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Produits semi-conduurs discrètes (181)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Applications | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Évaluation Actullelle (AMPS) | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Type de transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ald110808ascl | 8.9544 |  | 6140 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald110808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1025 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4.8V | 810 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
 | Ald310702ascl | 7.4692 | | 5116 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald310702 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1290 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 180 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
 | Ald114904asal | 6.1776 | | 6987 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald114904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1062 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 12mA, 3MA | 500 ohm @ 3,6 V | 380 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
 | Ald1101pal | 8.2700 | | 100 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1101 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1002 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 75ohm @ 5v | 1v @ 10µA | - | - | - | |||||
| Ald110900apal | 8.1500 | | 34 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1030 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 500OHM @ 4V | 10 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald212900asal | 6.1776 | | 1333 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald212900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1211 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | 14 ohms | 10 mV à 20µA | - | 30pf @ 5v | Porte de Niveau Logique | |||||
| Ald1101bsal | 6.6082 | | 5829 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1101 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1217 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 40m | - | - | - | - | - | |||||
| Ald910028Sali | 5.3812 | | 4378 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald910028 | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 2 Canaux N (double) | |||||||||||||
 | Ald114804apcl | 9.0404 | | 1078 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald114804 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1053 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 12mA, 3MA | 500 ohm @ 3,6 V | 380 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | Mode d'Épuiment | |||||
 | Ald212900pal | 6.6000 | | 7 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald212900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1212 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | 14 ohms | 20 mV à 20µA | - | 30pf @ 5v | Porte de Niveau Logique | |||||
| Ald212914pal | 7.3830 | | 3690 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | - | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald212914 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald210808pcl | 5.8764 | | 1991 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald210808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald210800apcl | 9.7600 | | 56 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald210800 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1216 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10.6v | 80m | 25 ohms | 10 mV à 10µA | - | 15pf @ 5v | Porte de Niveau Logique | |||||
| Ald1101bpal | 8.8038 | | 6794 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1101 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 75ohm @ 5v | 1v @ 10µA | - | - | - | ||||||
| Ald212908apal | 8.6100 | | 1848 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald212908 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald310700pcl | 7.1248 | | 8207 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald310700 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1285 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 20 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald310700scl | 6.0054 | | 8142 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald310700 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1287 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 20 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald910017Sal | 4.2762 | | 8051 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald910017 | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1277-5 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 2 Canaux N (double) | ||||||||||||
| Ald110904pal | 5.6464 | | 5212 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald110904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1036 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 12mA, 3MA | 500OHM @ 4,4 V | 420 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald310704pcl | 8.6100 | | 7235 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald310704 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 16 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1293 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 8v | - | - | 380 mV à 1 µA | - | 2,5pf @ 5v | - | |||||
| Ald1101apal | 9.8096 | | 3107 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1101 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1000 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 75ohm @ 5v | 1v @ 10µA | - | 10pf @ 5v | - | |||||
| Ald1108escl | 5.2920 | | 7993 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1108 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 600mw | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 N Canaux N, Paire Appareée | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1,01 V @ 1µA | - | 25pf @ 5v | - | ||||||
| Ald1101asal | 9.4700 | | 46 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1101 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1001 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | - | 75ohm @ 5v | 1v @ 10µA | - | - | - | |||||
 | Ald1107pbl | 6.6500 | | 323 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 14-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1107 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 14-pdip | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1014 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 paires de canaux P, correspondant | 10.6v | - | 1800 ohm @ 5v | 1v @ 1µA | - | 3pf @ 5v | - | |||||
| Ald910026sal | 5.5900 | | 111 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Tube | Actif | 10.6v | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald910026 | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 80m | 2 Canaux N (double) | |||||||||||||
| Ald212904pal | 5.6826 | | 2870 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald212904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10.6v | 80m | - | 20 mV à 10µA | - | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| Ald1110esal | 6.8234 | | 7127 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald1110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 600mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires Appareils 2 Canaux N (double) | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1,01 V @ 1µA | - | 2,5pf @ 5v | - | ||||||
| Ald1102apal | 9.8096 | | 3830 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1102 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 500mw | 8 PDI | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-1004 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 paires correspondantes au canal p (double) | 10.6v | - | 270OHM @ 5V | 1,2 V @ 10µA | - | - | - | |||||
 | Ald810030scli | 6.8000 | | 34 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Sab ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald810030 | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 80m | 4 N-Canal | |||||||||||||
 | Ald910029Sali | 5.7854 | | 5798 | 0,00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - | Tube | Actif | - | Équilibrage automatique des supercondensateurs | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Ald910029 | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1014-ald910029sali | 50 | - | 2 Canaux N (double) |
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