)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	4 000																											1,2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V							5.6 V	2,5 ohms
1N5264A (DO-35)	-	RFQ	6988	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial	1N5264		500 MW	Do-35	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0050	1																											1,5 V @ 200 mA		100 na @ 44 V							60 V	170 ohms
Jantxv1n6629us	-	RFQ	7985	Microsemi Corporation	-	En gros	Actif			Support de surface	SQ-Melf, E	1N6629	Standard		D-5B	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.10.0080	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																							800 V		1,4 V @ 1,4 A	60 ns	2 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.4a	40pf @ 10v, 1MHz